SIC
close

Транзисторы(2488)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) Напряжение – отсечка (VGS выключена) @ Id Ток-отсечка коллектора (макс.) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
HN2A01FE-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage HN2A01FE-Y(TE85L,F -
запросить цену
 ECAD 4533 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 ХН2А01 100мВт ES6 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 50В 150 мА 100нА (ИКБО) 2 ПНП (двойной) 300 мВ при 10 мА, 100 мА 120 при 2 мА, 6 В 80 МГц
RN4985FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985FE,LXHF(CT 0,3800
запросить цену
 ECAD 7 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 RN4985 100мВт ES6 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 50В 100 мА 500нА 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 250 МГц, 200 МГц 2,2 кОм 47 кОм
RN1115,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1115,LXHF(CT 0,3300
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-75, СОТ-416 РН1115 100 мВт ССМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50 В 100 мА 500нА NPN — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 50 при 10 мА, 5 В 250 МГц 2,2 кОм 10 кОм
RN1905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1905,LF(CT 0,2800
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 РН1905 200мВт США6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50В 100 мА 500нА 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 250 МГц 2,2 кОм 47 кОм
2SA1837(LBSAN,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837(ЛБСАН,Ф,М) -
запросить цену
 ECAD 2923 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет 2SA1837 2 Вт ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0075 1 230 В 1 А 1 мкА (ИКБО) ПНП 1,5 В при 50 мА, 500 мА 100 на 100 мА, 5 В 70 МГц
RN1106ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage РН1106АКТ(ТПЛ3) -
запросить цену
 ECAD 1344 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший Поверхностный монтаж СК-101, СОТ-883 РН1106 100 мВт КСТ3 - 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 10 000 50 В 80 мА 500нА NPN — предварительный смещенный 150 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 4,7 кОм 47 кОм
RN4984FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984FE,LXHF(CT 0,3800
запросить цену
 ECAD 7 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 RN4984 100мВт ES6 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 50В 100 мА 500нА 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 250 МГц, 200 МГц 47 кОм 47 кОм
RN2101MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101MFV,L3F(CT 0,1800
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СОТ-723 РН2101 150 мВт ВЕСМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 8000 50 В 100 мА 500нА ПНП — предварительный смещенный 300 мВ при 500 мкА, 5 мА 30 при 10 мА, 5 В 250 МГц 4,7 кОм 4,7 кОм
RN4990(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage РН4990(Т5Л,Ф,Т) -
запросить цену
 ECAD 4976 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 РН4990 200мВт США6 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50В 100 мА 100 мкА (ИКБО) 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 120 при 1 мА, 5 В 250 МГц, 200 МГц 4,7 кОм -
TBC857B,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBC857B,ЛМ 0,1600
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 ТВС857 320 мВт СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50 В 150 мА 30нА (ИКБО) ПНП 650 мВ при 100 мА, 5 мА 210 @ 2 мА, 5 В 80 МГц
2SA1162-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-О,ЛФ 0,1700
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 2SA1162 150 мВт S-Мини скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50 В 150 мА 100нА (ИКБО) ПНП 300 мВ при 10 мА, 100 мА 200 при 2 мА, 6 В 80 МГц
2SC2713-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2713-БЛ,ЛФ 0,3100
запросить цену
 ECAD 17 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 2SC2713 150 мВт ТО-236 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 120 В 100 мА 100нА (ИКБО) НПН 300 мВ при 1 мА, 10 мА 350 при 2 мА, 6 В 100 МГц
RN2132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage РН2132МФВ,Л3Ф 0,1800
запросить цену
 ECAD 7 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СОТ-723 РН2132 150 мВт ВЕСМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 8000 50 В 100 мА 100нА (ИКБО) ПНП — предварительный смещенный 300 мВ при 500 мкА, 5 мА 120 при 1 мА, 5 В 200 кОм
RN1401,LF Toshiba Semiconductor and Storage РН1401,ЛФ 0,2200
запросить цену
 ECAD 19 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 РН1401 200 мВт S-Мини скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 100 мА 500нА NPN — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 30 при 10 мА, 5 В 250 МГц 4,7 кОм 4,7 кОм
TK6A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage ТК6А60Д(СТА4,К,М) -
запросить цену
 ECAD 7254 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных π-МОСVII Трубка Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТК6А60 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ТК6А60ДСТА4QМ EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 600 В 6А (Та) 10 В 1,25 Ом при 3 А, 10 В 4 В при 1 мА 16 НК при 10 В ±30 В 800 пФ при 25 В - 40 Вт (Тс)
RN1901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FE,LXHF(CT 0,3800
запросить цену
