запрос цен
спецификация
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-comComponents.com

Транзисторы(2488)

Номер продукта	Цена (долл. США)	Количество	Доступное количество	Производитель	Ряд	Упаковка	Статус продукта	Рабочая температура	Тип монтажа	Пакет/ключи	Базовый номер продукта	Технология	Мощность - Макс.	Поставщик пакета оборудования	Техническая спецификация	Статус RoHS	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Другие имена	ECCN	ХТСУС	Стандартный пакет	Конфигурация	Тип полярного транзистора	Напряжение стока к источнику (Vdss)	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	ВГС (Макс)	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Особенность левого транзистора	Рассеиваемая мощность (макс.)	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	Ток-отсечка коллектора (макс.)	Тип транзистора	Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	Частота – переход	Резистор — база (R1)	Резистор — база эмиттера (R2)
TPC8062-H,LQ(СМ	-	запросить цену	2139	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVII-H	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-SOIC (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм)	ТПК8062	МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	3000		N-канал	30 В	18А (Та)	4,5 В, 10 В	5,8 мОм при 9 А, 10 В	2,3 В @ 300 мкА	34 НК при 10 В	±20 В	2900 пФ при 10 В	-	1 Вт (Та)
TPCF8402(TE85L,F,M	-	запросить цену	3491	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-СМД, плоский вывод	TPCF8402	МОП-транзистор (оксид металла)	330мВт	ВС-8 (2,9х1,5)	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	4000	N и P-канал		30 В	4А, 3,2А		50 мОм при 2 А, 10 В	2 В @ 1 мА	10 нк @ 10 В		470пФ при 10В	Ворота логического уровня
ТК16А45Д(СТА4,К,М)	-	запросить цену	9568	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Трубка	Активный	-	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК16А45	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50		N-канал	450 В	16А		270 мОм при 8 А, 10 В	-				-	-
RN1908,LXHF(CT	0,3600	запросить цену	6	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	РН1908		200мВт	США6	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	3000													50В	100 мА	500нА	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц	22 кОм	47 кОм
2SC3326-А,ЛФ	0,4000	запросить цену	78	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	125°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	2SC3326		150 мВт	ТО-236	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000													20 В	300 мА	100нА (ИКБО)	НПН	100 мВ при 3 мА, 30 мА	200 при 4 мА, 2 В	30 МГц
РН2505ТЕ85ЛФ	0,3400	запросить цену	219	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-74А, СОТ-753	РН2505		300мВт	СМВ	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000													50В	100 мА	100нА (ИКБО)	2 PNP — с предварительным смещением (двойной) (эмиттерная связь)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	200 МГц	2,2 кОм	47 кОм
TK9A45D(STA4,Q,M)	1,7100	запросить цену	8473	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	π-МОСVII	Трубка	Активный	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК9А45	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50		N-канал	450 В	9А (Та)	10 В	770 мОм при 4,5 А, 10 В	4 В @ 1 мА	16 НК @ 10 В	±30 В	800 пФ при 25 В	-	40 Вт (Тс)
TPWR8004PL,L1Q	2,9700	запросить цену	1220	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-MOSIX-H	Лента и катушка (TR)	Активный	175°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-PowerWDFN	TPWR8004	МОП-транзистор (оксид металла)		8-ДСОП Прогресс	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	5000		N-канал	40 В	150А (Тс)	4,5 В, 10 В	0,8 мОм при 50 А, 10 В	2,4 В при 1 мА	103 НК при 10 В	±20 В	9600 пФ при 20 В	-	1 Вт (Та), 170 Вт (Тс)
SSM6K211FE,ЛФ	0,5400	запросить цену	2	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСIII	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	ССМ6К211	МОП-транзистор (оксид металла)		ES6	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	4000		N-канал	20 В	3,2 А (Та)	1,5 В, 4,5 В	47 мОм при 2 А, 4,5 В	1 В @ 1 мА	10,8 нк при 4,5 В	±10 В	510 пФ при 10 В	-	500 мВт (Та)
ТК110А10ПЛ,С4С	1,0900	запросить цену	328	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Трубка	Активный	175°С	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК110А10	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50		N-канал	100 В	36А (Тс)	4,5 В, 10 В	10,8 мОм при 18 А, 10 В	2,5 В при 300 мкА	33 НК при 10 В	±20 В	2040 пФ при 50 В	-	36 Вт (Тс)
TPHR9203PL,L1Q	1,6300	запросить цену	8	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-MOSIX-H	Лента и катушка (TR)	Активный	175°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	TPHR9203	МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП Прогресс (5х5)	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	5000		N-канал	30 В	150А (Тс)	4,5 В, 10 В		2,1 В при 500 мкА	80 НК при 10 В	±20 В	7540 пФ при 15 В	-	132 Вт (Тс)
TPC8134,LQ(S	0,7300	запросить цену	2	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВИ	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)	ТПК8134	МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	2500		P-канал	40 В	5А (Та)	4,5 В, 10 В	52 мОм при 2,5 А, 10 В	2 В при 100 мкА	20 НК при 10 В	+20В, -25В	890 пФ при 10 В	-	1 Вт (Та)
РН2703,ЛФ	0,2900	запросить цену	5173	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353	РН2703		200мВт	УСВ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	3000													50В	100 мА	500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	70 при 10 мА, 5 В	200 МГц	22 кОм	22 кОм
RN4987FE,LF(CT	0,2700	запросить цену	32	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	RN4987		100мВт	ES6	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	4000													50В	100 мА	500нА	1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц, 200 МГц	10 кОм	47 кОм
RN1309,LXHF	0,3900	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-70, СОТ-323	РН1309		100 мВт	СК-70	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000													50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	70 при 5 мА, 5 В	250 МГц	47 кОм	22 кОм
TPC8092,LQ(S	-	запросить цену	8376	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВИИ	Лента и катушка (TR)	Устаревший	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)	ТПК8092	МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	2500		N-канал	30 В	15А (Та)	4,5 В, 10 В	9 мОм при 7,5 А, 10 В	2,3 В @ 200 мкА	25 НК при 10 В	±20 В	1800 пФ при 10 В	-	1 Вт (Та)
ТДЖ20С04М3Л(Т6Л1,НК	1,3300	запросить цену	9822	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВИ	Лента и катушка (TR)	Активный	175°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	TJ20S04	МОП-транзистор (оксид металла)		ДПАК+	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	2000 г.		P-канал	40 В	20А (Та)	6В, 10В	22,2 мОм при 10 А, 10 В	3 В при 1 мА	37 НК при 10 В	+10 В, -20 В	1850 пФ при 10 В	-	41 Вт (Тс)
ТК1П90А,LQ(СО	-	запросить цену	9799	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	ТК1П90	МОП-транзистор (оксид металла)		PW-МОЛД	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	TK1P90ALQ(СО	EAR99	8541.29.0095	2000 г.		N-канал	900 В	1А (Та)	10 В	9 Ом при 500 мА, 10 В	4 В @ 1 мА	13 нк @ 10 В	±30 В	320 пФ при 25 В	-	20 Вт (Тс)
ССМ6П54ТУ,ЛФ	0,4100	запросить цену	1	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	6-SMD, плоские выводы	ССМ6П54	МОП-транзистор (оксид металла)	500 мВт (Та)	УФ6	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000	2 P-канала (двойной)		20 В	1,2 А (Та)		228 мОм при 600 мА, 2,5 В	1 В @ 1 мА	7,7 НК при 4 В		331пФ при 10 В	Ворота логического уровня, привод 1,5 В
RN1116,LXHF(CT	0,3300	запросить цену	6	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	РН1116		100 мВт	ССМ	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000													50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	50 при 10 мА, 5 В	250 МГц	4,7 кОм	10 кОм
XPN3R804NC,L1XHQ	1,4700	запросить цену	9	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII	Лента и катушка (TR)	Активный	175°С	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	XPN3R804	МОП-транзистор (оксид металла)		8-ТСОН Адванс-ВФ (3,1х3,1)	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	5000		N-канал	40 В	40А (Та)	4,5 В, 10 В	3,8 мОм при 20 А, 10 В	2,5 В при 300 мкА	35 НК при 10 В	±20 В	2230 пФ при 10 В	-	840 мВт (Та), 100 Вт (Тс)
ТК22В65С5,ЛК	5.6600	запросить цену	2	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСИВ-Г	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С	Поверхностный монтаж	4-ВСФН Открытая площадка		МОП-транзистор (оксид металла)		4-ДФН-ЭП (8х8)	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	2500		N-канал	650 В	22А (Та)	10 В	170 мОм при 11 А, 10 В	4,5 В при 1,1 мА	50 НК при 10 В	±30 В	2400 пФ при 300 В	-	180 Вт (Тс)
ТК22А65С,С5С	3.8400	запросить цену	188	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Трубка	Активный	150°С	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК22А65	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50		N-канал	650 В	22А (Та)	10 В	150 мОм при 11 А, 10 В	3,5 В @ 1,1 мА	50 НК при 10 В	±30 В	2400 пФ при 300 В	-	45 Вт (Тс)
ТК60Ф10Н1Л,ЛСГК	2.3200	запросить цену	1	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII-H	Лента и катушка (TR)	Активный	175°С	Поверхностный монтаж	ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ	ТК60Ф10	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СМ(Вт)	-		3 (168 часов)		EAR99	8541.29.0095	1000		N-канал	100 В	60А (Та)	6В, 10В	6,11 мОм при 30 А, 10 В	3,5 В при 500 мкА	60 НК при 10 В	±20 В	4320 пФ при 10 В	-	205 Вт (Тс)
ТК8К60В,С1ВК	2.4800	запросить цену	7622	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСИВ	Трубка	Активный	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-251-3 Заглушки, ИПак	ТК8Q60	МОП-транзистор (оксид металла)		Ай-Пак	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	75		N-канал	600 В	8А (Та)	10 В	500 мОм при 4 А, 10 В	3,7 В при 400 мкА	18,5 НК при 10 В	±30 В	570 пФ при 300 В	-	80 Вт (Тс)
2SC6026МФВ-И, Л3Ф	0,1900	запросить цену	7	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный	150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СОТ-723	2SC6026		150 мВт	ВЕСМ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	8000													50 В	150 мА	100нА (ИКБО)	НПН	250 мВ при 10 мА, 100 мА	120 при 2 мА, 6 В	60 МГц
РН2709,ЛФ	0,3100	запросить цену	8528	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353	РН2709		200мВт	УСВ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	3000													50В	100 мА	500нА	2 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	70 при 10 мА, 5 В	200 МГц	47 кОм	22 кОм
ТПХ9Р00КК5,ЛК	2.5500	запросить цену	5	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	U-MOSX-H	Лента и катушка (TR)	Активный	175°С	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN		МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП Прогресс (5х5)	-	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)				5000		N-канал	150 В	108А (Та), 64А (Тс)	8В, 10В	9 мОм при 32 А, 10 В	4,5 В @ 1 мА	44 НК при 10 В	±20 В	5400 пФ при 75 В	-	3 Вт (Та), 210 Вт (Тс)
ТК6А65Д(СТА4,К,М)	1,9400	запросить цену	6	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	π-МОСVII	Трубка	Активный	150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК6А65	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50		N-канал	650 В	6А (Та)	10 В	1,11 Ом при 3 А, 10 В	4 В @ 1 мА	20 НК при 10 В	±30 В	1050 пФ при 25 В	-	45 Вт (Тс)
РН1309,ЛФ	0,1900	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		Поверхностный монтаж	СК-70, СОТ-323	РН1309		100 мВт	СК-70	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	3000													50 В	100 мА	500нА	NPN — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	70 при 5 мА, 5 В	250 МГц	47 кОм	22 кОм