запрос цен
спецификация
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-comComponents.com

Транзисторы(2488)

Номер продукта	Цена (долл. США)	Количество	Доступное количество	Производитель	Ряд	Упаковка	Статус продукта	Рабочая температура	Тип монтажа	Пакет/ключи	Базовый номер продукта	Технология	Мощность - Макс.	Поставщик пакета оборудования	Техническая спецификация	Статус RoHS	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Другие имена	ECCN	ХТСУС	Стандартный пакет	Тип полярного транзистора	Прирост	Напряжение стока к источнику (Vdss)	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	ВГС (Макс)	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Особенность левого транзистора	Рассеиваемая мощность (макс.)	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	Ток-отсечка коллектора (макс.)	Тип транзистора	Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	Частота – переход	Резистор — база (R1)	Резистор — база эмиттера (R2)	Коэффициент шума (дБ, тип@f)
ТПХ6Р003НЛ,ЛК	0,9300	запросить цену	2	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII-H	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	ТПХ6Р003	МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП Прогресс (5х5)	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	3000	N-канал		30 В	38А (Тц)	4,5 В, 10 В	6 мОм при 19 А, 10 В	2,3 В @ 200 мкА	17 НК при 10 В	±20 В	1400 пФ при 15 В	-	1,6 Вт (Та), 34 Вт (Тс)
RN1911FETE85LF	-	запросить цену	8032	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	РН1911		100мВт	ES6	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	4000													50В	100 мА	100нА (ИКБО)	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	120 при 1 мА, 5 В	250 МГц	10 кОм	-
ТК35Е10К3(С1СС-Q)	-	запросить цену	8927	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Трубка	Устаревший	-	Сквозное отверстие	ТО-220-3	ТК35Е10	-		ТО-220	-	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	ТК35Е10К3С1ССQ	EAR99	8541.29.0095	50	-			-		-	-				-	-
ТК31Е60С,С1С	5,6700	запросить цену	40	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСИВ-Г	Трубка	Активный	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3	ТК31Е60	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50	N-канал		600 В	30,8А (Та)	10 В	88 мОм при 9,4 А, 10 В	3,5 В @ 1,5 мА	65 НК при 10 В	±30 В	3000 пФ при 300 В	-	230 Вт (Тс)
2SA1182-Y,ЛФ	0,3300	запросить цену	6	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	125°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	2SA1182		150 мВт	S-Мини	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	3000													30 В	500 мА	100нА (ИКБО)	ПНП	250 мВ при 10 мА, 100 мА	120 при 100 мА, 1 В	200 МГц
TPC8111(ТЕ12Л,К,М)	-	запросить цену	7612	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-SOIC (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм)	ТПК8111	МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП (5,5х6,0)	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	3000	P-канал		30 В	11А (Та)	4В, 10В	12 мОм при 5,5 А, 10 В	2 В @ 1 мА	107 НК при 10 В	±20 В	5710 пФ при 10 В	-	1 Вт (Та)
ТДЖ9А10М3,С4К	-	запросить цену	3753	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВИ	Трубка	Активный	150°С	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	TJ9A10	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	-			264-TJ9A10M3S4Q	EAR99	8541.29.0095	50	P-канал		100 В	9А (Та)	10 В	170 мОм при 4,5 А, 10 В	4 В при 1 мА	47 НК при 10 В	±20 В	2900 пФ при 10 В	-	19 Вт (Тс)
ССМ6К517НУ,ЛФ	0,4100	запросить цену	829	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	6-WDFN Открытая площадка	ССМ6К517	МОП-транзистор (оксид металла)		6-УДФНБ (2х2)	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	3000	N-канал		30 В	6А (Та)	1,8 В, 4,5 В	39,1 мОм при 2 А, 4,5 В	1 В @ 1 мА	3,2 НК при 4,5 В	+12 В, -8 В	310 пФ при 15 В	-	1,25 Вт (Та)
РН1111МФВ,Л3Ф	0,1800	запросить цену	1755 г.	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СОТ-723	РН1111		150 мВт	ВЕСМ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	8000													50 В	100 мА	100нА (ИКБО)	NPN — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	120 при 1 мА, 5 В		10 кОм
2SC2235-Y,T6ASHF(J	-	запросить цену	1248	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов	2SC2235		900 мВт	ТО-92МОД	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	1													120 В	800 мА	100нА (ИКБО)	НПН	1 В при 50 мА, 500 мА	80 при 100 мА, 5 В	120 МГц
2SA1837,ТОА1Ф(Дж	-	запросить цену	8224	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	2SA1837		2 Вт	ТО-220НИС	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0075	1													230 В	1 А	1 мкА (ИКБО)	ПНП	1,5 В при 50 мА, 500 мА	100 на 100 мА, 5 В	70 МГц
2SC5065-О(ТЭ85Л,Ф)	-	запросить цену	8403	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	125°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СК-70, СОТ-323	2SC5065		100мВт	СК-70	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000		-											12 В	30 мА		НПН		80 при 10 мА, 5 В	7 ГГц			1 дБ @ 500 МГц
РН1303,ЛХХФ	0,3900	запросить цену	5	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-70, СОТ-323	РН1303		100 мВт	СК-70	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	3000													50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	70 при 10 мА, 5 В	250 МГц	22 кОм	22 кОм
