SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ток-отсечка коллектора (макс.) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
RN2904FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE(T5L,F,T) -
запросить цену
ECAD 8069 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 РН2904 100мВт ES6 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 50В 100 мА 100нА (ИКБО) 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 200 МГц 47 кОм 47 кОм
TJ60S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L,LXHQ 1,6500
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСВИ Лента и катушка (TR) Активный 175°С Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 TJ60S06 МОП-транзистор (оксид металла) ДПАК+ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 2000 г. P-канал 60 В 60А (Та) 6В, 10В 11,2 мОм при 30 А, 10 В 3 В при 1 мА 156 НК при 10 В +10 В, -20 В 7760 пФ при 10 В - 100 Вт (Тс)
2SC4793,HFEF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793,HFEF(М -
запросить цену
ECAD 4903 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет 2SC4793 2 Вт ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0075 1 230 В 1 А 1 мкА (ИКБО) НПН 1,5 В при 50 мА, 500 мА 100 на 100 мА, 5 В 100 МГц
TK1P90A,LQ(CO Toshiba Semiconductor and Storage ТК1П90А,LQ(СО -
запросить цену
ECAD 9799 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ТК1П90 МОП-транзистор (оксид металла) PW-МОЛД скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) TK1P90ALQ(СО EAR99 8541.29.0095 2000 г. N-канал 900 В 1А (Та) 10 В 9 Ом при 500 мА, 10 В 4 В @ 1 мА 13 нк @ 10 В ±30 В 320 пФ при 25 В - 20 Вт (Тс)
TK560A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage ТК560А65И,С4С 1,5700
запросить цену
ECAD 12 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСВ Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТК560А65 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать Соответствует ROHS3 Непригодный EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 650 В 7А (Тс) 10 В 560 мОм при 3,5 А, 10 В 4 В @ 240 мкА 14,5 НК при 10 В ±30 В 380 пФ при 300 В - 30 Вт
SSM3J15CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15CT,L3F 0,3100
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж СК-101, СОТ-883 МОП-транзистор (оксид металла) КСТ3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 10 000 P-канал 30 В 100 мА (Та) 2,5 В, 4 В 12 Ом при 10 мА, 4 В 1,7 В @ 100 мкА ±20 В 9,1 пФ при 3 В - 100 мВт (Та)
TPCA8A01-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8A01-H(TE12L,Q -
запросить цену
ECAD 3926 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN TPCA8A01 МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП Прогресс (5х5) скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 В 36А (Та) 4,5 В, 10 В 5,6 мОм при 18 А, 10 В 2,3 В при 1 мА 35 НК при 10 В ±20 В 1970 пФ при 10 В - 1,6 Вт (Та), 45 Вт (Тс)
RN2313,LF Toshiba Semiconductor and Storage РН2313,ЛФ 0,1800
запросить цену
ECAD 4580 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 РН2313 100 мВт СК-70 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 100 мА 100нА (ИКБО) ПНП — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 120 при 1 мА, 5 В 200 МГц 47 кОм
TK40E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage ТК40Е10Н1,С1Х 1,9900
запросить цену
ECAD 3520 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСVIII-H Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 ТК40Е10 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 100 В 90А (Тс) 10 В 8,2 мОм при 20 А, 10 В 4 В @ 500 мкА 49 НК при 10 В ±20 В 3000 пФ при 50 В - 126 Вт (Тс)
TPH1R306PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage ТПХ1Р306ПЛ,Л1К 2.0800
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-MOSIX-H Лента и катушка (TR) Активный 175°С Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN ТПХ1Р306 МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП Прогресс (5х5) скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 5000 N-канал 60 В 100А (Тс) 4,5 В, 10 В 1,34 мОм при 50 А, 10 В 2,5 В @ 1 мА 91 НК при 10 В ±20 В 8100 пФ при 30 В - 960 мВт (Та), 170 Вт (Тс)
SSM3K7002KFU,LXH Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KFU,LXH 0,4000
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 МОП-транзистор (оксид металла) УСМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 N-канал 60 В 400 мА (Та) 4,5 В, 10 В 1,5 Ом при 100 мА, 10 В 2,1 В при 250 мкА 0,6 нк при 4,5 В ±20 В 40 пФ при 10 В - 150 мВт (Та)
2SK2544(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2СК2544(Ф) -
запросить цену
ECAD 7521 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 2СК2544 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220АБ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 600 В 6А (Та) 10 В 1,25 Ом при 3 А, 10 В 4 В @ 1 мА 30 НК при 10 В ±30 В 1300 пФ при 10 В - 80 Вт (Тс)
2SA2154CT-GR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154CT-GR,L3F 0,3200
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-101, СОТ-883 2SA2154 100 мВт КСТ3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 10 000 50 В 100 мА 100нА (ИКБО) ПНП 300 мВ при 10 мА, 100 мА 200 при 2 мА, 6 В 80 МГц
TK9A45D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK9A45D(STA4,Q,M) 1,7100
запросить цену
ECAD 8473 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных π-МОСVII Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТК9А45 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 450 В 9А (Та) 10 В 770 мОм при 4,5 А, 10 В 4 В @ 1 мА 16 НК @ 10 В ±30 В 800 пФ при 25 В - 40 Вт (Тс)
RN2505TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage РН2505ТЕ85ЛФ 0,3400
запросить цену