 ECAD 8 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 РН1901 100мВт ES6 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 50В 100 мА 500нА 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 30 при 10 мА, 5 В 250 МГц 4,7 кОм 4,7 кОм
TW027Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage ТВ027З65К,С1Ф 20.2700
запросить цену
 ECAD 120 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный 175°С Сквозное отверстие ТО-247-4 SiC (карбидокремниевый переходной транзистор) ТО-247-4Л(Х) - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 30 N-канал 650 В 58А (Тс) 18В 38 мОм при 29 А, 18 В 5 В при 3 мА 65 НК при 18 В +25В, -10В 2288 пФ при 400 В - 156 Вт (Тс)
SSM6N37FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N37FE,ЛМ 0,3500
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 ССМ6Н37 МОП-транзистор (оксид металла) 150 мВт ES6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 2 N-канала (двойной) 20 В 250 мА 2,2 Ом при 100 мА, 4,5 В 1 В @ 1 мА - 12пФ @ 10В Ворота логического уровня
RN1961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage РН1961(ТЕ85Л,Ф) 0,4600
запросить цену
 ECAD 35 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший Поверхностный монтаж 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 РН1961 200мВт США6 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50В 100 мА 100нА (ИКБО) 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 30 при 10 мА, 5 В 250 МГц 4,7 кОм 4,7 кОм
ULN2803APG,CN Toshiba Semiconductor and Storage ULN2803APG,CN -
запросить цену
 ECAD 1735 г. 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Сквозное отверстие 18-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ULN2803 1,47 Вт 18-ДИП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0075 800 50В 500 мА - 8 НПН Дарлингтон 1,6 В @ 500 мкА, 350 мА 1000 при 350 мА, 2 В -
RN1708,LF Toshiba Semiconductor and Storage РН1708,ЛФ 0,3000
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 РН1708 200мВт УСВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50В 100 мА 500нА 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 250 МГц 22 кОм 47 кОм
TK12A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage ТК12А60Д(СТА4,К,М) 3.0200
запросить цену
 ECAD 45 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных π-МОСVII Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТК12А60 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 600 В 12А (Та) 10 В 550 мОм при 6 А, 10 В 4 В при 1 мА 38 НК при 10 В ±30 В 1800 пФ при 25 В - 45 Вт (Тс)
2SK2962(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962(T6CANO,Ф,М -
запросить цену
 ECAD 2604 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов 2СК2962 ТО-92МОД скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 1 1А (Тдж)
RN2902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2902FE,LXHF(CT 0,3800
запросить цену
 ECAD 7 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 РН2902 100мВт ES6 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 50В 100 мА 500нА 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 50 при 10 мА, 5 В 200 МГц 10 кОм 10 кОм
2SK2145-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2СК2145-И(ТЭ85Л,Ф) 0,6800
запросить цену
 ECAD 26 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 2СК2145 300 мВт СМВ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 2 N-канала (двойной) 13пФ при 10В 1,2 мА при 10 В 200 мВ при 100 нА
TDTA143E,LM Toshiba Semiconductor and Storage ТДТА143Е,ЛМ 0,1800
запросить цену
 ECAD 7152 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 ТДТА143 320 мВт СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 100 мА 500нА ПНП — предварительный смещенный 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА 30 при 10 мА, 5 В 250 МГц 4,7 кОм
SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage ССМ6Н62ТУ,ЛФ 0,4200
запросить цену
 ECAD 12 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж 6-SMD, плоские выводы ССМ6Н62 МОП-транзистор (оксид металла) 500 мВт (Та) УФ6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 2 N-канала (двойной) 20 В 800 мА (Та) 85 мОм при 800 мА, 4,5 В 1 В @ 1 мА 2 НК при 4,5 В 177пФ при 10 В Ворота логического уровня, привод 1,2 В
2SC4117-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4117-БЛ,ЛФ 0,2300
запросить цену
 ECAD 52 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 2SC4117 100 мВт СК-70 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 120 В 100 мА 100нА (ИКБО) НПН 300 мВ при 1 мА, 10 мА 200 при 2 мА, 6 В 100 МГц
TK12A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage ТК12А80В,С4С 3.1200
запросить цену
 ECAD 4351 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСИВ Трубка Активный 150°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТК12А80 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать Соответствует ROHS3 Непригодный EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 800 В 11,5 А (Та) 10 В 450 мОм при 5,8 А, 10 В 4 В при 570 мкА 23 НК при 10 В ±20 В 1400 пФ при 300 В - 45 Вт (Тс)
SSM6N36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage ССМ6Н36ФЭ,ЛМ 0,4300
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 ССМ6Н36 МОП-транзистор (оксид металла) 150 мВт ES6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 2 N-канала (двойной) 20 В 500 мА 630 мОм при 200 мА, 5 В 1 В @ 1 мА 1,23 НК при 4 В 46пФ при 10 В Ворота логического уровня
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.