2SA1931(НОМАРК,А,Q	-	запросить цену	9650	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	2СА1931		2 Вт	ТО-220НИС	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0075	1													50 В	5 А	1 мкА (ИКБО)	ПНП	400 мВ при 200 мА, 2 А	100 @ 1А, 1В	60 МГц
РН1404С,ЛФ	-	запросить цену	8748	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	РН1404		200 мВт	S-Мини	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	3000													50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц	47 кОм	47 кОм
RN4909,LXHF(CT	0,4400	запросить цену	6	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	RN4909		200мВт	США6	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	3000													50В	100 мА	500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	70 при 10 мА, 5 В	200 МГц, 250 МГц	47 кОм	22 кОм
ТК7Р7П10ПЛ,РК	1,0700	запросить цену	27	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	175°С	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	ТК7Р7П10	МОП-транзистор (оксид металла)		ДПАК	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	2500	N-канал		100 В	55А (Тс)	4,5 В, 10 В	7,7 мОм при 27,5 А, 10 В	2,5 В при 500 мкА	44 НК при 10 В	±20 В	2800 пФ при 50 В	-	93 Вт (Тс)
RN2417,LXHF	0,3400	запросить цену	6	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	РН2417		200 мВт	S-Мини	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000													50 В	100 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	30 @ 10 мА, 5 В	200 МГц	10 кОм	4,7 кОм
ТК49Н65В5,С1Ф	11.8200	запросить цену	45	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Трубка	Активный	150°С	Сквозное отверстие	ТО-247-3	ТК49Н65	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-247	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	30	N-канал		650 В	49,2А (Та)	10 В	57 мОм при 24,6 А, 10 В	4,5 В при 2,5 мА	185 НК при 10 В	±30 В	6500 пФ при 300 В	-	400 Вт (Тс)
TDTC123J,ЛМ	0,1800	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	ТДТК123		320 мВт	СОТ-23-3	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	3000													50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц	2,2 кОм
RN2311,LXHF	0,3900	запросить цену	5	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-70, СОТ-323	РН2311		100 мВт	СК-70	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	3000													50 В	100 мА	100нА (ИКБО)	ПНП — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	120 при 1 мА, 5 В	200 МГц	10 кОм
ССМ3К303Т(ТЕ85Л,Ф)	-	запросить цену	5500	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	π-МОСVII	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	ССМ3К303	МОП-транзистор (оксид металла)		ТСМ	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000	N-канал		30 В	2,9 А (Та)	4В, 10В	83 мОм при 1,5 А, 10 В	2,6 В при 1 мА	3,3 нк при 4 В	±20 В	180 пФ при 10 В	-	700 мВт (Та)
РН2602(ТЕ85Л,Ф)	0,4700	запросить цену	3213	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-74, СОТ-457	РН2602		300мВт	СМ6	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000													50В	100 мА	100нА (ИКБО)	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	50 при 10 мА, 5 В	200 МГц	10 кОм	10 кОм
ТК10С04К3Л(Т6Л1,НК	-	запросить цену	6481	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСИВ	Лента и катушка (TR)	Устаревший	175°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	ТК10С04	МОП-транзистор (оксид металла)		ДПАК+	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	2000 г.	N-канал		40 В	10А (Та)	6В, 10В	28 мОм при 5 А, 10 В	3 В при 1 мА	10 НК при 10 В	±20 В	410 пФ при 10 В	-	25 Вт (Тс)
РН1117(ТЕ85Л,Ф)	0,3900	запросить цену	1	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	РН1117		100 мВт	ССМ	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	3000													50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	30 @ 10 мА, 5 В	250 МГц	10 кОм	4,7 кОм
RN1904,LXHF(CT	0,3600	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	РН1904		200мВт	США6	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000													50В	100 мА	500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц	47 кОм	47 кОм
ССМ6К406ТУ,ЛФ	0,5200	запросить цену	2	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	6-SMD, плоские выводы	ССМ6К406	МОП-транзистор (оксид металла)		УФ6	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000	N-канал		30 В	4,4 А (Та)	4,5 В, 10 В	25 мОм при 2 А, 10 В	2,5 В @ 1 мА	12,4 НК при 10 В	±20 В	490 пФ при 15 В	-	500 мВт (Та)
2SC3668-Y,T2WNLF(J	-	запросить цену	8244	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	СК-71	2SC3668		1 Вт	МСТМ	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0075	1													50 В	2 А	1 мкА (ИКБО)	НПН	500 мВ при 50 мА, 1 А	70 при 500 мА, 2 В	100 МГц
ТК190А65З,С4С	3.0000	запросить цену	12	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСВИ	Трубка	Активный	150°С	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК190А65	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50	N-канал		650 В	15А (Та)	10 В	190 мОм при 7,5 А, 10 В	4 В @ 610 мкА	25 НК при 10 В	±30 В	1370 пФ при 300 В	-	40 Вт (Тс)
ТВ060Н120К,С1Ф	19.8400	запросить цену	4984	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Трубка	Активный	175°С	Сквозное отверстие	ТО-247-3		SiCFET (карбид кремния)		ТО-247	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	30	N-канал		1200 В	36А (Тс)	18В	78 мОм при 18 А, 18 В	5 В при 4,2 мА	46 НК при 18 В	+25В, -10В	1530 пФ при 800 В	-	170 Вт (Тс)