SIC
close

Транзисторы(2488)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тип полярного транзистора Прирост Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ток-отсечка коллектора (макс.) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2) Коэффициент шума (дБ, тип@f)
RN1406,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage РН1406,ЛХХФ 0,0645
запросить цену
 ECAD 7373 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 РН1406 200 мВт S-Мини скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50 В 100 мА 500нА NPN — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 250 МГц 4,7 кОм 47 кОм
HN1C01FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE-Y,LF 0,3000
запросить цену
 ECAD 9838 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 HN1C01 100мВт ES6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 50В 150 мА 100нА (ИКБО) 2 НПН (двойной) 250 мВ при 10 мА, 100 мА 120 при 2 мА, 6 В 80 МГц
2SC5087YTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5087YTE85LF -
запросить цену
 ECAD 9624 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-61АА 2SC5087 150 мВт SMQ - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 13 дБ 12 В 80 мА НПН 120 при 20 мА, 10 В 7 ГГц 1,1 дБ @ 1 ГГц
2SA1680,T6SCMDF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680,T6SCMDF(J -
запросить цену
 ECAD 3084 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов 2SA1680 900 мВт ТО-92МОД скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 1 50 В 2 А 1 мкА (ИКБО) ПНП 500 мВ при 50 мА, 1 А 120 @ 100 мА, 2 В 100 МГц
TPH1R306P1,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage ТПХ1Р306П1,Л1К 2,4900
запросить цену
 ECAD 3131 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-MOSIX-H Лента и катушка (TR) Активный 175°С Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN ТПХ1Р306 МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП Прогресс (5x5) скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 5000 N-канал 60 В 100А (Тс) 4,5 В, 10 В 1,28 мОм при 50 А, 10 В 2,5 В @ 1 мА 91 НК при 10 В ±20 В 8100 пФ при 30 В - 960 мВт (Та), 170 Вт (Тс)
TK155U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage ТК155У65З,РК 3.4000
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСВИ Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж 8-PowerSFN МОП-транзистор (оксид металла) ПОТЕРИ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 2000 г. N-канал 650 В 18А (Та) 10 В 155 мОм при 9 А, 10 В 4 В @ 730 мкА 29 НК при 10 В ±30 В 1635 пФ при 300 В - 150 Вт (Тс)
SSM3J14TTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J14TTE85LF -
запросить цену
 ECAD 8348 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСИИ Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 SSM3J14 МОП-транзистор (оксид металла) ТСМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 P-канал 30 В 2,7 А (Та) 4В, 10В 85 мОм при 1,35 А, 10 В - ±20 В 413 пФ при 15 В - 700 мВт (Та)
RN1408,LF Toshiba Semiconductor and Storage РН1408,ЛФ 0,1900
запросить цену
 ECAD 3234 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 РН1408 200 мВт S-Мини скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 100 мА 500нА NPN — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 250 МГц 22 кОм 47 кОм
RN1906FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage РН1906ФЭ(Т5Л,Ф,Т) -
запросить цену
 ECAD 2896 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 РН1906 100мВт ES6 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 50В 100 мА 100нА (ИКБО) 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 250 МГц 4,7 кОм 47 кОм
RN4611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage РН4611(ТЕ85Л,Ф) 0,0865
запросить цену
 ECAD 3988 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-74, СОТ-457 РН4611 300мВт СМ6 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50В 100 мА 100нА (ИКБО) 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 120 при 1 мА, 5 В 200 МГц 10 кОм -
2SC3324-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324-BL(TE85L,Ф -
запросить цену
 ECAD 9331 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 2SC3324 150 мВт ТО-236 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 120 В 100 мА 100нА (ИКБО) НПН 300 мВ при 1 мА, 10 мА 350 при 2 мА, 6 В 100 МГц
MT3S20P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage МТ3С20П(ТЕ12Л,Ф) -
запросить цену
 ECAD 2879 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-243АА МТ3С20 1,8 Вт PW-МИНИ - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 1000 16,5 дБ 12 В 80 мА НПН 100 при 50 мА, 5 В 7 ГГц 1,45 дБ @ 1 ГГц
TPCC8003-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8003-H(TE12LQM -
запросить цену
 ECAD 5379 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСВИ-Х Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-ВДФН Открытая площадка TPCC8003 МОП-транзистор (оксид металла) 8-ТСОН Адванс (3,3х3,3) скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 В 13А (Та) 4,5 В, 10 В 16,9 мОм при 6,5 А, 10 В 2,3 В @ 200 мкА 17 НК при 10 В ±20 В 1300 пФ при 10 В - 700 мВт (Та), 22 Вт (Тс)
2SA1832-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-ГР,ЛСХФ 0,3900
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный - Поверхностный монтаж СК-75, СОТ-416 120 мВт ССМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50 В 150 мА 100нА (ИКБО) ПНП 300 мВ при 10 мА, 100 мА 200 при 2 мА, 6 В 80 МГц
TK4R3A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage ТК4Р3А06ПЛ,С4С 1,3300
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-MOSIX-H Трубка Активный 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТК4Р3А06 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать Соответствует ROHS3 Непригодный EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 60 В 68А (Тс) 4,5 В, 10 В 7,2 мОм при 15 А, 4,5 В 2,5 В при 500 мкА 48,2 НК при 10 В ±20 В 3280 пФ при 30 В - 36 Вт (Тс)
RN4902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902FE,LF(CT 0,2700
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 РН4902 100мВт ES6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 50В 100 мА 500нА 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 50 при 10 мА, 5 В 250 МГц, 200 МГц 10 кОм 10 кОм
TPN2R703NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage ТПН2Р703НЛ,Л1К 1,2100
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСVIII-H Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN ТПН2Р703 МОП-транзистор (оксид металла) 8-ТСОН Адванс (3,1х3,1) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 5000 N-канал 30 В 45А (Тс) 4,5 В, 10 В 2,7 мОм при 22,5 А, 10 В 2,3 В @ 300 мкА 21 НК при 10 В ±20 В 2100 пФ при 15 В - 700 мВт (Та), 42 Вт (Тс)
2SB1457(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457(Т6СНО,А,Ф) -
запросить цену
 ECAD 2426 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов 2СБ1457 900 мВт ТО-92МОД скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 1 100 В 2 А 10 мкА (ИКБО) ПНП 1,5 В при 1 мА, 1 А 2000 @ 1А, 2В 50 МГц
XPH4R10ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH4R10ANB,L1XHQ 2.2600
запросить цену
 ECAD 34 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСVIII-H Лента и катушка (TR) Активный 175°С Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,197 дюйма, 5,00 мм) XPH4R10 МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП Прогресс (5х5) - 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 5000 N-канал 100 В 70А (Та) 6В, 10В 4,1 мОм при 35 А, 10 В 3,5 В @ 1 мА 75 НК при 10 В ±20 В 4970 пФ при 10 В - 960 мВт (Та), 170 Вт (Тс)
TTC004B,Q Toshiba Semiconductor and Storage ТТС004Б,К 0,5300
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-225АА, ТО-126-3 ТТС004 10 Вт ТО-126Н скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0075 250 160 В 1,5 А 100нА (ИКБО) НПН 500 мВ при 50 мА, 500 мА 140 при 100 мА, 5 В 100 МГц
TK12J60U(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТК12ДЖ60У(Ф) -
запросить цену
 ECAD 9902 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСИИ Поднос Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-3П-3, СК-65-3 ТК12J60 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-3П(Н) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 600 В 12А (Та) 10 В 400 мОм при 6 А, 10 В 5 В при 1 мА 14 НК @ 10 В ±30 В 720 пФ при 10 В - 144 Вт (Тс)
2SD1407A-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1407A-Y(Ф) -
запросить цену
 ECAD 9090 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет 2SD1407 30 Вт ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 100 В 5 А 100 мкА (ИКБО) НПН 2 В при 400 мА, 4 А 120 @ 1А, 5В 12 МГц
RN2604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage РН2604(ТЕ85Л,Ф) 0,0865
запросить цену
 ECAD 3829 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-74, СОТ-457 РН2604 300мВт СМ6 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50В 100 мА 100нА (ИКБО) 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 200 МГц 47 кОм 47 кОм
TPWR7904PB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage TPWR7904PB,L1XHQ 2,9900
запросить цену
 ECAD 40 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-MOSIX-H Лента и катушка (TR) Активный 175°С Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN ТПВР7904 МОП-транзистор (оксид металла) 8-ДСОП Прогресс скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 5000 N-канал 40 В 150А (Та) 6В, 10В 0,79 мОм при 75 А, 10 В 3 В при 1 мА 85 НК при 10 В ±20 В 6650 пФ при 10 В - 960 мВт (Та), 170 Вт (Тс)
2SA1931,NETQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931,NETQ(М -
запросить цену
 ECAD 6462 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет 2СА1931 2 Вт ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0075 1 50 В 5 А 1 мкА (ИКБО) ПНП 400 мВ при 200 мА, 2 А 100 @ 1А, 1В 60 МГц
TPH6R003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage ТПХ6Р003НЛ,ЛК 0,9300
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСVIII-H Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN ТПХ6Р003 МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП Прогресс (5х5) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 В 38А (Тц) 4,5 В, 10 В 6 мОм при 19 А, 10 В 2,3 В @ 200 мкА 17 НК при 10 В ±20 В 1400 пФ при 15 В - 1,6 Вт (Та), 34 Вт (Тс)
RN1911FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FETE85LF -
запросить цену
 ECAD 8032 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 РН1911 100мВт ES6 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 50В 100 мА 100нА (ИКБО) 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 120 при 1 мА, 5 В 250 МГц 10 кОм -
TK35E10K3(S1SS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage ТК35Е10К3(С1СС-Q) -
запросить цену
 ECAD 8927 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший - Сквозное отверстие ТО-220-3 ТК35Е10 - ТО-220 - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ТК35Е10К3С1ССQ EAR99 8541.29.0095 50 - - - - - -
TK31E60X,S1X Toshiba Semiconductor and Storage ТК31Е60С,С1С 5,6700
запросить цену
 ECAD 40 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСИВ-Г Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 ТК31Е60 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 600 В 30,8А (Та) 10 В 88 мОм при 9,4 А, 10 В 3,5 В @ 1,5 мА 65 НК при 10 В ±30 В 3000 пФ при 300 В - 230 Вт (Тс)
2SA1182-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1182-Y,ЛФ 0,3300
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 2SA1182 150 мВт S-Мини скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 30 В 500 мА 100нА (ИКБО) ПНП 250 мВ при 10 мА, 100 мА 120 при 100 мА, 1 В 200 МГц
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.