запрос цен
спецификация
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-comComponents.com

Транзисторы(2488)

Номер продукта	Цена (долл. США)	Количество	Доступное количество	Производитель	Ряд	Упаковка	Статус продукта	Рабочая температура	Тип монтажа	Пакет/ключи	Базовый номер продукта	Тип входа	Технология	Мощность - Макс.	Поставщик пакета оборудования	Техническая спецификация	Статус RoHS	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	ECCN	ХТСУС	Стандартный пакет	Тип полярного транзистора	Условия испытаний	Прирост	Напряжение стока к источнику (Vdss)	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	ВГС (Макс)	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Особенность левого транзистора	Рассеиваемая мощность (макс.)	Тип БТИЗ	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	Ток-коллекторный импульсный (Icm)	Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	Переключение энергии	Td (вкл/выкл) при 25°C	Ток-отсечка коллектора (макс.)	Тип транзистора	Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	Частота – переход	Резистор — база (R1)	Резистор — база эмиттера (R2)	Коэффициент шума (дБ, тип@f)
2SC4915-О,ЛФ	0,5000	запросить цену	9220	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	125°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	2SC4915			100мВт	ССМ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	3000			17 дБ ~ 23 дБ												30 В	20 мА						НПН		70 при 1 мА, 6 В	550 МГц			2,3 дБ ~ 5 дБ при 100 МГц
2SC2383-Y(T6DNS,FM	-	запросить цену	8306	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов	2SC2383			900 мВт	ТО-92МОД	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	1															160 В	1 А					1 мкА (ИКБО)	НПН	1,5 В при 50 мА, 500 мА	60 при 200 мА, 5 В	100 МГц
RN2910,LXHF(CT	0,4400	запросить цену	6	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	РН2910			200мВт	США6	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	3000															50В	100 мА					100нА (ИКБО)	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	120 при 1 мА, 5 В	200 МГц	4,7 кОм	-
RN1102,LXHF(CT	0,3300	запросить цену	8	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	РН1102			100 мВт	ССМ	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	3000															50 В	100 мА					500нА	NPN — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	50 при 10 мА, 5 В	250 МГц	10 кОм	10 кОм
РН1909ФЭ(ТЕ85Л,Ф)	0,3500	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	РН1909			100мВт	ES6	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	4000															50В	100 мА					100нА (ИКБО)	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	70 при 10 мА, 5 В	250 МГц	47 кОм	22 кОм
РН4606(ТЕ85Л,Ф)	0,3800	запросить цену	7	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-74, СОТ-457	РН4606			300мВт	СМ6	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	3000															50В	100 мА					100 мкА (ИКБО)	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	200 МГц, 250 МГц	4,7 кОм	47 кОм
2SC4881(КАНО,Ф,М)	-	запросить цену	8922	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	2SC4881			2 Вт	ТО-220НИС	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0075	1															50 В	5 А					1 мкА (ИКБО)	НПН	400 мВ при 125 мА, 2,5 А	100 @ 1А, 1В	100 МГц
TPCA8120,LQ(СМ	-	запросить цену	9207	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВИ	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	TPCA8120		МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП Прогресс (5х5)	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	3000	P-канал			30 В	45А (Та)	4,5 В, 10 В	3 мОм при 22,5 А, 10 В	2 В @ 1 мА	190 НК при 10 В	+20В, -25В	7420 пФ при 10 В	-	1,6 Вт (Та), 45 Вт (Тс)
ТК31Е60В,С1ВС	8.2200	запросить цену	3779	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСИВ	Трубка	Активный	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3	ТК31Е60		МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	50	N-канал			600 В	30,8А (Та)	10 В	88 мОм при 15,4 А, 10 В	3,7 В @ 1,5 мА	86 НК при 10 В	±30 В	3000 пФ при 300 В	-	230 Вт (Тс)
2СК4021(К)	-	запросить цену	5729	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-251-3 Заглушки, ИПак	2SK4021		МОП-транзистор (оксид металла)		PW-MOLD2	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	200	N-канал			250 В	4,5 А (Та)	10 В	1 Ом при 2,5 А, 10 В	3,5 В @ 1 мА	10 НК при 10 В	±20 В	440 пФ при 10 В	-	20 Вт (Тс)
ТДЖ15С06М3Л(Т6Л1,НК	1,3300	запросить цену	2224	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВИ	Лента и катушка (TR)	Активный	175°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	TJ15S06		МОП-транзистор (оксид металла)		ДПАК+	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	2000 г.	P-канал			60 В	15А (Та)	6В, 10В	50 мОм при 7,5 А, 10 В	3 В при 1 мА	36 НК при 10 В	+10 В, -20 В	1770 пФ при 10 В	-	41 Вт (Тс)
2SA1020-О,СКФ(Дж	-	запросить цену	2405	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов	2SA1020			900 мВт	ТО-92МОД	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	1															50 В	2 А					1 мкА (ИКБО)	ПНП	500 мВ при 50 мА, 1 А	70 при 500 мА, 2 В	100 МГц
2SC2229-И(САН2,Ф,М	-	запросить цену	8049	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов	2SC2229			800 мВт	ТО-92МОД	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	1															150 В	50 мА					100нА (ИКБО)	НПН	500 мВ при 1 мА, 10 мА	70 при 10 мА, 5 В	120 МГц
РН2116МФВ,Л3Ф	0,1800	запросить цену	15	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СОТ-723	РН2116			150 мВт	ВЕСМ	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	8000															50 В	100 мА					500нА	ПНП — предварительный смещенный	300 мВ @ 500 мкА, 5 мА	50 при 10 мА, 5 В		4,7 кОм	10 кОм
RN4901,LF(CT	0,2800	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	РН4901			200мВт	США6	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	3000															50В	100 мА					500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	30 @ 10 мА, 5 В	250 МГц, 200 МГц	4,7 кОм	4,7 кОм
2SC2655-Y(T6OMI,FM	-	запросить цену	9618	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов	2SC2655			900 мВт	ТО-92МОД	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	1															50 В	2 А					1 мкА (ИКБО)	НПН	500 мВ при 50 мА, 1 А	70 при 500 мА, 2 В	100 МГц
РН2603(ТЕ85Л,Ф)	0,4700	запросить цену	3159	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-74, СОТ-457	РН2603			300мВт	СМ6	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	3000															50В	100 мА					100нА (ИКБО)	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	70 при 10 мА, 5 В	200 МГц	22 кОм	22 кОм
2SC5233BTE85LF	-	запросить цену	8582	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	125°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СК-70, СОТ-323	2SC5233			100 мВт	УСМ	-		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	3000															12 В	500 мА					100нА (ИКБО)	НПН	250 мВ при 10 мА, 200 мА	500 при 10 мА, 2 В	130 МГц
ГТ10Г131(ТЕ12Л,К)	-	запросить цену	4336	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-SOIC (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм)	GT10G131	Стандартный		1 Вт	8-СОП (5,5х6,0)	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	3000		-												-	400 В		200 А	2,3 В @ 4 В, 200 А	-	3,1 мкс/2 мкс
RN1909FE,LXHF(CT	0,3800	запросить цену	8	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	РН1909			100мВт	ES6	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	4000															50В	100 мА					500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	70 при 10 мА, 5 В	250 МГц	47 кОм	22 кОм
SSM6K204FE,ЛФ	0,5400	запросить цену	4982	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	ССМ6К204		МОП-транзистор (оксид металла)		ES6	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	4000	N-канал			20 В	2А (Та)	1,5 В, 4 В	126 мОм при 1 А, 4 В	1 В @ 1 мА	3,4 нк при 10 В	±10 В	195 пФ при 10 В	-	500 мВт (Та)
ТК11С10Н1Л,LXHQ	0,9700	запросить цену	1392	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII-H	Лента и катушка (TR)	Активный	175°С	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	ТК11С10		МОП-транзистор (оксид металла)		ДПАК+	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	2000 г.	N-канал			100 В	11А (Та)	4,5 В, 10 В	28 мОм при 5,5 А, 10 В	2,5 В @ 100 мкА	15 нк @ 10 В	±20 В	850 пФ при 10 В	-	65 Вт (Тс)
ТК190Е65З,С1С	2,7800	запросить цену	156	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Трубка	Активный	150°С	Сквозное отверстие	ТО-220-3			МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	50	N-канал			650 В	15А (Та)	10 В	190 мОм при 7,5 А, 10 В	4 В @ 610 мкА	25 НК при 10 В	±30 В	1370 пФ при 300 В	-	130 Вт (Тс)
2SA2060(ТЕ12Л,Ф)	0,6100	запросить цену	827	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-243АА	2SA2060			1 Вт	PW-МИНИ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	1000															50 В	2 А					100нА (ИКБО)	ПНП	200 мВ при 33 мА, 1 А	200 на 300 мА, 2 В	-
ТК090А65З,С4С	4.7900	запросить цену	2	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСВИ	Трубка	Активный	150°С	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК090А65		МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	50	N-канал			650 В	30А (Та)	10 В	90 мОм при 15 А, 10 В	4 В при 1,27 мА	47 НК при 10 В	±30 В	2780 пФ при 300 В	-	45 Вт (Тс)
2SC3265-И,ЛФ	0,4400	запросить цену	1	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	2SC3265			200 мВт	ТО-236	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	3000															25 В	800 мА					100нА (ИКБО)	НПН	400 мВ при 20 мА, 500 мА	160 при 100 мА, 1 В	120 МГц
ССМ3ДЖ15ФВ,Л3Ф	0,2300	запросить цену	55	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	π-МОСВИ	Лента и катушка (TR)	Активный	-55°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СОТ-723	SSM3J15		МОП-транзистор (оксид металла)		ВЕСМ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	8000	P-канал			30 В	100 мА (Та)	2,5 В, 4 В	12 Ом при 10 мА, 4 В	1,7 В @ 100 мкА		±20 В	9,1 пФ при 3 В	-	150 мВт (Та)
РН2108(Т5Л,Ф,Т)	0,2800	запросить цену	2	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	РН2108			100 мВт	ССМ	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0075	3000															50 В	100 мА					500нА	ПНП — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	200 МГц	22 кОм	47 кОм
2SC5201,Ф(Дж	-	запросить цену	5246	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов	2SC5201			900 мВт	ТО-92МОД	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.21.0095	1															600 В	50 мА					1 мкА (ИКБО)	НПН	1 В @ 500 мА, 20 мА	100 при 20 мА, 5 В	-
ТК60С10Н1Л,LXHQ	1,5800	запросить цену	1308	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII-H	Лента и катушка (TR)	Активный	175°С	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	ТК60С10		МОП-транзистор (оксид металла)		ДПАК+	скачать		1 (без блокировки)	EAR99	8541.29.0095	2000 г.	N-канал			100 В	60А (Та)	6В, 10В	6,11 мОм при 30 А, 10 В	3,5 В при 500 мкА	60 НК при 10 В	±20 В	4320 пФ при 10 В	-	180 Вт (Тс)