ECAD 219 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 РН2505 300мВт СМВ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50В 100 мА 100нА (ИКБО) 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) (эмиттерная связь) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 200 МГц 2,2 кОм 47 кОм
TPW4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage ТПВ4Р50АНХ,L1Q 2,7900
запросить цену
ECAD 3418 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСVIII-H Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerWDFN ТПВ4Р50 МОП-транзистор (оксид металла) 8-ДСОП Прогресс скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 5000 N-канал 100 В 92А (Тс) 10 В 4,5 мОм при 46 А, 10 В 4 В @ 1 мА 58 НК при 10 В ±20 В 5200 пФ при 50 В - 800 мВт (Та), 142 Вт (Тс)
2SJ438,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438,Q(Дж -
запросить цену
ECAD 2689 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет 2SJ438 ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 1 5А (Тдж)
SSM6J216FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J216FE,ЛФ 0,4900
запросить цену
ECAD 2168 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСВИ Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 SSM6J216 МОП-транзистор (оксид металла) ES6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 P-канал 12 В 4,8 А (Та) 1,5 В, 4,5 В 32 мОм при 3,5 А, 4,5 В 1 В @ 1 мА 12,7 НК при 4,5 В ±8 В 1040 пФ при 12 В - 700 мВт (Та)
2SA1680(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1680(Ф,М) -
запросить цену
ECAD 5165 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов 2SA1680 900 мВт ТО-92МОД скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 1 50 В 2 А 1 мкА (ИКБО) ПНП 500 мВ при 50 мА, 1 А 120 @ 100 мА, 2 В 100 МГц
2SA1931,SINFQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931,SINFQ(J -
запросить цену
ECAD 1785 г. 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет 2СА1931 2 Вт ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0075 1 50 В 5 А 1 мкА (ИКБО) ПНП 400 мВ при 200 мА, 2 А 100 @ 1А, 1В 60 МГц
TK8A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A65D(STA4,Q,M) 2.4000
запросить цену
ECAD 8 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных π-МОСVII Масса Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТК8А65 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 650 В 8А (Та) 10 В 840 мОм при 4 А, 10 В 4 В @ 1 мА 25 НК при 10 В ±30 В 1350 пФ при 25 В - 45 Вт (Тс)
2SC4935-Y,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4935-Y,Q(Дж -
запросить цену
ECAD 8469 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет 2SC4935 2 Вт ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0075 1 50 В 3 А 1 мкА (ИКБО) НПН 600 мВ при 200 мА, 2 А 70 при 500 мА, 2 В 80 МГц
2SC2229-Y(T6ONK1FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y(T6ONK1FM -
запросить цену
ECAD 8244 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов 2SC2229 800 мВт ТО-92МОД скачать 1 (без блокировки) 2SC2229YT6ONK1FM EAR99 8541.21.0075 1 150 В 50 мА 100нА (ИКБО) НПН 500 мВ при 1 мА, 10 мА 70 при 10 мА, 5 В 120 МГц
2SD2257,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257,Q(Дж -
запросить цену
ECAD 9453 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет 2SD2257 2 Вт ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 1 100 В 3 А 10 мкА (ИКБО) НПН 1,5 В @ 1,5 мА, 1,5 А 2000 @ 2А, 2В -
SSM6P40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage ССМ6П40ТУ,ЛФ 0,4800
запросить цену
ECAD 3853 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж 6-SMD, плоские выводы ССМ6П40 МОП-транзистор (оксид металла) 500 мВт (Та) УФ6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 2 P-канала (двойной) 30 В 1,4 А (Та) 226 мОм при 1 А, 10 В 2 В @ 1 мА 2,9 НК при 10 В 120пФ при 15В Ворота логического уровня, привод 4 В
TK090Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage ТК090З65З,С1Ф 6.3200
запросить цену
ECAD 25 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСВИ Трубка Активный 150°С Сквозное отверстие ТО-247-4 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-247-4Л(Т) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 25 N-канал 650 В 30А (Та) 10 В 90 мОм при 15 А, 10 В 4 В при 1,27 мА 47 НК при 10 В ±30 В 2780 пФ при 300 В - 230 Вт (Тс)
2SC5354,TOJSQ(O Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5354,TOJSQ(О -
запросить цену
ECAD 2914 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Активный 2SC5354 скачать Соответствует RoHS Непригодный EAR99 8541.29.0095 50
TJ20S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage ТДЖ20С04М3Л(Т6Л1,НК 1,3300
запросить цену
ECAD 9822 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСВИ Лента и катушка (TR) Активный 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 TJ20S04 МОП-транзистор (оксид металла) ДПАК+ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 2000 г. P-канал 40 В 20А (Та) 6В, 10В 22,2 мОм при 10 А, 10 В 3 В при 1 мА 37 НК при 10 В +10 В, -20 В 1850 пФ при 10 В - 41 Вт (Тс)
TPC8092,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8092,LQ(S -
запросить цену
ECAD 8376 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСВИИ Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) ТПК8092 МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 В 15А (Та) 4,5 В, 10 В 9 мОм при 7,5 А, 10 В 2,3 В @ 200 мкА 25 НК при 10 В ±20 В 1800 пФ при 10 В - 1 Вт (Та)
RN4904,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4904,LXHF(CT 0,4400
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 РН4904 200мВт США6 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50В 100 мА 500нА 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 200 МГц, 250 МГц 47 кОм 47 кОм
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе