SIC
close

Транзисторы(2488)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Тип входа Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Условия испытаний Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Тип БТИЗ Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ток-коллекторный импульсный (Icm) Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic Переключение энергии Td (вкл/выкл) при 25°C Ток-отсечка коллектора (макс.) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
TK40E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage ТК40Е10Н1,С1Х 1,9900
запросить цену
 ECAD 3520 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСVIII-H Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 ТК40Е10 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 100 В 90А (Тс) 10 В 8,2 мОм при 20 А, 10 В 4 В @ 500 мкА 49 НК при 10 В ±20 В 3000 пФ при 50 В - 126 Вт (Тс)
RN2313,LF Toshiba Semiconductor and Storage РН2313,ЛФ 0,1800
запросить цену
 ECAD 4580 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 РН2313 100 мВт СК-70 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 100 мА 100нА (ИКБО) ПНП — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 120 при 1 мА, 5 В 200 МГц 47 кОм
2SA2154CT-GR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154CT-GR,L3F 0,3200
запросить цену
 ECAD 5 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-101, СОТ-883 2SA2154 100 мВт КСТ3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 10 000 50 В 100 мА 100нА (ИКБО) ПНП 300 мВ при 10 мА, 100 мА 200 при 2 мА, 6 В 80 МГц
2SK2544(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2СК2544(Ф) -
запросить цену
 ECAD 7521 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 2СК2544 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220АБ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 600 В 6А (Та) 10 В 1,25 Ом при 3 А, 10 В 4 В @ 1 мА 30 НК при 10 В ±30 В 1300 пФ при 10 В - 80 Вт (Тс)
SSM6K518NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage ССМ6К518НУ,ЛФ 0,4100
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж 6-WDFN Открытая площадка ССМ6К518 МОП-транзистор (оксид металла) 6-УДФНБ (2х2) - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 20 В 6А (Та) 1,5 В, 4,5 В 33 мОм при 4 А, 4,5 В 1 В @ 1 мА 3,6 нк @ 4,5 В ±8 В 410 пФ при 10 В - 1,25 Вт (Та)
SSM6N7002KFU,LXH Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002KFU,LXH 0,3800
запросить цену
 ECAD 8 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101, U-MOSVII-H Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 SSM6N7002 МОП-транзистор (оксид металла) 285 мВт (Та) США6 скачать 1 (без блокировки) 264-SSM6N7002KFULXHCT EAR99 8541.21.0095 3000 2 N-канала (двойной) 60В 300 мА (Та) 1,5 Ом при 100 мА, 10 В 2,1 В при 250 мкА 0,6 нк при 4,5 В 40пФ при 10В -
XPW6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPW6R30ANB,L1XHQ 1,9800
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСVIII-H Лента и катушка (TR) Активный 175°С Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN XPW6R30 МОП-транзистор (оксид металла) 8-ДСОП Прогресс скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 5000 N-канал 100 В 45А (Та) 6В, 10В 6,3 мОм при 22,5 А, 10 В 3,5 В при 500 мкА 52 НК при 10 В ±20 В 3240 пФ при 10 В - 960 мВт (Та), 132 Вт (Тс)
TK1R4F04PB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage ТК1Р4Ф04ПБ,LXGQ 2.7300
запросить цену
 ECAD 885 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-MOSIX-H Лента и катушка (TR) Активный 175°С Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ ТК1Р4Ф04 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СМ(Вт) скачать 3 (168 часов) EAR99 8541.29.0095 1000 N-канал 40 В 160А (Та) 6В, 10В 1,9 мОм при 80 А, 6 В 3 В @ 500 мкА 103 НК при 10 В ±20 В 5500 пФ при 10 В - 205 Вт (Тс)
TK72A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage ТК72А12Н1,С4С 3.0100
запросить цену
 ECAD 20 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСVIII-H Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТК72А12 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 120 В 72А (Тс) 10 В 4,5 мОм при 36 А, 10 В 4 В @ 1 мА 130 НК при 10 В ±20 В 8100 пФ при 60 В - 45 Вт (Тс)
RN2109,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2109,LF(CT 0,2000
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-75, СОТ-416 РН2109 100 мВт ССМ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 100 мА 500нА ПНП — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 70 при 10 мА, 5 В 200 МГц 47 кОм 22 кОм
TK16N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage ТК16Н60В,С1ВФ 4.1900
запросить цену
 ECAD 7281 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСИВ Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 ТК16Н60 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-247 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 30 N-канал 600 В 15,8 А (Та) 10 В 190 мОм при 7,9 А, 10 В 3,7 В @ 790 мкА 38 НК при 10 В ±30 В 1350 пФ при 300 В - 130 Вт (Тс)
TK7A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage ТК7А60В,С4ВС 1,9200
запросить цену
 ECAD 1040 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСИВ Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТК7А60 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 600 В 7А (Та) 10 В 600 мОм при 3,5 А, 10 В 3,7 В при 350 мкА 15 нк @ 10 В ±30 В 490 пФ при 300 В - 30 Вт (Тс)
TPN1200APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage ТПН1200АПЛ,L1Q 0,8500
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-MOSIX-H Лента и катушка (TR) Активный 175°С Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN МОП-транзистор (оксид металла) 8-ТСОН Адванс (3,1х3,1) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 5000 N-канал 100 В 40А (Тс) 4,5 В, 10 В 11,5 мОм при 20 А, 10 В 2,5 В при 300 мкА 24 НК при 10 В ±20 В 1855 пФ при 50 В - 630 мВт (Та), 104 Вт (Тс)
2SA2154MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFVGR,L3F 0,1900
запросить цену
 ECAD 7 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-723 2SA2154 150 мВт ВЕСМ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 8000 50 В 150 мА 100нА (ИКБО) ПНП 300 мВ при 10 мА, 100 мА 200 при 2 мА, 6 В 80 МГц
SSM6P35FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ССМ6П35ФЭ(ТЕ85Л,Ф) 0,4400
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 ССМ6П35 МОП-транзистор (оксид металла) 150 мВт ES6 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 2 P-канала (двойной) 20 В 100 мА 8 Ом при 50 мА, 4 В 1 В @ 1 мА - 12,2 пФ при 3 В Ворота логического уровня
GT50JR21(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage GT50JR21(STA1,E,S) 4.7900
запросить цену
 ECAD 6501 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-3П-3, СК-65-3 Стандартный 230 Вт ТО-3П(Н) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 264-GT50JR21(STA1ES) EAR99 8541.29.0095 25 - - 600 В 50 А 100 А 2В @ 15В, 50А - -
TK5P53D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage ТК5П53Д(Т6РСС-Q) 1,3400
запросить цену
 ECAD 4199 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ТК5П53 МОП-транзистор (оксид металла) Д-Пак скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 2000 г. N-канал 525 В 5А (Та) 10 В 1,5 Ом @ 2,5 А, 10 В 4,4 В при 1 мА 11 нк @ 10 В ±30 В 540 пФ при 25 В - 80 Вт (Тс)
SSM3J16FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J16FU(TE85L,Ф) 0,3700
запросить цену
 ECAD 9188 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 МОП-транзистор (оксид металла) УСМ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 P-канал 20 В 100 мА (Та) 1,5 В, 4 В 8 Ом @ 10 мА, 4 В 1,1 В при 100 мкА ±10 В 11 пФ при 3 В - 150 мВт (Та)
RN2113MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage РН2113МФВ,Л3Ф 0,1800
запросить цену
 ECAD 8 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СОТ-723 РН2113 150 мВт ВЕСМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 8000 50 В 100 мА 100нА (ИКБО) ПНП — предварительный смещенный 300 мВ @ 500 мкА, 5 мА 120 при 1 мА, 5 В 47 кОм
TK560A60Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage ТК560А60И,С4С 1,5300
запросить цену
 ECAD 1059 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСВ Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТК560А60 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать Соответствует ROHS3 Непригодный EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 600 В 7А (Тс) 10 В 560 мОм при 3,5 А, 10 В 4 В @ 240 мкА 14,5 НК при 10 В ±30 В 380 пФ при 300 В - 30 Вт
RN2704,LF Toshiba Semiconductor and Storage РН2704,ЛФ 0,3100
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 РН2704 200мВт УСВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50В 100 мА 500нА 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 200 МГц 47 кОм 47 кОм
TK35N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage ТК35Н65В5,С1Ф 9.0900
запросить цену
 ECAD 7466 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСИВ Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 ТК35Н65 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-247 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 30 N-канал 650 В 35А (Та) 10 В 95 мОм при 17,5 А, 10 В 4,5 В при 2,1 мА 115 НК при 10 В ±30 В 4100 пФ при 300 В - 270 Вт (Тс)
RN1108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1108,LF(CT 0,2000
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-75, СОТ-416 РН1108 100 мВт ССМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 100 мА 500нА NPN — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 250 МГц 22 кОм 47 кОм
TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQH,LQ 2.0000
запросить цену
 ECAD 7 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 175°С Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП Прогресс (5х5) скачать 1 (без блокировки) 264-TPH9R00CQHLQTR EAR99 8541.29.0095 5000 N-канал 150 В 64А (Тс) 8В, 10В 9 мОм при 32 А, 10 В 4,3 В при 1 мА 44 НК при 10 В ±20 В 5400 пФ при 75 В - 960 мВт (Та), 210 Вт (Тс)
RN2409,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage РН2409,ЛХХФ 0,3400
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 РН2409 200 мВт S-Мини скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50 В 100 мА 500нА ПНП — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 70 при 10 мА, 5 В 200 МГц 47 кОм 22 кОм
SSM6K217FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K217FE,ЛФ 0,3700
запросить цену
 ECAD 37 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСVII-H Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 ССМ6К217 МОП-транзистор (оксид металла) ES6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 N-канал 40 В 1,8 А (Та) 1,8 В, 8 В 195 мОм при 1 А, 8 В 1,2 В при 1 мА 1,1 нк при 4,2 В ±12 В 130 пФ при 10 В - 500 мВт (Та)
RN2101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101,LXHF(CT 0,3300
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-75, СОТ-416 РН2101 100 мВт ССМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50 В 100 мА 500нА ПНП — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 30 @ 10 мА, 5 В 200 МГц 4,7 кОм 4,7 кОм
RN2404,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404,LXHF 0,0645
запросить цену
 ECAD 7148 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 РН2404 200 мВт S-Мини скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50 В 100 мА 500нА ПНП — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 200 МГц 47 кОм 47 кОм
2SC6100,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6100,ЛФ 0,5300
запросить цену
 ECAD 42 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-SMD, плоские выводы 2SC6100 500 мВт УФМ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50 В 2,5 А 100нА (ИКБО) НПН 140 мВ при 20 мА, 1 А 400 @ 300 мА, 2 В -
RN1101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101,LXHF(CT 0,3300
запросить цену
 ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-75, СОТ-416 РН1101 100 мВт ССМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50 В 100 мА 500нА NPN — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 30 @ 10 мА, 5 В 250 МГц 4,7 кОм 4,7 кОм
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.