SIC
close

Транзисторы(2488)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id Ток-отсечка коллектора (макс.) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
2SC4116-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4116-И,ЛФ 0,1800
запросить цену
 ECAD 25 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 2SC4116 100 мВт СК-70 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50 В 150 мА 100нА (ИКБО) НПН 250 мВ при 10 мА, 100 мА 120 при 2 мА, 6 В 80 МГц
2SA1931(NOMARK,A,Q Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931(НОМАРК,А,Q -
запросить цену
 ECAD 9650 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет 2СА1931 2 Вт ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0075 1 50 В 5 А 1 мкА (ИКБО) ПНП 400 мВ при 200 мА, 2 А 100 @ 1А, 1В 60 МГц
RN1404S,LF Toshiba Semiconductor and Storage РН1404С,ЛФ -
запросить цену
 ECAD 8748 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 РН1404 200 мВт S-Мини скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 100 мА 500нА NPN — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 250 МГц 47 кОм 47 кОм
RN4909,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4909,LXHF(CT 0,4400
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 RN4909 200мВт США6 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50В 100 мА 500нА 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 70 при 10 мА, 5 В 200 МГц, 250 МГц 47 кОм 22 кОм
TK7R7P10PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage ТК7Р7П10ПЛ,РК 1,0700
запросить цену
 ECAD 27 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 175°С Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ТК7Р7П10 МОП-транзистор (оксид металла) ДПАК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 100 В 55А (Тс) 4,5 В, 10 В 7,7 мОм при 27,5 А, 10 В 2,5 В при 500 мкА 44 НК при 10 В ±20 В 2800 пФ при 50 В - 93 Вт (Тс)
RN2417,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2417,LXHF 0,3400
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 РН2417 200 мВт S-Мини скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50 В 100 мА 500нА ПНП — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 30 @ 10 мА, 5 В 200 МГц 10 кОм 4,7 кОм
TK49N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage ТК49Н65В5,С1Ф 11.8200
запросить цену
 ECAD 45 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный 150°С Сквозное отверстие ТО-247-3 ТК49Н65 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-247 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 30 N-канал 650 В 49,2А (Та) 10 В 57 мОм при 24,6 А, 10 В 4,5 В при 2,5 мА 185 НК при 10 В ±30 В 6500 пФ при 300 В - 400 Вт (Тс)
TDTC123J,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC123J,ЛМ 0,1800
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 ТДТК123 320 мВт СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 100 мА 500нА NPN — предварительный смещенный 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА 80 при 10 мА, 5 В 250 МГц 2,2 кОм
RN2311,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2311,LXHF 0,3900
запросить цену
 ECAD 5 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 РН2311 100 мВт СК-70 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 100 мА 100нА (ИКБО) ПНП — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 120 при 1 мА, 5 В 200 МГц 10 кОм
SSM3K303T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ССМ3К303Т(ТЕ85Л,Ф) -
запросить цену
 ECAD 5500 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных π-МОСVII Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 ССМ3К303 МОП-транзистор (оксид металла) ТСМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 N-канал 30 В 2,9 А (Та) 4В, 10В 83 мОм при 1,5 А, 10 В 2,6 В при 1 мА 3,3 нк при 4 В ±20 В 180 пФ при 10 В - 700 мВт (Та)
RN2602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage РН2602(ТЕ85Л,Ф) 0,4700
запросить цену
 ECAD 3213 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-74, СОТ-457 РН2602 300мВт СМ6 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50В 100 мА 100нА (ИКБО) 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 50 при 10 мА, 5 В 200 МГц 10 кОм 10 кОм
TK10S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage ТК10С04К3Л(Т6Л1,НК -
запросить цену
 ECAD 6481 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСИВ Лента и катушка (TR) Устаревший 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ТК10С04 МОП-транзистор (оксид металла) ДПАК+ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 2000 г. N-канал 40 В 10А (Та) 6В, 10В 28 мОм при 5 А, 10 В 3 В при 1 мА 10 НК при 10 В ±20 В 410 пФ при 10 В - 25 Вт (Тс)
RN1117(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage РН1117(ТЕ85Л,Ф) 0,3900
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-75, СОТ-416 РН1117 100 мВт ССМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 100 мА 500нА NPN — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 30 @ 10 мА, 5 В 250 МГц 10 кОм 4,7 кОм
RN1904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1904,LXHF(CT 0,3600
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 РН1904 200мВт США6 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50В 100 мА 500нА 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 250 МГц 47 кОм 47 кОм
RN2111,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2111,LXHF(CT 0,3300
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-75, СОТ-416 РН2111 100 мВт ССМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50 В 100 мА 100нА (ИКБО) ПНП — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 120 при 1 мА, 5 В 200 МГц 10 кОм
SSM6K406TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage ССМ6К406ТУ,ЛФ 0,5200
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж 6-SMD, плоские выводы ССМ6К406 МОП-транзистор (оксид металла) УФ6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 N-канал 30 В 4,4 А (Та) 4,5 В, 10 В 25 мОм при 2 А, 10 В 2,5 В @ 1 мА 12,4 НК при 10 В ±20 В 490 пФ при 15 В - 500 мВт (Та)
2SC3668-Y,T2WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3668-Y,T2WNLF(J -
запросить цену
 ECAD 8244 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие СК-71 2SC3668 1 Вт МСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0075 1 50 В 2 А 1 мкА (ИКБО) НПН 500 мВ при 50 мА, 1 А 70 при 500 мА, 2 В 100 МГц
TK190A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage ТК190А65З,С4С 3.0000
запросить цену
 ECAD 12 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСВИ Трубка Активный 150°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТК190А65 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 650 В 15А (Та) 10 В 190 мОм при 7,5 А, 10 В 4 В @ 610 мкА 25 НК при 10 В ±30 В 1370 пФ при 300 В - 40 Вт (Тс)
TW060N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage ТВ060Н120К,С1Ф 19.8400
запросить цену
 ECAD 4984 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный 175°С Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 30 N-канал 1200 В 36А (Тс) 18В 78 мОм при 18 А, 18 В 5 В при 4,2 мА 46 НК при 18 В +25В, -10В 1530 пФ при 800 В - 170 Вт (Тс)
RN1967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage РН1967ФЭ(ТЕ85Л,Ф) -
запросить цену
 ECAD 7266 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 РН1967 100мВт ES6 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 50В 100 мА 100нА (ИКБО) 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 250 МГц 10 кОм 47 кОм
2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2СК879-ГР(ТЭ85Л,Ф) 0,4200
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 2СК879 100 мВт УСМ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 N-канал 8,2 пФ при 10 В 2,6 мА при 10 В 400 мВ при 100 нА
TK25S06N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage ТК25С06Н1Л,ЛК 1.0300
запросить цену
 ECAD 5833 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСVIII-H Лента и катушка (TR) Активный 175°С Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ТК25С06 МОП-транзистор (оксид металла) ДПАК+ - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 2000 г. N-канал 60 В 25А (Та) 4,5 В, 10 В 18,5 мОм при 12,5 А, 10 В 2,5 В @ 100 мкА 15 нк @ 10 В ±20 В 855 пФ при 10 В - 57 Вт (Тс)
RN2305,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage РН2305,ЛХХФ 0,3900
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 РН2305 100 мВт СК-70 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 100 мА 500нА ПНП — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 200 МГц 2,2 кОм 47 кОм
TK8A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A45DA(STA4,Q,M) 1,6400
запросить цену
 ECAD 6704 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных π-МОСVII Трубка Активный - Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТК8А45 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 450 В 7,5 А (Тс) - - - -
HN1C01FU-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU-GR,LF 0,3400
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 HN1C01 200мВт США6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50В 150 мА 100нА (ИКБО) 2 НПН (двойной) 250 мВ при 10 мА, 100 мА 200 при 2 мА, 6 В 80 МГц
SSM5H08TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage ССМ5Х08ТУ,ЛФ 0,4800
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСIII Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж 6-SMD (5 выводов), плоский вывод SSM5H08 МОП-транзистор (оксид металла) УФВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 N-канал 20 В 1,5 А (Та) 2,5 В, 4 В 160 мОм при 750 мА, 4 В 1,1 В при 100 мкА ±12 В 125 пФ при 10 В Диод Шоттки (изолированный) 500 мВт (Та)
TK750A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage ТК750А60Ф,С4С 1,7600
запросить цену
 ECAD 968 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСИКС Трубка Активный 150°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТК750А60 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать Соответствует ROHS3 Непригодный EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 600 В 10А (Та) 10 В 750 мОм при 5 А, 10 В 4 В @ 1 мА 30 НК при 10 В ±30 В 1130 пФ при 300 В - 40 Вт (Тс)
TPCP8401(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8401(ТЕ85Л,Ф) -
запросить цену
 ECAD 5604 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-СМД, плоский вывод TPCP8401 МОП-транзистор (оксид металла) 1 Вт ПС-8 (2,9х2,4) скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 3000 N и P-канал 20В, 12В 100 мА, 5,5 А 3 Ом при 10 мА, 4 В 1,1 В при 100 мкА - 9,3 пФ при 3 В Ворота логического уровня
RN4981FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4981FE,LXHF(CT 0,3800
запросить цену
 ECAD 7 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 RN4981 100мВт ES6 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 50В 100 мА 500нА 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 30 @ 10 мА, 5 В 250 МГц, 200 МГц 4,7 кОм 4,7 кОм
2SC3672-O(T2ASH,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3672-О(Т2АШ,ФМ -
запросить цену
 ECAD 7881 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие СК-71 2SC3672 1 Вт МСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0075 1 300 В 100 мА 100нА (ИКБО) НПН 500 мВ при 2 мА, 20 мА 30 при 20 мА, 10 В 80 МГц
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.