SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.)
G050P03S Goford Semiconductor Г050П03С 0,9400
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП скачать Соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.29.0000 4000 P-канал 30 В 25А (Тс) 4,5 В, 10 В 5,5 мОм при 10 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 111 НК @ 10 В ±20 В 7221 пФ при 15 В - 3,5 Вт (Тс)
3401 Goford Semiconductor 3401 0,4300
запросить цену
ECAD 10 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 P-канал 30 В 4,2А (Та) 4,5 В, 10 В 55 мОм при 4,2 А, 10 В 1,3 В @ 250 мкА 9,5 нк при 4,5 В ±12 В 950 пФ при 15 В Стандартный 1,2 Вт (Та)
GT1003A Goford Semiconductor GT1003A 0,4100
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Гофорд Полупроводник ГТ Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 3000 N-канал 100 В 3А (Та) 10 В 140 мОм при 3 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 4,3 нк при 10 В ±20 В 206 пФ при 50 В - 1,6 Вт (Та)
G05NP10S Goford Semiconductor Г05НП10С 0,2116
запросить цену
ECAD 4363 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) МОП-транзистор (оксид металла) 3 Вт (Тс), 2,5 Вт (Тс) 8-СОП - Соответствует RoHS REACH не касается 3141-Г05НП10СТР EAR99 8541.29.0000 4000 - 100В 5А (Тс), 6А (Тс) 170 мОм при 1 А, 10 В, 200 мОм при 6 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 18 нк при 10 В, 25 нк при 10 В 797пФ при 25В, 760пФ при 25В Стандартный
G13P04S Goford Semiconductor G13P04S 0,6800
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Гофорд Полупроводник ТренчFET® Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 4000 P-канал 40 В 13А (Тс) 10 В 15 мОм при 12 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 40 НК при 10 В ±20 В 3271 пФ при 20 В Стандартный 3 Вт (Тс)
630AT Goford Semiconductor 630АТ -
запросить цену
ECAD 4712 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8541.29.0095 100 N-канал 200 В 9А (Тц) 4,5 В, 10 В 250 мОм при 1 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 11,8 НК при 10 В ±20 В 509 пФ при 25 В - 83 Вт (Тс)
G2K2P10S2E Goford Semiconductor Г2К2П10С2Е 0,7600
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) Г2К2П МОП-транзистор (оксид металла) 3,1 Вт (Тс) 8-СОП - Соответствует RoHS 3 (168 часов) EAR99 8541.29.0000 4000 2 P-канала (двойной) 100В 3,5 А (Тс) 200 мОм при 3 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 23 НК при 10 В 1623пФ при 50 В -
G12P04K Goford Semiconductor G12P04K 0,5300
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2500 P-канал 40 В 12А (Тс) 4,5 В, 10 В 35 мОм при 6 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 25 НК при 10 В ±20 В 930 пФ при 20 В - 50 Вт (Тс)
GT105N10T Goford Semiconductor ГТ105Н10Т 0,3820
запросить цену
ECAD 20 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 100 N-канал 100 В 55А (Тс) 4,5 В, 10 В 10,5 мОм при 35 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 54 НК при 10 В ±20 В - 74 Вт (Тс)
G29 Goford Semiconductor G29 0,4300
запросить цену
ECAD 12 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 P-канал 20 В 30 мОм при 3 А, 4,5 В 900 мВ при 250 мкА 12,5 НК при 10 В ±12 В 1151 пФ при 10 В 1 Вт
GT6K2P10KH Goford Semiconductor ГТ6К2П10Х -
запросить цену
ECAD 7588 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252 скачать Соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.29.0000 2500 P-канал 100 В 4,3 А (Тс) 10 В 670 мОм при 1 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 10 НК при 10 В ±20 В 247 пФ при 50 В - 25 Вт (Тс)
GT55N06D5 Goford Semiconductor GT55N06D5 0,8000
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN МОП-транзистор (оксид металла) 8-ДФН (4,9х5,75) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 5000 N-канал 60 В 53А (Та) 4,5 В, 10 В 9 мОм при 14 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 31 НК при 10 В ±20 В 1988 ПФ при 30 В - 70 Вт (Та)
GT060N04K Goford Semiconductor GT060N04K 0,7900
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3141-ГТ060Н04КТР EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 40 В 54А (Тс) 4,5 В, 10 В 5,5 мОм при 30 А, 10 В 2,3 В @ 250 мкА 19 НК при 10 В ±20 В 1279 пФ при 20 В - 44 Вт (Тс)
GT025N06AM Goford Semiconductor GT025N06AM 1,7000
запросить цену
ECAD 791 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263 скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 800 N-канал 60 В 170А (Тс) 4,5 В, 10 В 2,5 мОм при 20 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 70 НК при 10 В ±20 В 5119 пФ при 30 В - 215 Вт (Тс)
GT100N12T Goford Semiconductor ГТ100Н12Т 1,5500
запросить цену
ECAD 198 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 120 В 70А (Тс) 10 В 10 мОм при 35 А, 10 В 3,5 В при 250 мкА 50 НК при 10 В ±20 В 3050 пФ при 60 В - 120 Вт (Тс)
G02P06 Goford Semiconductor G02P06 0,4100
запросить цену
ECAD 6 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 P-канал 60 В 1,6А 190 мОм при 1 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 11,3 НК при 10 В ±20 В 573 пФ при 30 В 1,5 Вт
GT080N10T Goford Semiconductor GT080N10T -
запросить цену
ECAD 9542 0,00000000 Гофорд Полупроводник ГТ Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 50 N-канал 100 В 70А (Тс) 4,5 В, 10 В 8 мОм при 50 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 35 НК при 10 В ±20 В 2257 пФ при 50 В - 100 Вт (Тс)
06N06L Goford Semiconductor 06Н06Л 0,3900
запросить цену
ECAD 15 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23-3Л скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 60 В 5,5 А 42 мОм при 3 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 2,4 НК при 10 В ±20 В 765 пФ при 30 В 960мВт
GT130N10F Goford Semiconductor ГТ130Н10Ф 0,9600
запросить цену
ECAD 50 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220Ф скачать Соответствует RoHS Непригодный REACH не касается 3141-ГТ130Н10Ф EAR99 8541.29.0000 50 N-канал 100 В 45А (Тс) 10 В 12 мОм при 20 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 18 НК при 10 В ±20 В 1215 пФ при 50 В - 41,7 Вт (Тс)
G70N04T Goford Semiconductor G70N04T 0,9100
запросить цену
ECAD 72 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 40 В 70А (Тс) 4,5 В, 10 В 7 МОм при 30 А, 10 В 2,4 В при 250 мкА 50 НК при 10 В ±20 В 4010 пФ при 20 В - 104 Вт (Тс)
GT1003D Goford Semiconductor GT1003D 0,4500
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23-3Л скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 100 В 130 мОм при 3 А, 10 В 2,6 В @ 250 мкА 5,2 нк при 10 В ±20 В 212 пФ при 50 В 2 Вт
G100C04D52 Goford Semiconductor G100C04D52 0,2895
запросить цену
ECAD 4671 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN МОП-транзистор (оксид металла) 65 Вт (Тс), 50 Вт (Тс) 8-ДФН (4,9х5,75) - Соответствует RoHS REACH не касается 3141-G100C04D52TR EAR99 8541.29.0000 5000 - 40В 40А (Тс), 24А (Тс) 9 МОм при 30 А, 10 В, 16 МОм при 10 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 29 нк при 10 В, 45 нк при 10 В 2213пФ при 20В, 2451пФ при 20В Стандартный
G69F Goford Semiconductor G69F 0,1247
запросить цену
ECAD 4161 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-УДФН Открытая площадка МОП-транзистор (оксид металла) 6-ДФН (2х2) - Соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.29.0000 3000 P-канал 12 В 16А (Тс) 2,5 В, 4,5 В 18 мОм при 4,5 А, 4,5 В 1 В @ 250 мкА 48 НК при 4,5 В ±8 В 2700 пФ при 10 В - 18 Вт (Тс)
G900P15D5 Goford Semiconductor Г900П15Д5 1,5800
запросить цену
ECAD 1988 год 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN МОП-транзистор (оксид металла) 8-ДФН (4,9х5,75) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0000 5000 P-канал 150 В 60А (Тс) 10 В 80 мОм при 5 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 27 НК при 10 В ±20 В 4050 пФ при 75 В - 100 Вт (Тс)
G230P06S Goford Semiconductor G230P06S 0,8300
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП скачать Соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.29.0000 4000 P-канал 60 В 9А (Тц) 10 В 23 мОм при 5 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 62 НК при 10 В ±20 В 4784 пФ при 30 В - 3 Вт (Тс)
GC11N65M Goford Semiconductor GC11N65M 1,7300
запросить цену
ECAD 778 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 800 N-канал 650 В 11А (Тс) 10 В 360 мОм при 5,5 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 21 НК при 10 В ±30 В 768 пФ при 50 В - 78 Вт (Тс)
GT045N10M Goford Semiconductor ГТ045Н10М 1,8200
запросить цену
ECAD 754 0,00000000 Гофорд Полупроводник сержант Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263 скачать Соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.29.0095 800 N-канал 100 В 120А (Тс) 10 В 4,5 мОм при 30 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 60 НК при 10 В ±20 В 4198 пФ при 50 В Стандартный 180 Вт (Тс)
1216D2 Goford Semiconductor 1216Д2 0,1085
запросить цену
ECAD 9958 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-WDFN Открытая площадка МОП-транзистор (оксид металла) 6-ДФН (2х2) - Соответствует RoHS REACH не касается 3141-1216Д2ТР EAR99 8541.29.0000 3000 P-канал 12 В 16А (Тс) 2,5 В, 4,5 В 21 мОм при 1 А, 4,5 В 1,2 В @ 250 мкА 48 НК при 4,5 В ±8 В 2700 пФ при 10 В - 18 Вт (Тс)
G75P04KI Goford Semiconductor Г75П04КИ 0,3822
запросить цену
ECAD 3046 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252 - Соответствует RoHS REACH не касается 3141-G75P04КИТР EAR99 8541.29.0000 2500 P-канал 40 В 70А (Тс) 4,5 В, 10 В 6,5 мОм при 20 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 106 НК при 10 В ±20 В 6586 пФ при 20 В - 130 Вт (Тс)
G40P03K Goford Semiconductor G40P03K 0,6300
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252 скачать 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2500 P-канал 30 В 40А (Тс) 4,5 В, 10 В 9,5 мОм при 15 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 30 НК при 10 В ±20 В - 138 Вт (Тс)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе