SIC
close

Транзисторы(2488)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ток-отсечка коллектора (макс.) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
SSM6K204FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K204FE,ЛФ 0,5400
запросить цену
 ECAD 4982 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 ССМ6К204 МОП-транзистор (оксид металла) ES6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 N-канал 20 В 2А (Та) 1,5 В, 4 В 126 мОм при 1 А, 4 В 1 В @ 1 мА 3,4 нк при 10 В ±10 В 195 пФ при 10 В - 500 мВт (Та)
TK11S10N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage ТК11С10Н1Л,LXHQ 0,9700
запросить цену
 ECAD 1392 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСVIII-H Лента и катушка (TR) Активный 175°С Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ТК11С10 МОП-транзистор (оксид металла) ДПАК+ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 2000 г. N-канал 100 В 11А (Та) 4,5 В, 10 В 28 мОм при 5,5 А, 10 В 2,5 В @ 100 мкА 15 нк @ 10 В ±20 В 850 пФ при 10 В - 65 Вт (Тс)
2SA2060(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2060(ТЕ12Л,Ф) 0,6100
запросить цену
 ECAD 827 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-243АА 2SA2060 1 Вт PW-МИНИ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 1000 50 В 2 А 100нА (ИКБО) ПНП 200 мВ при 33 мА, 1 А 200 на 300 мА, 2 В -
TK090A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage ТК090А65З,С4С 4.7900
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСВИ Трубка Активный 150°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТК090А65 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 650 В 30А (Та) 10 В 90 мОм при 15 А, 10 В 4 В при 1,27 мА 47 НК при 10 В ±30 В 2780 пФ при 300 В - 45 Вт (Тс)
2SC3265-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3265-И,ЛФ 0,4400
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 2SC3265 200 мВт ТО-236 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 25 В 800 мА 100нА (ИКБО) НПН 400 мВ при 20 мА, 500 мА 160 при 100 мА, 1 В 120 МГц
SSM3J15FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage ССМ3ДЖ15ФВ,Л3Ф 0,2300
запросить цену
 ECAD 55 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных π-МОСВИ Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-723 SSM3J15 МОП-транзистор (оксид металла) ВЕСМ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 8000 P-канал 30 В 100 мА (Та) 2,5 В, 4 В 12 Ом при 10 мА, 4 В 1,7 В @ 100 мкА ±20 В 9,1 пФ при 3 В - 150 мВт (Та)
2SC5201,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201,Ф(Дж -
запросить цену
 ECAD 5246 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов 2SC5201 900 мВт ТО-92МОД скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 1 600 В 50 мА 1 мкА (ИКБО) НПН 1 В при 500 мА, 20 мА 100 при 20 мА, 5 В -
HN1C01FYTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FYTE85LF 0,3300
запросить цену
 ECAD 3827 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-74, СОТ-457 HN1C01 300мВт СМ6 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50В 150 мА 100нА (ИКБО) 2 НПН (двойной) 250 мВ при 10 мА, 100 мА 120 при 2 мА, 6 В 80 МГц
TPC8408,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8408,LQ(S 0,4700
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) ТПК8408 МОП-транзистор (оксид металла) 450мВт 8-СОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 2500 N и P-канал 40В 6,1 А, 5,3 А 32 мОм при 3,1 А, 10 В 2,3 В @ 100 мкА 24 НК при 10 В 850пФ при 10 В Ворота логического уровня
RN4905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905FE,LF(CT 0,2700
запросить цену
 ECAD 2228 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 РН4905 100мВт ES6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 50В 100 мА 100нА (ИКБО) 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 200 МГц 2,2 кОм 47 кОм
2SK3670(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3670(T6CANO,А,Ф -
запросить цену
 ECAD 5777 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов 2СК3670 ТО-92МОД скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 1 670 мА (ТДж)
RN1106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106,LF(CT 0,2300
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-75, СОТ-416 РН1106 100 мВт ССМ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 100 мА 500нА NPN — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 250 МГц 4,7 кОм 47 кОм
SSM6L807R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L807R,ЛФ 0,5200
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж 6-SMD, плоские выводы SSM6L807 МОП-транзистор (оксид металла) 1,4 Вт (Та) 6-ЦОП-Ф скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 3000 N и P-канал 30В 4А (Та) 39,1 мОм при 2 А, 4,5 В 1 В @ 1 мА 3,2 нк при 4,5 В, 6,74 нк при 4,5 В 310пФ при 15В, 480пФ при 10В Стандартный
2SK2009TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2СК2009ТЭ85ЛФ 0,5600
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 2СК2009 МОП-транзистор (оксид металла) СК-59-3 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 N-канал 30 В 200 мА (Та) 2,5 В 2 Ом при 50 мА, 2,5 В 1,5 В @ 100 мкА ±20 В 70 пФ при 3 В - 200 мВт (Та)
RN2130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage РН2130МФВ,Л3Ф 0,2000
запросить цену
 ECAD 1257 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СОТ-723 РН2130 150 мВт ВЕСМ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 8000 50 В 100 мА 100нА (ИКБО) ПНП — предварительный смещенный 300 мВ при 500 мкА, 5 мА 100 при 10 мА, 5 В 100 кОм 100 кОм
TK7S10N1Z,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage ТК7С10Н1З,LXHQ 0,8900
запросить цену
 ECAD 7428 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСVIII-H Лента и катушка (TR) Активный 175°С Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ТК7С10 МОП-транзистор (оксид металла) ДПАК+ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 2000 г. N-канал 100 В 7А (Та) 10 В 48 мОм при 3,5 А, 10 В 4 В @ 100 мкА 7,1 нк при 10 В ±20 В 470 пФ при 10 В - 50 Вт (Тс)
2SA949-Y(T6SHRP,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y(T6SHRP,FM -
запросить цену
 ECAD 5283 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов 2SA949 800 мВт ТО-92МОД скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 1 150 В 50 мА 100нА (ИКБО) ПНП 800 мВ при 1 мА, 10 А 70 при 10 мА, 5 В 120 МГц
RN4910FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4910FE,LXHF(CT 0,3800
запросить цену
 ECAD 8 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 РН4910 100мВт ES6 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 50В 100 мА 100нА (ИКБО) 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 120 при 1 мА, 5 В 200 МГц, 250 МГц 4,7 кОм -
RN2316,LF Toshiba Semiconductor and Storage РН2316,ЛФ 0,1800
запросить цену
 ECAD 8 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 РН2316 100 мВт СК-70 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 100 мА 500нА ПНП — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 50 при 10 мА, 5 В 200 МГц 4,7 кОм 10 кОм
RN2111CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage РН2111CT(ТПЛ3) -
запросить цену
 ECAD 9861 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший Поверхностный монтаж СК-101, СОТ-883 РН2111 50 мВт КСТ3 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 10 000 20 В 50 мА 100нА (ИКБО) ПНП — предварительный смещенный 150 мВ при 250 мкА, 5 мА 300 при 1 мА, 5 В 10 кОм
RN2902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2902,LXHF(CT 0,4400
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 РН2902 200мВт США6 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50В 100 мА 500нА 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 50 при 10 мА, 5 В 200 МГц 10 кОм 10 кОм
TK2R4E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage ТК2Р4Е08QМ,S1X 3.1800
запросить цену
 ECAD 196 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных U-MOSX-H Трубка Активный 175°С Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 80 В 120А (Тс) 6В, 10В 2,44 мОм при 50 А, 10 В 3,5 В @ 2,2 мА 178 НК при 10 В ±20 В 13000 пФ при 40 В - 300 Вт (Тс)
2SA2215,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2215,ЛФ 0,5000
запросить цену
 ECAD 4593 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-SMD, плоские выводы 2SA2215 500 мВт УФМ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 20 В 2,5 А 100нА (ИКБО) ПНП 190 мВ при 53 мА, 1,6 А 200 при 500 мА, 2 В -
SSM3J15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15FU,ЛФ 0,2500
запросить цену
 ECAD 68 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных π-МОСВИ Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 SSM3J15 МОП-транзистор (оксид металла) УСМ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 P-канал 30 В 100 мА (Та) 2,5 В, 4 В 12 Ом при 10 мА, 4 В 1,7 В @ 100 мкА ±20 В 9,1 пФ при 3 В - 150 мВт (Та)
XPQ1R004PB,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPQ1R004PB,LXHQ 3.0000
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101, U-MOSIX-H Лента и катушка (TR) Активный 175°С Поверхностный монтаж 8-PowerBSFN XPQ1R004 МОП-транзистор (оксид металла) Л-ТОГЛ™ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 1500 N-канал 40 В 200А (Та) 6В, 10В 1 мОм при 100 А, 10 В 3 В @ 500 мкА 84 НК при 10 В ±20 В 6890 пФ при 10 В - 230 Вт (Тс)
SSM6J401TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J401TU,ЛФ 0,4900
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж 6-SMD, плоские выводы SSM6J401 МОП-транзистор (оксид металла) УФ6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 P-канал 30 В 2,5 А (Та) 4В, 10В 73 мОм при 2 А, 10 В 2,6 В при 1 мА 16 нк @ 10 В ±20 В 730 пФ при 15 В - 500 мВт (Та)
2SK3565(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2СК3565(К,М) -
запросить цену
 ECAD 8070 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных π-МОСИВ Масса Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет 2СК3565 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 900 В 5А (Та) 10 В 2,5 Ом при 3 А, 10 В 4 В при 1 мА 28 НК при 10 В ±30 В 1150 пФ при 25 В - 45 Вт (Тс)
TPH2R608NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage ТПХ2Р608НХ,L1Q 1,5400
запросить цену
 ECAD 14 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСVIII-H Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN ТПХ2Р608 МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП Прогресс (5x5) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 5000 N-канал 75 В 150А (Тс) 10 В 2,6 мОм при 50 А, 10 В 4 В при 1 мА 72 НК при 10 В ±20 В 6000 пФ при 37,5 В - 142 Вт (Тс)
HN4K03JUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN4K03JUTE85LF -
запросить цену
 ECAD 2107 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 5-ЦСОП, СК-70-5, СОТ-353 ХН4К03 МОП-транзистор (оксид металла) 5-ССОП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 N-канал 20 В 100 мА (Та) 2,5 В 12 Ом @ 10 мА, 2,5 В - 10 В 8,5 пФ при 3 В - 200 мВт (Та)
2SC5549,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5549,T6F(Дж -
запросить цену
 ECAD 5131 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов 2SC5549 900 мВт ТО-92МОД скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 1 400 В 1 А 100 мкА (ИКБО) НПН 1 В при 25 мА, 200 мА 20 при 40 мА, 5 В -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.