SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.)
GT035N10T Goford Semiconductor GT035N10T 2,4124
запросить цену
ECAD 2959 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 - Соответствует RoHS REACH не касается 3141-ГТ035Н10Т EAR99 8541.29.0000 50 N-канал 100 В 190А (Тс) 10 В 3,5 мОм при 20 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 68 НК при 10 В ±20 В 6057 пФ при 50 В - 250 Вт (Тс)
G1003B Goford Semiconductor G1003B 0,3700
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23-3Л скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 100 В 130 мОм при 1 А, 10 В 2 В @ 250 мкА 30 НК при 10 В ±20 В 760 пФ при 50 В 3,3 Вт
GT045N10T Goford Semiconductor GT045N10T 1,8300
запросить цену
ECAD 91 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует RoHS REACH не касается 3141-ГТ045Н10Т EAR99 8541.29.0000 50 N-канал 100 В 150А (Тс) 10 В 4,8 мОм при 20 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 73 НК при 10 В ±20 В 4198 пФ при 50 В - 156 Вт (Тс)
G2K8P15K Goford Semiconductor Г2К8П15К 0,7500
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252 скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0000 2500 P-канал 150 В 12А (Тс) 10 В 310 мОм при 1 А, 10 В 3,5 В при 250 мкА 11 нк @ 10 В ±20 В 953 пФ при 75 В - 59 Вт (Тс)
G2014 Goford Semiconductor Г2014 0,4200
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-WDFN Открытая площадка МОП-транзистор (оксид металла) 6-ДФН (2х2) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 20 В 14А (Тс) 2,5 В, 10 В 7 мОм при 5 А, 10 В 900 мВ при 250 мкА 17,5 НК при 4,5 В ±12 В 1710 пФ при 10 В - 3 Вт (Тс)
G10P03 Goford Semiconductor G10P03 0,4900
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN МОП-транзистор (оксид металла) 8-ДФН (3,15х3,05) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 5000 P-канал 30 В 10А 1,5 В при 250 мкА 27 НК при 4,5 В ±12 В 1550 пФ при 15 В 20 Вт
G2304 Goford Semiconductor G2304 0,4400
запросить цену
ECAD 8 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 В 3,6 А (Та) 4,5 В, 10 В 58 мОм при 3,6 А, 10 В 2,2 В @ 250 мкА 4 НК при 10 В ±20 В 230 пФ при 15 В Стандартный 1,7 Вт (Та)
G10N03S Goford Semiconductor Г10Н03С 0,4000
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8541.29.0095 4000 N-канал 30 В 10А (Тс) 4,5 В, 10 В 12 мОм при 6 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 17 НК @ 4,5 В ±20 В 839 пФ при 15 В - 2,5 Вт (Тс)
GT030N08T Goford Semiconductor GT030N08T 2,3624
запросить цену
ECAD 1020 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 - Соответствует RoHS REACH не касается 3141-ГТ030Н08Т EAR99 8541.29.0000 50 N-канал 85 В 200А (Тс) 10 В 3 мОм при 20 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 112 НК @ 10 В ±20 В 5822 пФ при 50 В - 260 Вт (Тс)
G085P02TS Goford Semiconductor Г085П02ТС 0,5900
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) МОП-транзистор (оксид металла) 8-ЦСОП скачать Соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.29.0000 5000 P-канал 20 В 8,2 А (Тс) 1,8 В, 4,5 В 8,5 мОм при 4,2 А, 4,5 В 900 мВ при 250 мкА 29 НК при 10 В ±8 В 1255 пФ при 10 В - 1,05 Вт (Тс)
1002 Goford Semiconductor 1002 0,5000
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 100 В 250 мОм при 2 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 10 НК при 10 В ±20 В 387 пФ при 10 В 1,3 Вт
GT025N06AT Goford Semiconductor GT025N06AT 1,7300
запросить цену
ECAD 99 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 60 В 170А (Тс) 4,5 В, 10 В 2,5 мОм при 20 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 70 НК при 10 В ±20 В 4954 пФ при 30 В - 215 Вт (Тс)
G20N03D2 Goford Semiconductor G20N03D2 0,4600
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-WDFN Открытая площадка МОП-транзистор (оксид металла) 6-ДФН (2х2) скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 В 9А (Тц) 4,5 В, 10 В 24 мОм при 5 А, 10 В 2 В @ 250 мкА 20 НК при 10 В ±20 В 873 пФ при 30 В - 1,5 Вт (Тс)
G20P06K Goford Semiconductor Г20П06К 0,6800
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2500 P-канал 60 В 20А (Тс) 10 В 45 мОм при 12 А, 10 В 3,5 В при 250 мкА 46 НК при 10 В ±20 В 3430 пФ при 30 В 90 Вт (Тс)
G60N10K Goford Semiconductor Г60Н10К 0,9700
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252 скачать Соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.29.0000 2500 N-канал 90 В 60А (Тс) 4,5 В, 10 В 25 мОм при 20 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 111 НК @ 10 В ±20 В 4118 пФ при 50 В - 56 Вт (Тс)
G3035 Goford Semiconductor G3035 0,4300
запросить цену
ECAD 12 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.33.0001 3000 P-канал 30 В 4,6 А (Тс) 4,5 В, 10 В 59 мОм при 4 А, 10 В 2 В @ 250 мкА 13 нк @ 10 В ±20 В 650 пФ при 15 В - 1,4 Вт (Тс)
G700P06D5 Goford Semiconductor G700P06D5 0,4900
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Гофорд Полупроводник ТренчFET® Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN МОП-транзистор (оксид металла) 8-ДФН (4,9х5,75) скачать Соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.29.0000 5000 P-канал 60 В 25А (Тс) 4,5 В, 10 В 70 мОм при 4 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 25 НК при 10 В ±20 В 1451 пФ при 30 В Стандартный 42 Вт (Тс)
GC20N65T Goford Semiconductor GC20N65T 2.7300
запросить цену
ECAD 85 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 650 В 20А (Тс) 10 В 170 мОм при 10 А, 10 В 4,5 В при 250 мкА 39 НК при 10 В ±30 В 1724 пФ при 100 В - 151 Вт (Тс)
G75P04T Goford Semiconductor G75P04T -
запросить цену
ECAD 4272 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.29.0000 50 P-канал 40 В 70А (Тс) 4,5 В, 10 В 7 МОм при 20 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 106 НК при 10 В ±20 В 6985 пФ при 20 В - 277 Вт (Тс)
GT110N06S Goford Semiconductor GT110N06S 0,7300
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП скачать 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 4000 N-канал 60 В 14А (Тс) 4,5 В, 10 В 11 мОм при 14 А, 10 В 2,4 В при 250 мкА 24 НК при 10 В ±20 В 1300 пФ при 25 В - 3 Вт (Тс)
G16P03S Goford Semiconductor Г16П03С 0,5900
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) МОП-транзистор (оксид металла) 8-СОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 4000 P-канал 30 В 16А 12 мОм при 10 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 35 НК при 10 В ±20 В 2800 пФ при 15 В 3 Вт
G300P06D5 Goford Semiconductor G300P06D5 0,9100
запросить цену
ECAD 5140 0,00000000 Гофорд Полупроводник Г Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN МОП-транзистор (оксид металла) 8-ДФН (4,9х5,75) скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 5000 P-канал 60 В 40А (Тс) 10 В 30 мОм при 10 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 49 НК при 10 В ±20 В 2705 ​​пФ при 30 В - 50 Вт (Тс)
GT013N04D5 Goford Semiconductor GT013N04D5 0,5251
запросить цену
ECAD 4507 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN МОП-транзистор (оксид металла) 8-ДФН (4,9х5,75) - Соответствует RoHS REACH не касается 3141-ГТ013Н04Д5ТР EAR99 8541.29.0000 5000 N-канал 40 В 195А (Тс) 10 В 1,7 мОм при 30 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 50 НК при 10 В ±20 В 3927 пФ при 20 В - 78 Вт (Тс)
G45P40T Goford Semiconductor Г45П40Т 0,9400
запросить цену
ECAD 399 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 50 P-канал 40 В 45А (Тс) 4,5 В, 10 В 16 мОм при 30 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 42 НК при 10 В ±20 В 3269 пФ при 20 В - 80 Вт (Тс)
G06NP06S2 Goford Semiconductor Г06НП06С2 0,8300
запросить цену
ECAD 11 0,00000000 Гофорд Полупроводник ТренчFET® Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-СОП G06N МОП-транзистор (оксид металла) 2 Вт (Тс), 2,5 Вт (Тс) 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 4000 N и P-канал 6А (Тс) 35 мОм при 6 А, 10 В, 45 мОм при 5 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА, 3,5 В при 250 мкА 22 нк при 10 В, 25 нк при 10 В Стандартный
GT065P06T Goford Semiconductor GT065P06T 1,6800
запросить цену
ECAD 25 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0000 50 P-канал 60 В 82А (Тс) 4,5 В, 10 В 7,5 мОм при 20 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 62 НК при 10 В ±20 В 5335 пФ при 30 В - 150 Вт (Тс)
G05NP04S Goford Semiconductor Г05НП04С 0,1527
запросить цену
ECAD 1938 год 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) МОП-транзистор (оксид металла) 2 Вт (Тс) 8-СОП - Соответствует RoHS REACH не касается 3141-Г05НП04СТР EAR99 8541.29.0000 4000 - 40В 4,5 А (Тс), 10 А (Тс) 41 мОм при 1 А, 10 В, 37 мОм при 10 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 8,9 нк при 10 В, 13 нк при 10 В 516пФ при 20В, 520пФ при 20В Стандартный
GT042P06T Goford Semiconductor GT042P06T 2.7400
запросить цену
ECAD 1319 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0000 50 P-канал 60 В 160А (Тс) 4,5 В, 10 В 4,5 мОм при 15 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 305 НК при 10 В ±20 В 9151 пФ при 30 В - 280 Вт (Тс)
GT080N08D5 Goford Semiconductor GT080N08D5 0,3673
запросить цену
ECAD 3711 0,00000000 Гофорд Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN МОП-транзистор (оксид металла) 8-ДФН (4,9х5,75) - Соответствует RoHS REACH не касается 3141-GT080N08D5TR EAR99 8541.29.0000 5000 N-канал 85 В 65А (Тс) 10 В 8 мОм при 20 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 39 НК при 10 В ±20 В 1885 пФ при 50 В - 69 Вт (Тс)
G25N06K Goford Semiconductor Г25Н06К 0,6200
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Гофорд Полупроводник Г Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 В 25А (Тс) 10 В 27 мОм при 20 А, 10 В 2,5 В при 250 мкА 25 НК при 10 В ±20 В 970 пФ при 30 В - 45 Вт (Тс)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе