Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тип полярного транзистора | Прирост | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | ВГС (Макс) | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Особенность левого транзистора | Рассеиваемая мощность (макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) | Коэффициент шума (дБ, тип@f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TPCA8057-H,LQ(М | - | ![]() | 1274 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | У-МОСVII-H | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-PowerVDFN | TPCA8057 | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-СОП Прогресс (5x5) | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 30 В | 42А (Та) | 4,5 В, 10 В | 2,6 мОм при 21 А, 10 В | 2,3 В при 500 мкА | 61 НК при 10 В | ±20 В | 5200 пФ при 10 В | - | 1,6 Вт (Та), 57 Вт (Тс) | |||||||||||||
![]() | ТК90С06Н1Л,LXHQ | 1,7200 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | У-МОСVIII-H | Лента и катушка (TR) | Активный | 175°С | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТК90С06 | МОП-транзистор (оксид металла) | ДПАК+ | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2000 г. | N-канал | 60 В | 90А (Та) | 4,5 В, 10 В | 3,3 мОм при 45 А, 10 В | 2,5 В при 500 мкА | 81 НК при 10 В | ±20 В | 5400 пФ при 10 В | - | 157 Вт (Тс) | ||||||||||||||
![]() | SSM6J215FE(TE85L,F | 0,4600 | ![]() | 87 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | У-МОСВИ | Лента и катушка (TR) | Активный | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | SSM6J215 | МОП-транзистор (оксид металла) | ES6 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4000 | P-канал | 20 В | 3,4 А (Та) | 1,5 В, 4,5 В | 59 мОм при 3 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 10,4 нк при 4,5 В | ±8 В | 630 пФ при 10 В | - | 500 мВт (Та) | |||||||||||||
![]() | 2СК1829ТЭ85ЛФ | 0,0742 | ![]() | 2046 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СК-70, СОТ-323 | 2СК1829 | МОП-транзистор (оксид металла) | СК-70 | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3000 | N-канал | 20 В | 50 мА (Та) | 2,5 В | 40 Ом при 10 мА, 2,5 В | - | 10 В | 5,5 пФ при 3 В | - | 100 мВт (Та) | ||||||||||||||
![]() | РН1963(ТЕ85Л,Ф) | 0,4700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | РН1963 | 200мВт | США6 | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3000 | 50В | 100 мА | 100нА (ИКБО) | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 70 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 22 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||
![]() | HN2C01FE-GR(T5L,F) | - | ![]() | 1551 г. | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | HN2C01 | 100мВт | ES6 | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4000 | 50В | 150 мА | 100нА (ИКБО) | 2 НПН (двойной) | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | 200 при 2 мА, 6 В | 60 МГц | ||||||||||||||||||
| 2SC3668-Y,T2F(Дж | - | ![]() | 3546 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Масса | Устаревший | 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | СК-71 | 2SC3668 | 1 Вт | МСТМ | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 В | 2 А | 1 мкА (ИКБО) | НПН | 500 мВ при 50 мА, 1 А | 70 при 500 мА, 2 В | 100 МГц | |||||||||||||||||||
![]() | 2SA1020-Y(Ф,М) | - | ![]() | 9152 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Масса | Устаревший | 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | 2SA1020 | 900 мВт | ТО-92МОД | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 В | 2 А | 1 мкА (ИКБО) | ПНП | 500 мВ при 50 мА, 1 А | 70 при 500 мА, 2 В | 100 МГц | ||||||||||||||||||
![]() | XPQR3004PB,LXHQ | 6.7900 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, U-MOSIX-H | Лента и катушка (TR) | Активный | 175°С | Поверхностный монтаж | 8-PowerBSFN | XPQR3004 | МОП-транзистор (оксид металла) | Л-ТОГЛ™ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1500 | N-канал | 40 В | 400А (Та) | 6В, 10В | 0,3 мОм при 200 А, 10 В | 3 В при 1 мА | 295 НК при 10 В | ±20 В | 26910 пФ при 10 В | - | 750 Вт (Тс) | |||||||||||||
![]() | 2СК2266(ТЭ24Р,К) | - | ![]() | 2638 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2СК2266 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220СМ | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1000 | N-канал | 60 В | 45А (Та) | 4В, 10В | 30 мОм при 25 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 60 НК при 10 В | ±20 В | 1800 пФ при 10 В | - | 65 Вт (Тс) | ||||||||||||||
![]() | RN1104,LXHF(CT | 0,3300 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СК-75, СОТ-416 | РН1104 | 100 мВт | ССМ | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3000 | 50 В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 80 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||
![]() | РН1406,ЛХХФ | 0,0645 | ![]() | 7373 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | РН1406 | 200 мВт | S-Мини | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3000 | 50 В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 80 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 4,7 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||
![]() | HN1C01FE-Y,LF | 0,3000 | ![]() | 9838 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | HN1C01 | 100мВт | ES6 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4000 | 50В | 150 мА | 100нА (ИКБО) | 2 НПН (двойной) | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | 120 при 2 мА, 6 В | 80 МГц | |||||||||||||||||
![]() | 2SC5087YTE85LF | - | ![]() | 9624 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 125°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СК-61АА | 2SC5087 | 150 мВт | SMQ | - | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3000 | 13 дБ | 12 В | 80 мА | НПН | 120 при 20 мА, 10 В | 7 ГГц | 1,1 дБ @ 1 ГГц | |||||||||||||||||
![]() | 2SA1680,T6SCMDF(J | - | ![]() | 3084 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Масса | Устаревший | 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | 2SA1680 | 900 мВт | ТО-92МОД | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 В | 2 А | 1 мкА (ИКБО) | ПНП | 500 мВ при 50 мА, 1 А | 120 @ 100 мА, 2 В | 100 МГц | ||||||||||||||||||
![]() | ТПХ1Р306П1,Л1К | 2,4900 | ![]() | 3131 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | У-MOSIX-H | Лента и катушка (TR) | Активный | 175°С | Поверхностный монтаж | 8-PowerVDFN | ТПХ1Р306 | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-СОП Прогресс (5x5) | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5000 | N-канал | 60 В | 100А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 1,28 мОм при 50 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 91 НК при 10 В | ±20 В | 8100 пФ при 30 В | - | 960 мВт (Та), 170 Вт (Тс) | ||||||||||||||
![]() | ТК155У65З,РК | 3.4000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | ДТМОСВИ | Лента и катушка (TR) | Активный | 150°С | Поверхностный монтаж | 8-PowerSFN | МОП-транзистор (оксид металла) | ПОТЕРИ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2000 г. | N-канал | 650 В | 18А (Та) | 10 В | 155 мОм при 9 А, 10 В | 4 В @ 730 мкА | 29 НК при 10 В | ±30 В | 1635 пФ при 300 В | - | 150 Вт (Тс) | ||||||||||||||
![]() | SSM3J14TTE85LF | - | ![]() | 8348 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | У-МОСИИ | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | SSM3J14 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТСМ | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3000 | P-канал | 30 В | 2,7 А (Та) | 4В, 10В | 85 мОм при 1,35 А, 10 В | - | ±20 В | 413 пФ при 15 В | - | 700 мВт (Та) | |||||||||||||||
![]() | РН1408,ЛФ | 0,1900 | ![]() | 3234 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | РН1408 | 200 мВт | S-Мини | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3000 | 50 В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительный смещенный | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 80 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 22 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||
![]() | РН4611(ТЕ85Л,Ф) | 0,0865 | ![]() | 3988 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СК-74, СОТ-457 | РН4611 | 300мВт | СМ6 | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3000 | 50В | 100 мА | 100нА (ИКБО) | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 120 при 1 мА, 5 В | 200 МГц | 10 кОм | - | ||||||||||||||||
![]() | МТ3С20П(ТЕ12Л,Ф) | - | ![]() | 2879 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-243АА | МТ3С20 | 1,8 Вт | PW-МИНИ | - | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1000 | 16,5 дБ | 12 В | 80 мА | НПН | 100 при 50 мА, 5 В | 7 ГГц | 1,45 дБ @ 1 ГГц | |||||||||||||||||
![]() | 2SA1832-ГР,ЛСХФ | 0,3900 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | - | Поверхностный монтаж | СК-75, СОТ-416 | 120 мВт | ССМ | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3000 | 50 В | 150 мА | 100нА (ИКБО) | ПНП | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | 200 при 2 мА, 6 В | 80 МГц | |||||||||||||||||||
![]() | ТК4Р3А06ПЛ,С4С | 1,3300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | У-MOSIX-H | Трубка | Активный | 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет | ТК4Р3А06 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220СИС | скачать | Соответствует ROHS3 | Непригодный | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-канал | 60 В | 68А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 7,2 мОм при 15 А, 4,5 В | 2,5 В при 500 мкА | 48,2 НК при 10 В | ±20 В | 3280 пФ при 30 В | - | 36 Вт (Тс) | |||||||||||||
![]() | 2SB1457(Т6СНО,А,Ф) | - | ![]() | 2426 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Масса | Устаревший | 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | 2СБ1457 | 900 мВт | ТО-92МОД | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 100 В | 2 А | 10 мкА (ИКБО) | ПНП | 1,5 В при 1 мА, 1 А | 2000 @ 1А, 2В | 50 МГц | ||||||||||||||||||
![]() | XPH4R10ANB,L1XHQ | 2.2600 | ![]() | 34 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | У-МОСVIII-H | Лента и катушка (TR) | Активный | 175°С | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,197 дюйма, 5,00 мм) | XPH4R10 | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-СОП Прогресс (5x5) | - | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5000 | N-канал | 100 В | 70А (Та) | 6В, 10В | 4,1 мОм при 35 А, 10 В | 3,5 В @ 1 мА | 75 НК при 10 В | ±20 В | 4970 пФ при 10 В | - | 960 мВт (Та), 170 Вт (Тс) | ||||||||||||||
| ТТС004Б,К | 0,5300 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Масса | Активный | 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-225АА, ТО-126-3 | ТТС004 | 10 Вт | ТО-126Н | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | 160 В | 1,5 А | 100нА (ИКБО) | НПН | 500 мВ при 50 мА, 500 мА | 140 при 100 мА, 5 В | 100 МГц | ||||||||||||||||||
![]() | 2SD1407A-Y(Ф) | - | ![]() | 9090 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Трубка | Устаревший | 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет | 2SD1407 | 30 Вт | ТО-220НИС | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 В | 5 А | 100 мкА (ИКБО) | НПН | 2 В при 400 мА, 4 А | 120 @ 1А, 5В | 12 МГц | ||||||||||||||||||
![]() | TPWR7904PB,L1XHQ | 2,9900 | ![]() | 40 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | У-MOSIX-H | Лента и катушка (TR) | Активный | 175°С | Поверхностный монтаж | 8-PowerVDFN | ТПВР7904 | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-ДСОП Прогресс | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5000 | N-канал | 40 В | 150А (Та) | 6В, 10В | 0,79 мОм при 75 А, 10 В | 3 В при 1 мА | 85 НК при 10 В | ±20 В | 6650 пФ при 10 В | - | 960 мВт (Та), 170 Вт (Тс) | ||||||||||||||
![]() | 2SA1931,NETQ(М | - | ![]() | 6462 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Масса | Устаревший | 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет | 2СА1931 | 2 Вт | ТО-220НИС | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 В | 5 А | 1 мкА (ИКБО) | ПНП | 400 мВ при 200 мА, 2 А | 100 @ 1А, 1В | 60 МГц | ||||||||||||||||||
![]() | RN1911FETE85LF | - | ![]() | 8032 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | РН1911 | 100мВт | ES6 | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4000 | 50В | 100 мА | 100нА (ИКБО) | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 120 при 1 мА, 5 В | 250 МГц | 10 кОм | - |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)