Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Конфигурация | Тип полярного транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | ВГС (Макс) | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Особенность левого транзистора | Рассеиваемая мощность (макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RN2904FE(T5L,F,T) | - | ![]() | 8069 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | РН2904 | 100мВт | ES6 | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4000 | 50В | 100 мА | 100нА (ИКБО) | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 80 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||
![]() | TJ60S06M3L,LXHQ | 1,6500 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | У-МОСВИ | Лента и катушка (TR) | Активный | 175°С | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | TJ60S06 | МОП-транзистор (оксид металла) | ДПАК+ | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2000 г. | P-канал | 60 В | 60А (Та) | 6В, 10В | 11,2 мОм при 30 А, 10 В | 3 В при 1 мА | 156 НК при 10 В | +10 В, -20 В | 7760 пФ при 10 В | - | 100 Вт (Тс) | ||||||||||||||
![]() | 2SC4793,HFEF(М | - | ![]() | 4903 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Масса | Устаревший | 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет | 2SC4793 | 2 Вт | ТО-220НИС | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 230 В | 1 А | 1 мкА (ИКБО) | НПН | 1,5 В при 50 мА, 500 мА | 100 на 100 мА, 5 В | 100 МГц | ||||||||||||||||||
| ТК1П90А,LQ(СО | - | ![]() | 9799 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 150°С | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | ТК1П90 | МОП-транзистор (оксид металла) | PW-МОЛД | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | TK1P90ALQ(СО | EAR99 | 8541.29.0095 | 2000 г. | N-канал | 900 В | 1А (Та) | 10 В | 9 Ом при 500 мА, 10 В | 4 В @ 1 мА | 13 нк @ 10 В | ±30 В | 320 пФ при 25 В | - | 20 Вт (Тс) | |||||||||||||
![]() | ТК560А65И,С4С | 1,5700 | ![]() | 12 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | ДТМОСВ | Трубка | Активный | 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет | ТК560А65 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220СИС | скачать | Соответствует ROHS3 | Непригодный | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-канал | 650 В | 7А (Тс) | 10 В | 560 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В @ 240 мкА | 14,5 НК при 10 В | ±30 В | 380 пФ при 300 В | - | 30 Вт | |||||||||||||
![]() | SSM3J15CT,L3F | 0,3100 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 150°С | Поверхностный монтаж | СК-101, СОТ-883 | МОП-транзистор (оксид металла) | КСТ3 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | P-канал | 30 В | 100 мА (Та) | 2,5 В, 4 В | 12 Ом при 10 мА, 4 В | 1,7 В @ 100 мкА | ±20 В | 9,1 пФ при 3 В | - | 100 мВт (Та) | |||||||||||||||
![]() | TPCA8A01-H(TE12L,Q | - | ![]() | 3926 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-PowerVDFN | TPCA8A01 | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-СОП Прогресс (5х5) | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3000 | N-канал | 30 В | 36А (Та) | 4,5 В, 10 В | 5,6 мОм при 18 А, 10 В | 2,3 В при 1 мА | 35 НК при 10 В | ±20 В | 1970 пФ при 10 В | - | 1,6 Вт (Та), 45 Вт (Тс) | ||||||||||||||
![]() | РН2313,ЛФ | 0,1800 | ![]() | 4580 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СК-70, СОТ-323 | РН2313 | 100 мВт | СК-70 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3000 | 50 В | 100 мА | 100нА (ИКБО) | ПНП — предварительный смещенный | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 120 при 1 мА, 5 В | 200 МГц | 47 кОм | |||||||||||||||||
![]() | ТК40Е10Н1,С1Х | 1,9900 | ![]() | 3520 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | У-МОСVIII-H | Трубка | Активный | 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 | ТК40Е10 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-канал | 100 В | 90А (Тс) | 10 В | 8,2 мОм при 20 А, 10 В | 4 В @ 500 мкА | 49 НК при 10 В | ±20 В | 3000 пФ при 50 В | - | 126 Вт (Тс) | |||||||||||||
![]() | ТПХ1Р306ПЛ,Л1К | 2.0800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | У-MOSIX-H | Лента и катушка (TR) | Активный | 175°С | Поверхностный монтаж | 8-PowerVDFN | ТПХ1Р306 | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-СОП Прогресс (5х5) | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5000 | N-канал | 60 В | 100А (Тс) | 4,5 В, 10 В | 1,34 мОм при 50 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 91 НК при 10 В | ±20 В | 8100 пФ при 30 В | - | 960 мВт (Та), 170 Вт (Тс) | ||||||||||||||
![]() | SSM3K7002KFU,LXH | 0,4000 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | 150°С | Поверхностный монтаж | СК-70, СОТ-323 | МОП-транзистор (оксид металла) | УСМ | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3000 | N-канал | 60 В | 400 мА (Та) | 4,5 В, 10 В | 1,5 Ом при 100 мА, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 0,6 нк при 4,5 В | ±20 В | 40 пФ при 10 В | - | 150 мВт (Та) | |||||||||||||||
![]() | 2СК2544(Ф) | - | ![]() | 7521 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Масса | Устаревший | 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 | 2СК2544 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220АБ | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-канал | 600 В | 6А (Та) | 10 В | 1,25 Ом при 3 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 30 НК при 10 В | ±30 В | 1300 пФ при 10 В | - | 80 Вт (Тс) | ||||||||||||||
![]() | 2SA2154CT-GR,L3F | 0,3200 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СК-101, СОТ-883 | 2SA2154 | 100 мВт | КСТ3 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0095 | 10 000 | 50 В | 100 мА | 100нА (ИКБО) | ПНП | 300 мВ при 10 мА, 100 мА | 200 при 2 мА, 6 В | 80 МГц | |||||||||||||||||
![]() | TK9A45D(STA4,Q,M) | 1,7100 | ![]() | 8473 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | π-МОСVII | Трубка | Активный | 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет | ТК9А45 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220СИС | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-канал | 450 В | 9А (Та) | 10 В | 770 мОм при 4,5 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 16 НК @ 10 В | ±30 В | 800 пФ при 25 В | - | 40 Вт (Тс) | |||||||||||||
![]() | РН2505ТЕ85ЛФ | 0,3400 | ![]() | 219 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | СК-74А, СОТ-753 | РН2505 | 300мВт | СМВ | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3000 | 50В | 100 мА | 100нА (ИКБО) | 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) (эмиттерная связь) | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 80 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||
![]() | ТПВ4Р50АНХ,L1Q | 2,7900 | ![]() | 3418 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | У-МОСVIII-H | Лента и катушка (TR) | Активный | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-PowerWDFN | ТПВ4Р50 | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-ДСОП Прогресс | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5000 | N-канал | 100 В | 92А (Тс) | 10 В | 4,5 мОм при 46 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 58 НК при 10 В | ±20 В | 5200 пФ при 50 В | - | 800 мВт (Та), 142 Вт (Тс) | |||||||||||||
![]() | 2SJ438,Q(Дж | - | ![]() | 2689 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Масса | Устаревший | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет | 2SJ438 | ТО-220НИС | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 5А (Тдж) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSM6J216FE,ЛФ | 0,4900 | ![]() | 2168 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | У-МОСВИ | Лента и катушка (TR) | Активный | 150°С | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | SSM6J216 | МОП-транзистор (оксид металла) | ES6 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0095 | 4000 | P-канал | 12 В | 4,8 А (Та) | 1,5 В, 4,5 В | 32 мОм при 3,5 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 12,7 НК при 4,5 В | ±8 В | 1040 пФ при 12 В | - | 700 мВт (Та) | |||||||||||||
![]() | 2SA1680(Ф,М) | - | ![]() | 5165 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Масса | Устаревший | 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | 2SA1680 | 900 мВт | ТО-92МОД | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 В | 2 А | 1 мкА (ИКБО) | ПНП | 500 мВ при 50 мА, 1 А | 120 @ 100 мА, 2 В | 100 МГц | ||||||||||||||||||
![]() | 2SA1931,SINFQ(J | - | ![]() | 1785 г. | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Масса | Устаревший | 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет | 2СА1931 | 2 Вт | ТО-220НИС | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 В | 5 А | 1 мкА (ИКБО) | ПНП | 400 мВ при 200 мА, 2 А | 100 @ 1А, 1В | 60 МГц | ||||||||||||||||||
![]() | TK8A65D(STA4,Q,M) | 2.4000 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | π-МОСVII | Масса | Активный | 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет | ТК8А65 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-220СИС | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-канал | 650 В | 8А (Та) | 10 В | 840 мОм при 4 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 25 НК при 10 В | ±30 В | 1350 пФ при 25 В | - | 45 Вт (Тс) | |||||||||||||
![]() | 2SC4935-Y,Q(Дж | - | ![]() | 8469 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Масса | Устаревший | 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет | 2SC4935 | 2 Вт | ТО-220НИС | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 В | 3 А | 1 мкА (ИКБО) | НПН | 600 мВ при 200 мА, 2 А | 70 при 500 мА, 2 В | 80 МГц | ||||||||||||||||||
![]() | 2SC2229-Y(T6ONK1FM | - | ![]() | 8244 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Масса | Устаревший | 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов | 2SC2229 | 800 мВт | ТО-92МОД | скачать | 1 (без блокировки) | 2SC2229YT6ONK1FM | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 В | 50 мА | 100нА (ИКБО) | НПН | 500 мВ при 1 мА, 10 мА | 70 при 10 мА, 5 В | 120 МГц | |||||||||||||||||
![]() | 2SD2257,Q(Дж | - | ![]() | 9453 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Масса | Устаревший | 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-220-3 Полный пакет | 2SD2257 | 2 Вт | ТО-220НИС | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 В | 3 А | 10 мкА (ИКБО) | НПН | 1,5 В @ 1,5 мА, 1,5 А | 2000 @ 2А, 2В | - | ||||||||||||||||||
![]() | ССМ6П40ТУ,ЛФ | 0,4800 | ![]() | 3853 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 150°С | Поверхностный монтаж | 6-SMD, плоские выводы | ССМ6П40 | МОП-транзистор (оксид металла) | 500 мВт (Та) | УФ6 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3000 | 2 P-канала (двойной) | 30 В | 1,4 А (Та) | 226 мОм при 1 А, 10 В | 2 В @ 1 мА | 2,9 НК при 10 В | 120пФ при 15В | Ворота логического уровня, привод 4 В | |||||||||||||||
![]() | ТК090З65З,С1Ф | 6.3200 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | ДТМОСВИ | Трубка | Активный | 150°С | Сквозное отверстие | ТО-247-4 | МОП-транзистор (оксид металла) | ТО-247-4Л(Т) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-канал | 650 В | 30А (Та) | 10 В | 90 мОм при 15 А, 10 В | 4 В при 1,27 мА | 47 НК при 10 В | ±30 В | 2780 пФ при 300 В | - | 230 Вт (Тс) | ||||||||||||||
![]() | 2SC5354,TOJSQ(О | - | ![]() | 2914 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | * | Трубка | Активный | 2SC5354 | скачать | Соответствует RoHS | Непригодный | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ТДЖ20С04М3Л(Т6Л1,НК | 1,3300 | ![]() | 9822 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | У-МОСВИ | Лента и катушка (TR) | Активный | 175°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | TJ20S04 | МОП-транзистор (оксид металла) | ДПАК+ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2000 г. | P-канал | 40 В | 20А (Та) | 6В, 10В | 22,2 мОм при 10 А, 10 В | 3 В при 1 мА | 37 НК при 10 В | +10 В, -20 В | 1850 пФ при 10 В | - | 41 Вт (Тс) | |||||||||||||
![]() | TPC8092,LQ(S | - | ![]() | 8376 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | У-МОСВИИ | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ТПК8092 | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-СОП | скачать | Соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2500 | N-канал | 30 В | 15А (Та) | 4,5 В, 10 В | 9 мОм при 7,5 А, 10 В | 2,3 В @ 200 мкА | 25 НК при 10 В | ±20 В | 1800 пФ при 10 В | - | 1 Вт (Та) | |||||||||||||
![]() | RN4904,LXHF(CT | 0,4400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | РН4904 | 200мВт | США6 | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3000 | 50В | 100 мА | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 80 при 10 мА, 5 В | 200 МГц, 250 МГц | 47 кОм | 47 кОм |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)