SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.)
G35N02K Goford Semiconductor Г35Н02К 0,4700
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 20 В 35А (Тс) 2,5 В, 4,5 В 13 мОм при 20 А, 4,5 В 1,2 В @ 250 мкА 24 НК при 4,5 В ±12 В 1380 пФ при 10 В - 40 Вт (Тс)
G70P02K Goford Semiconductor Г70П02К 0,8300
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2500 P-канал 15 В 70А (Тс) 2,5 В, 4,5 В 8,5 мОм при 20 А, 4,5 В 1,5 В при 250 мкА 55 НК при 4,5 В ±12 В 3500 пФ при 10 В - 70 Вт (Тс)
G080N10T Goford Semiconductor Г080Н10Т 1,9400
запросить цену
ECAD 5661 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует RoHS REACH не касается 3141-Г080Н10Т EAR99 8541.29.0000 50 N-канал 100 В 180А (Тс) 4,5 В, 10 В 7,5 мОм при 30 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 107 НК при 4,5 В ±20 В 13912 пФ при 50 В - 370 Вт (Тс)
G7K2N20LLE Goford Semiconductor G7K2N20LLE 0,0690
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-23-6 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23-6Л скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0000 3000 N-канал 200 В 2А (Тс) 4,5 В, 10 В 700 мОм при 1 А, 100 В 2,5 В при 250 мкА 10,8 нк при 10 В ±20 В 577 пФ при 100 В - 1,8 Вт (Тс)
G66 Goford Semiconductor G66 0,6800
запросить цену
ECAD 33 0,00000000 Гофорд Полупроводник Г Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-WDFN Открытая площадка МОП-транзистор (оксид металла) 6-ДФН (2х2) скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 3000 P-канал 16 В 5,8 А (Та) 2,5 В, 4,5 В 45 мОм при 4,1 А, 4,5 В 1 В @ 250 мкА 7,8 нк при 4,5 В ±8 В 740 пФ при 4 В - 1,7 Вт (Та)
G2K3N10H Goford Semiconductor Г2К3Н10Х 0,4700
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-261-4, ТО-261АА МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-223 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 100 В 2А (Тс) 4,5 В, 10 В 220 мОм при 2 А, 10 В 2 В @ 250 мкА 13 нк @ 10 В ±20 В 434 пФ при 50 В - 2,4 Вт (Тс)
G3K8N15HE Goford Semiconductor Г3К8Н15НЕ 0,5000
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный - Соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0000 2500
G05N06S2 Goford Semiconductor Г05Н06С2 0,6000
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Гофорд Полупроводник ТренчFET® Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-СОП G05N МОП-транзистор (оксид металла) 3,1 Вт (Тс) 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 4000 2 N-канала 60В 5А (Тс) 35 мОм при 5 А, 4,5 В 2,5 В при 250 мкА 22 НК при 10 В 1374 пФ при 30 В Стандартный
GC11N65K Goford Semiconductor GC11N65K 0,6080
запросить цену
ECAD 50 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 650 В 11А (Тс) 10 В 360 мОм при 5,5 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 21 НК при 10 В ±30 В 901 пФ при 50 В - 78 Вт (Тс)
G30N03D3 Goford Semiconductor G30N03D3 0,5300
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN МОП-транзистор (оксид металла) 8-ДФН (3,15х3,05) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 5000 N-канал 30 В 30А 7 МОм при 20 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 13 нк @ 10 В ±20 В 825 пФ при 15 В 24 Вт
G15N06K Goford Semiconductor Г15Н06К 0,5300
запросить цену
ECAD 12 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 В 15А (Тс) 4,5 В, 10 В 45 мОм при 8 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 25 НК при 10 В ±20 В 763 пФ при 30 В - 40 Вт (Тс)
GT700P08T Goford Semiconductor GT700P08T -
запросить цену
ECAD 3293 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 50 P-канал 80 В 25А (Тс) 10 В 72 мОм при 2 А, 10 В 3,5 В при 250 мкА 75 НК при 10 В ±20 В 1639 пФ при 40 В 125 Вт (Тс)
GT10N10 Goford Semiconductor ГТ10Н10 0,1240
запросить цену
ECAD 100 0,00000000 Гофорд Полупроводник ГТ Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 2500 N-канал 100 В 7А (Тс) 4,5 В, 10 В 140 мОм при 3,5 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 4,3 нк при 10 В ±20 В 206 пФ при 50 В - 17 Вт (Тс)
G75P04S Goford Semiconductor G75P04S 0,3260
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП скачать Соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.29.0000 4000 P-канал 40 В 11А (Тс) 4,5 В, 10 В 8 мОм при 10 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 106 НК при 10 В ±20 В 6893 пФ при 20 В - 2,5 Вт (Тс)
G58N06F Goford Semiconductor G58N06F 0,9700
запросить цену
ECAD 75 0,00000000 Гофорд Полупроводник ТренчFET® Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220Ф скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 50 N-канал 60 В 35А (Тс) 4,5 В, 10 В 13 мОм при 30 А, 10 В 2,4 В при 250 мкА 75 НК при 10 В ±20 В 30006 пФ при 30 В Стандартный 44 Вт (Тс)
G1002 Goford Semiconductor G1002 0,0350
запросить цену
ECAD 21 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23-3 скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 4822-G1002TR EAR99 8541.29.0000 3000 N-канал 100 В 2А (Тс) 4,5 В, 10 В 250 мОм при 2 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 10 НК при 10 В ±20 В 535 пФ при 50 В - 1,3 Вт (Тс)
