SIC
close

Транзисторы(2488)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ток-отсечка коллектора (макс.) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
RN2106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106,LF(CT 0,2000
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-75, СОТ-416 РН2106 100 мВт ССМ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 100 мА 500нА ПНП — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 200 МГц 4,7 кОм 47 кОм
RN4902FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4902FE(TE85L,Ф) -
запросить цену
 ECAD 4313 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 РН4902 100мВт ES6 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 50В 100 мА 100нА (ИКБО) 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 50 при 10 мА, 5 В 200 МГц 10 кОм 10 кОм
2SC4793,YHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793,YHF(М -
запросить цену
 ECAD 9650 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет 2SC4793 2 Вт ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0075 1 230 В 1 А 1 мкА (ИКБО) НПН 1,5 В при 50 мА, 500 мА 100 на 100 мА, 5 В 100 МГц
2SC2235-Y(6MBH1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-И(6МБХ1,АФ -
запросить цену
 ECAD 8417 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов 2SC2235 900 мВт ТО-92МОД скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 1 120 В 800 мА 100нА (ИКБО) НПН 1 В при 50 мА, 500 мА 80 при 100 мА, 5 В 120 МГц
2SJ438(CANO,A,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438(КАНО,А,К) -
запросить цену
 ECAD 6374 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет 2SJ438 ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 1 5А (Тдж)
TK20A25D,S5Q(M Toshiba Semiconductor and Storage ТК20А25Д,С5К(М -
запросить цену
 ECAD 8354 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных π-МОСVII Трубка Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТК20А25 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 250 В 20А (Та) 10 В 100 мОм при 10 А, 10 В 3,5 В @ 1 мА 55 НК при 10 В ±20 В 2550 пФ при 100 В - 45 Вт (Тс)
2SC2655-O(ND2,AF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-О(НД2,АФ) -
запросить цену
 ECAD 9458 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов 2SC2655 900 мВт ТО-92МОД скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 1 50 В 2 А 1 мкА (ИКБО) НПН 500 мВ при 50 мА, 1 А 70 при 500 мА, 2 В 100 МГц
2SA2154CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154CT-Y(ТПЛ3) -
запросить цену
 ECAD 5156 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-101, СОТ-883 2SA2154 100 мВт КСТ3 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 10 000 50 В 100 мА 100нА (ИКБО) ПНП 300 мВ при 10 мА, 100 мА 120 при 2 мА, 6 В 80 МГц
TPH1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage ТПХ1500CNH,L1Q 1,9800
запросить цену
 ECAD 7 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСVIII-H Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN ТПХ1500 МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП Прогресс (5х5) скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 5000 N-канал 150 В 38А (Тц) 10 В 15,4 мОм при 19 А, 10 В 4 В @ 1 мА 22 НК при 10 В ±20 В 2200 пФ при 75 В - 1,6 Вт (Та), 78 Вт (Тс)
TPC8221-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8221-H,LQ(S -
запросить цену
 ECAD 1370 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) ТПК8221 МОП-транзистор (оксид металла) 450мВт 8-СОП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 2500 2 N-канала (двойной) 30 В 6А 25 мОм при 3 А, 10 В 2,3 В @ 100 мкА 12 НК при 10 В 830пФ при 10 В -
TK6Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage ТК6К65В,С1К 1.4000
запросить цену
 ECAD 8899 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСИВ Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-251-3 Заглушки, ИПак ТК6Q65 МОП-транзистор (оксид металла) Ай-Пак скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 75 N-канал 650 В 5,8 А (Та) 10 В 1,05 Ом при 2,9 А, 10 В 3,5 В при 180 мкА 11 нк @ 10 В ±30 В 390 пФ при 300 В - 60 Вт (Тс)
2SC2655-Y(T6CANOFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y(T6CANOFM -
запросить цену
 ECAD 8697 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов 2SC2655 900 мВт ТО-92МОД скачать 1 (без блокировки) 2SC2655YT6CANOFM EAR99 8541.21.0075 1 50 В 2 А 1 мкА (ИКБО) НПН 500 мВ при 50 мА, 1 А 70 при 500 мА, 2 В 100 МГц
TPCA8045-H(T2L1,VM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8045-H(T2L1,ВМ -
запросить цену
 ECAD 3369 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСВИ-Х Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN TPCA8045 МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП Прогресс (5х5) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 5000 N-канал 40 В 46А (Та) 4,5 В, 10 В 3,6 мОм при 23 А, 10 В 2,3 В при 1 мА 90 НК при 10 В ±20 В 7540 пФ при 10 В - 1,6 Вт (Та), 45 Вт (Тс)
TPN11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage ТПН11003НЛ,ЛК 0,6800
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСVIII-H Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN ТПН11003 МОП-транзистор (оксид металла) 8-ТСОН Адванс (3,1х3,1) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 В 11А (Тс) 4,5 В, 10 В 11 мОм при 5,5 А, 10 В 2,3 В @ 100 мкА 7,5 НК при 10 В ±20 В 660 пФ при 15 В - 700 мВт (Та), 19 Вт (Тс)
2SK2962,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962,T6F(Дж -
запросить цену
 ECAD 4247 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов 2СК2962 ТО-92МОД скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 1 1А (Тдж)
RN2422TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage РН2422ТЕ85ЛФ 0,4200
запросить цену
 ECAD 4270 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 РН2422 200 мВт S-Мини скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 800 мА 500нА ПНП — предварительный смещенный 250 мВ при 1 мА, 50 мА 65 при 100 мА, 1 В 200 МГц 2,2 кОм 2,2 кОм
TPH6400ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage ТПХ6400ЕНХ,L1Q 1,7300
запросить цену
 ECAD 19 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСVIII-H Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN ТПХ6400 МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП Прогресс (5х5) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 5000 N-канал 200 В 13А (Та) 10 В 64 мОм при 6,5 А, 10 В 4 В при 300 мкА 11,2 НК при 10 В ±20 В 1100 пФ при 100 В - 1,6 Вт (Та), 57 Вт (Тс)
TK14A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage ТК14А65В5,С5С 2,8900
запросить цену
 ECAD 4496 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСИВ Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТК14А65 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 650 В 13,7 А (Та) 10 В 300 мОм при 6,9 А, 10 В 4,5 В при 690 мкА 40 НК при 10 В ±30 В 1300 пФ при 300 В - 40 Вт (Тс)
RN2605(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage РН2605(ТЕ85Л,Ф) 0,4700
запросить цену
 ECAD 12 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-74, СОТ-457 РН2605 300мВт СМ6 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50В 100 мА 100нА (ИКБО) 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 200 МГц 2,2 кОм 47 кОм
TK1K2A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage ТК1К2А60Ф,С4С 1.0400
запросить цену
 ECAD 40 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСИКС Трубка Активный 150°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТК1К2А60 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать Соответствует ROHS3 Непригодный EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 600 В 6А (Та) 10 В 1,2 Ом при 3 А, 10 В 4 В @ 630 мкА 21 НК при 10 В ±30 В 740 пФ при 300 В - 35 Вт (Тс)
TW015N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage ТВ015Н120К,С1Ф 68.0400
запросить цену
 ECAD 2613 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный 175°С Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 30 N-канал 1200 В 100А (Тс) 18В 20 мОм при 50 А, 18 В 5 В @ 11,7 мА 158 НК при 18 В +25В, -10В 6000 пФ при 800 В - 431 Вт (Тс)
SSM3K35MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage ССМ3К35МФВ(ТПЛ3) -
запросить цену
 ECAD 8872 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных π-МОСВИ Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-723 ССМ3К35 МОП-транзистор (оксид металла) ВЕСМ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 8000 N-канал 20 В 180 мА (Та) 1,2 В, 4 В 3 Ом при 50 мА, 4 В 1 В @ 1 мА ±10 В 9,5 пФ при 3 В - 150 мВт (Та)
RN1309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage РН1309(ТЕ85Л,Ф) 0,2700
запросить цену
 ECAD 895 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 РН1309 100 мВт СК-70 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 100 мА 500нА NPN — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 70 при 10 мА, 5 В 250 МГц 47 кОм 22 кОм
TK6A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage ТК6А80Е,С4С 1,8900
запросить цену
 ECAD 15 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных π-МОСVIII Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТК6А80 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 800 В 6А (Та) 10 В 1,7 Ом при 3 А, 10 В 4 В @ 600 мкА 32 НК при 10 В ±30 В 1350 пФ при 25 В - 45 Вт (Тс)
2SC3665-Y,T2NSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2СК3665-И,Т2НСФ(Дж -
запросить цену
 ECAD 3531 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие СК-71 2SC3665 1 Вт МСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0075 1 120 В 800 мА 100нА (ИКБО) НПН 1 В при 50 мА, 500 мА 80 при 100 мА, 5 В 120 МГц
TPCA8A02-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8A02-H(TE12LQM -
запросить цену
 ECAD 8734 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСВ-Х Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN TPCA8A02 МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП Прогресс (5х5) скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 В 34А (Та) 4,5 В, 10 В 5,3 мОм при 17 А, 10 В 2,3 В при 1 мА 36 НК при 10 В ±20 В 3430 пФ при 10 В - 1,6 Вт (Та), 45 Вт (Тс)
TK290P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage ТК290П60И,РК 1,7400
запросить цену
 ECAD 1946 год 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСВ Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ТК290П60 МОП-транзистор (оксид металла) ДПАК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 2000 г. N-канал 600 В 11,5 А (Тс) 10 В 290 мОм при 5,8 А, 10 В 4 В @ 450 мкА 25 НК при 10 В ±30 В 730 пФ при 300 В - 100 Вт (Тс)
2SA1244-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1244-Y(К) -
запросить цену
 ECAD 1152 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА 2SA1244 1 Вт PW-МОЛД - 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0075 200 50 В 5 А 1 мкА (ИКБО) ПНП 400 мВ при 150 мА, 3 А 120 @ 1А, 1В 60 МГц
SSM6P816R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P816R,ЛФ 0,4900
запросить цену
 ECAD 5 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж 6-SMD, плоские выводы ССМ6П816 МОП-транзистор (оксид металла) 1,4 Вт (Та) 6-ЦОП-Ф скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 3000 2 P-канала (двойной) 20 В 6А (Та) 30,1 мОм при 4 А, 4,5 В 1 В @ 1 мА 16,6 НК при 4,5 В 1030пФ при 10В Ворота логического уровня, привод 1,8 В
SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ССМ6П15ФЭ(ТЕ85Л,Ф) 0,4200
запросить цену
 ECAD 7 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 ССМ6П15 МОП-транзистор (оксид металла) 150 мВт ES6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 2 P-канала (двойной) 30 В 100 мА 12 Ом при 10 мА, 4 В 1,7 В @ 100 мкА - 9,1 пФ при 3 В Ворота логического уровня
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.