запрос цен
спецификация
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-comComponents.com

Транзисторы(2488)

Номер продукта	Цена (долл. США)	Количество	Доступное количество	Производитель	Ряд	Упаковка	Статус продукта	Рабочая температура	Тип монтажа	Пакет/ключи	Базовый номер продукта	Технология	Мощность - Макс.	Поставщик пакета оборудования	Техническая спецификация	Статус RoHS	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Статус REACH	Другие имена	ECCN	ХТСУС	Стандартный пакет	Конфигурация	Тип полярного транзистора	Прирост	Напряжение стока к источнику (Vdss)	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	ВГС (Макс)	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Особенность левого транзистора	Рассеиваемая мощность (макс.)	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	Ток-отсечка коллектора (макс.)	Тип транзистора	Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	Частота – переход	Резистор — база (R1)	Резистор — база эмиттера (R2)	Коэффициент шума (дБ, тип@f)
ТПХ6Р003НЛ,ЛК	0,9300	запросить цену	2	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII-H	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	ТПХ6Р003	МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП Прогресс (5х5)	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)			EAR99	8541.29.0095	3000		N-канал		30 В	38А (Тц)	4,5 В, 10 В	6 мОм при 19 А, 10 В	2,3 В @ 200 мкА	17 НК при 10 В	±20 В	1400 пФ при 15 В	-	1,6 Вт (Та), 34 Вт (Тс)
РН2305,ЛХХФ	0,3900	запросить цену	6	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-70, СОТ-323	РН2305		100 мВт	СК-70	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)			EAR99	8541.21.0075	3000														50 В	100 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	200 МГц	2,2 кОм	47 кОм
TPCP8401(ТЕ85Л,Ф)	-	запросить цену	5604	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-СМД, плоский вывод	TPCP8401	МОП-транзистор (оксид металла)	1 Вт	ПС-8 (2,9х2,4)	скачать		1 (без блокировки)			EAR99	8541.29.0095	3000	N и P-канал			20В, 12В	100 мА, 5,5 А		3 Ом при 10 мА, 4 В	1,1 В при 100 мкА	-		9,3 пФ при 3 В	Ворота логического уровня
HN1C01FU-GR,LF	0,3400	запросить цену	2	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	125°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	HN1C01		200мВт	США6	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)			EAR99	8541.21.0095	3000														50В	150 мА	100нА (ИКБО)	2 НПН (двойной)	250 мВ при 10 мА, 100 мА	200 при 2 мА, 6 В	80 МГц
2SA1972,T6WNLF(J	-	запросить цену	9783	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов	2SA1972		900 мВт	ТО-92МОД	скачать		1 (без блокировки)			EAR99	8541.21.0095	1														400 В	500 мА	10 мкА (ИКБО)	ПНП	1 В при 10 мА, 100 мА	140 при 20 мА, 5 В	35 МГц
SSM3J332R,ЛФ	0,4500	запросить цену	181	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВИ	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	SOT-23-3 Плоские выводы	SSM3J332	МОП-транзистор (оксид металла)		СОТ-23Ф	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	REACH не касается		EAR99	8541.29.0095	3000		P-канал		30 В	6А (Та)	1,8 В, 10 В	42 мОм при 5 А, 10 В	1,2 В при 1 мА	8,2 НК при 4,5 В	±12 В	560 пФ при 15 В	-	1 Вт (Та)
2SA1837,ТОА1Ф(Дж	-	запросить цену	8224	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	2SA1837		2 Вт	ТО-220НИС	скачать		1 (без блокировки)			EAR99	8541.29.0075	1														230 В	1 А	1 мкА (ИКБО)	ПНП	1,5 В при 50 мА, 500 мА	100 на 100 мА, 5 В	70 МГц
РН2101КТ(ТПЛ3)	-	запросить цену	5357	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший		Поверхностный монтаж	СК-101, СОТ-883	РН2101		50 мВт	КСТ3	скачать		1 (без блокировки)			EAR99	8541.21.0095	10 000														20 В	50 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	150 мВ при 250 мкА, 5 мА	30 @ 10 мА, 5 В		4,7 кОм	4,7 кОм
МТ3С111П(ТЕ12Л,Ф)	0,3863	запросить цену	3458	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-243АА	МТ3С111		1 Вт	PW-МИНИ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)			EAR99	8541.21.0075	1000			10,5 дБ											6В	100 мА		НПН		200 при 30 мА, 5 В	8 ГГц			1,25 дБ @ 1 ГГц
SSM6J825R,ЛФ	0,4400	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	6-SMD, плоские выводы	SSM6J825	МОП-транзистор (оксид металла)		6-ЦОП-Ф	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)			EAR99	8541.29.0095	3000		P-канал		30 В	4А (Та)	4В, 10В	45 мОм при 4 А, 10 В	2 В @ 250 мкА	6,2 НК при 4,5 В	+10 В, -20 В	492 пФ при 10 В	-	1,5 Вт (Та)
ТПХ5200ФНХ,L1Q	2,9500	запросить цену	11	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII-H	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	ТПХ5200	МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП Прогресс (5х5)	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)			EAR99	8541.29.0095	5000		N-канал		250 В	26А (Тс)	10 В	52 мОм при 13 А, 10 В	4 В при 1 мА	22 НК при 10 В	±20 В	2200 пФ при 100 В	-	78 Вт (Тс)
SSM3J35AFS,ЛФ	0,2600	запросить цену	15	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВИИ	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	SSM3J35	МОП-транзистор (оксид металла)		ССМ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)			EAR99	8541.21.0095	3000		P-канал		20 В	250 мА (Та)	1,2 В, 4,5 В	1,4 Ом @ 150 мА, 4,5 В	1 В @ 100 мкА		±10 В	42 пФ при 10 В	-	150 мВт (Та)
ТК750А60Ф,С4С	1,7600	запросить цену	968	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСИКС	Трубка	Активный	150°С	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК750А60	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует ROHS3	Непригодный			EAR99	8541.29.0095	50		N-канал		600 В	10А (Та)	10 В	750 мОм при 5 А, 10 В	4 В при 1 мА	30 НК при 10 В	±30 В	1130 пФ при 300 В	-	40 Вт (Тс)
ТДТА114Y,ЛМ	0,1800	запросить цену	8079	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	ТДТА114		320 мВт	СОТ-23-3	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)			EAR99	8541.21.0075	3000														50 В	100 мА	500нА	ПНП — предварительный смещенный	300 мВ @ 500 мкА, 10 мА	90 при 5 мА, 5 В	250 МГц	10 кОм	10 кОм
РН1109ACT(ТПЛ3)	-	запросить цену	1006	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший		Поверхностный монтаж	СК-101, СОТ-883	РН1109		100 мВт	КСТ3	скачать		1 (без блокировки)			EAR99	8541.21.0095	10 000														50 В	80 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	150 мВ при 250 мкА, 5 мА	70 при 10 мА, 5 В		47 кОм	22 кОм
РН2962ФЭ(ТЕ85Л,Ф)	-	запросить цену	8234	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший		Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	РН2962		100мВт	ES6	-		1 (без блокировки)			EAR99	8541.21.0095	4000														50В	100 мА	100нА (ИКБО)	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	50 при 10 мА, 5 В	200 МГц	10 кОм	1 кОм
РН1406,ЛФ	0,2200	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	РН1406		200 мВт	S-Мини	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)			EAR99	8541.21.0075	3000														50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц	4,7 кОм	47 кОм
RN2911FE,LXHF(CT	0,3800	запросить цену	8	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	РН2911		100мВт	ES6	скачать		1 (без блокировки)			EAR99	8541.21.0095	4000														50В	100 мА	100нА (ИКБО)	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	120 при 1 мА, 5 В	200 МГц	10 кОм	-
ТК8П65В,РК	1,9100	запросить цену	8048	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСИВ	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63		МОП-транзистор (оксид металла)		ДПАК	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)			EAR99	8541.29.0095	2000 г.		N-канал		650 В	7,8 А (Та)	10 В	670 мОм при 3,9 А, 10 В	3,5 В @ 300 мкА	16 НК при 10 В	±30 В	570 пФ при 300 В	-	80 Вт (Тс)
SSM3K59CTB,L3F	0,4200	запросить цену	2492	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVII-H	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	3-СМД, без свинца	ССМ3К59	МОП-транзистор (оксид металла)		CST3B	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)			EAR99	8541.29.0095	10 000		N-канал		40 В	2А (Та)	1,8 В, 8 В	215 мОм при 1 А, 8 В	1,2 В при 1 мА	1,1 нк при 4,2 В	±12 В	130 пФ при 10 В	-	1 Вт (Та)
TPCC8093,L1Q	-	запросить цену	7998	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВИИ	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	TPCC8093	МОП-транзистор (оксид металла)		8-ТСОН Адванс (3,1х3,1)	скачать	Соответствует RoHS			TPCC8093L1Q	EAR99	8541.29.0095	5000		N-канал		20 В	21А (Та)	2,5 В, 4,5 В	5,8 мОм при 10,5 А, 4,5 В	1,2 В @ 500 мкА	16 НК при 5 В	±12 В	1860 пФ при 10 В	-	1,9 Вт (Та), 30 Вт (Тс)
2SC2229-О(Т6МИТ1ФМ	-	запросить цену	3344	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Масса	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов	2SC2229		800 мВт	ТО-92МОД	скачать		1 (без блокировки)		2SC2229OT6MIT1FM	EAR99	8541.21.0075	1														150 В	50 мА	100нА (ИКБО)	НПН	500 мВ при 1 мА, 10 мА	70 при 10 мА, 5 В	120 МГц
ТК90С06Н1Л,ЛК	2.2100	запросить цену	2	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII-H	Лента и катушка (TR)	Активный	175°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	ТК90С06	МОП-транзистор (оксид металла)		ДПАК+	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)			EAR99	8541.29.0095	2000 г.		N-канал		60 В	90А (Та)	4,5 В, 10 В	3,3 мОм при 45 А, 10 В	2,5 В при 500 мкА	81 НК при 10 В	±20 В	5400 пФ при 10 В	-	157 Вт (Тс)
HN1B04FU-Y(T5L,F,T	-	запросить цену	1894 г.	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	125°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	HN1B04		200мВт	США6	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)			EAR99	8541.21.0075	3000														50В	150 мА	100нА (ИКБО)	НПН, ПНП	250 мВ при 10 мА, 100 мА	120 при 2 мА, 6 В	150 МГц
РН4904,ЛФ	0,2800	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	РН4904		200мВт	США6	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)			EAR99	8541.21.0095	3000														50В	100 мА	500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	200 МГц	47 кОм	47 кОм
ТК15С04Н1Л,LXHQ	0,9600	запросить цену	3131	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII-H	Лента и катушка (TR)	Активный	175°С	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	ТК15С04	МОП-транзистор (оксид металла)		ДПАК+	скачать		1 (без блокировки)			EAR99	8541.29.0095	2000 г.		N-канал		40 В	15А (Та)	4,5 В, 10 В	17,8 мОм при 7,5 А, 10 В	2,5 В @ 100 мкА	10 НК при 10 В	±20 В	610 пФ при 10 В	-	46 Вт (Тс)
ТК12А50Э,С5С	-	запросить цену	5246	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Трубка	Устаревший	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК12А50	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)			EAR99	8541.29.0095	50		N-канал		500 В	12А (Та)	10 В	520 мОм при 6 А, 10 В	4 В при 1,2 мА	40 НК при 10 В	±30 В	1300 пФ при 25 В	-	45 Вт (Тс)
TPHR9003NL,L1Q	2.2100	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII-H	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	TPHR9003	МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП Прогресс (5х5)	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)			EAR99	8541.29.0095	5000		N-канал		30 В	60А (Тс)	4,5 В, 10 В	0,9 мОм при 30 А, 10 В	2,3 В при 1 мА	74 НК при 10 В	±20 В	6900 пФ при 15 В	-	1,6 Вт (Та), 78 Вт (Тс)
ТК16А60В5,С4ВС	2,9700	запросить цену	50	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСИВ	Трубка	Активный	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК16А60	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)			EAR99	8541.29.0095	50		N-канал		600 В	15,8 А (Та)	10 В	190 мОм при 7,9 А, 10 В	3,7 В @ 1,5 мА	43 НК при 10 В	±30 В	1350 пФ при 300 В	-	40 Вт (Тс)
2SA1298-И,ЛФ	0,4200	запросить цену	2	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	2SA1298		200 мВт	S-Мини	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)			EAR99	8541.21.0075	3000														25 В	800 мА	100нА (ИКБО)	ПНП	400 мВ при 20 мА, 500 мА	160 при 100 мА, 1 В	120 МГц