G1008B Goford Semiconductor G1008B 0,5700
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Гофорд Полупроводник ТренчFET® Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) G1008 МОП-транзистор (оксид металла) 3 Вт (Тс) 8-СОП скачать Соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.29.0000 4000 100В 8А (Тс) 130 мОм при 2 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 15,5 НК при 10 В 690пФ при 25 В Стандартный
G230P06K Goford Semiconductor Г230П06К 0,8900
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252 скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0000 2500 P-канал 60 В 60А (Тс) 10 В 20 мОм при 10 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 62 НК при 10 В ±20 В 4581 пФ при 30 В - 115 Вт (Тс)
G20N03K Goford Semiconductor Г20Н03К 0,5500
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 В 30А (Тс) 4,5 В, 10 В 20 мОм при 10 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 18 НК при 10 В ±20 В 923 пФ при 15 В - 33 Вт (Тс)
G700P06H Goford Semiconductor G700P06H 0,5000
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-261-4, ТО-261АА МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-223 скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) EAR99 8541.29.0000 2500 P-канал 60 В 5А (Тс) 4,5 В, 10 В 75 мОм при 6 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 15,8 НК при 10 В ±20 В 1459 пФ при 30 В - 3,1 Вт (Тс)
G2002A Goford Semiconductor Г2002А 0,0850
запросить цену
ECAD 60 0,00000000 Гофорд Полупроводник Г Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-23-6 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23-6Л скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 200 В 2А (Тс) 4,5 В, 10 В 540 мОм при 1 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 16 НК @ 10 В ±20 В 733 пФ при 100 В - 2,5 Вт (Тс)
GT011N03ME Goford Semiconductor GT011N03ME 1,7100
запросить цену
ECAD 800 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263 скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0000 800 N-канал 30 В 209А (Тц) 4,5 В, 10 В 1,6 мОм при 10 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 98 НК при 10 В ±18 В 6140 пФ при 15 В - 89 Вт (Тс)
GT110N06D5 Goford Semiconductor GT110N06D5 0,9100
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Гофорд Полупроводник ГТ Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN МОП-транзистор (оксид металла) 8-ДФН (4,9х5,75) скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 5000 N-канал 60 В 45А (Тс) 4,5 В, 10 В 11 мОм при 14 А, 10 В 2,4 В при 250 мкА 31 НК при 10 В ±20 В 1202 пФ при 30 В - 69 Вт (Тс)
G12P06K Goford Semiconductor Г12П06К 0,4900
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252 скачать Соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.29.0000 2500 P-канал 60 В 12А (Тс) 4,5 В, 10 В 75 мОм при 6 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 23 НК при 10 В ±20 В 1108 пФ при 30 В - 27 Вт (Тс)
G170P03S2 Goford Semiconductor Г170П03С2 0,6700
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (Тс) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) G170 - 1,4 Вт (Тс) 8-СОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 4000 2 P-канала (двойной) 30 В 9А (Тц) 25 мОм при 5 А, 4,5 В 2,5 В при 250 мкА 18 НК при 10 В 1786пФ при 4,5 В -
G12P03D3 Goford Semiconductor G12P03D3 0,0920
запросить цену
ECAD 100 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN МОП-транзистор (оксид металла) 8-ДФН (3,15х3,05) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 5000 P-канал 30 В 12А (Тс) 4,5 В, 10 В 20 мОм при 6 А, 10 В 2 В @ 250 мкА 24,5 НК при 10 В ±20 В 1253 пФ при 15 В - 3 Вт (Тс)
GT011N03D5E Goford Semiconductor GT011N03D5E 1,6700
запросить цену
ECAD 2573 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN МОП-транзистор (оксид металла) 8-ДФН (4,9х5,75) скачать Соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.29.0000 5000 N-канал 30 В 209А (Тц) 4,5 В, 10 В - 2,5 В при 250 мкА 98 НК при 10 В ±16 В 6503 пФ при 15 В - 89 Вт (Тс)
GC20N65Q Goford Semiconductor GC20N65Q 3.5300
запросить цену
ECAD 35 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-247 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8541.29.0095 30 N-канал 650 В 20А (Тс) 10 В 170 мОм при 10 А, 10 В 4,5 В при 250 мкА 39 НК при 10 В ±30 В 1724 пФ при 100 В - 151 Вт (Тс)
GT035N10M Goford Semiconductor ГТ035Н10М 2.8500
запросить цену
ECAD 739 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) ТО-263 скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) EAR99 8541.29.0000 800 N-канал 100 В 190А (Тс) 10 В 3,5 мОм при 20 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 68 НК при 10 В ±20 В 6188 пФ при 50 В - 277 Вт (Тс)
GC11N65F Goford Semiconductor GC11N65F 1,6400
запросить цену
ECAD 145 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220Ф скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 650 В 11А 360 мОм при 5,5 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 21 НК при 10 В ±30 В 901 пФ при 50 В 31,3 Вт
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе