SIC
close

Диоды(390)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Скорость Конфигурация диода Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.)
BYC5X-600PQ WeEn Semiconductors BYC5X-600PQ 1.1200
запросить цену
 ECAD 11 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка BYC5 Стандартный ТО-220Ф скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 3,3 В при 5 А 25 нс 10 мкА при 600 В -65°С ~ 175°С 5А -
BYV42EB-200,118 WeEn Semiconductors BYV42EB-200,118 1,6800
запросить цену
 ECAD 6302 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ BYV42 Стандартный Д2ПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 800 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 200 В 30А 1,2 В при 30 А 28 нс 100 мкА при 200 В 150°С (макс.)
BYV410X-600,127 WeEn Semiconductors BYV410X-600,127 1,7500
запросить цену
 ECAD 5 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка BYV410 Стандартный ТО-220Ф скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 600 В 10А 2,1 В при 10 А 35 нс 50 мкА при 600 В 150°С (макс.)
NXPSC04650DJ WeEn Semiconductors NXPSC04650DJ -
запросить цену
 ECAD 2836 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Последняя покупка Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 НКПСК SiC (карбид кремния) Шоттки ДПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 2500 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 4 А 0 нс 170 мкА при 650 В 175°С (макс.) 4А 130пФ @ 1В, 1МГц
BYQ28E-200/H,127 WeEn Semiconductors BYQ28E-200/Ч, 127 0,7600
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 BYQ28 Стандартный ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 200 В 10А 1,25 В при 10 А 25 нс 10 мкА при 200 В 150°С (макс.)
BYC5DX-500,127 WeEn Semiconductors BYC5DX-500,127 0,4125
запросить цену
 ECAD 1052 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка BYC5 Стандартный ТО-220ФП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 500 В 2 В @ 5 А 16 нс 40 мкА при 500 В 150°С (макс.) 5А -
BYV25FB-600,118 WeEn Semiconductors БИВ25ФБ-600,118 0,4620
запросить цену
 ECAD 8436 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ BYV25 Стандартный Д2ПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 800 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,9 В при 5 А 35 нс 50 мкА при 600 В 150°С (макс.) 5А -
WNS40H100C,127 WeEn Semiconductors WNS40H100C, 127 0,4247
запросить цену
 ECAD 3137 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 WNS40 Шоттки ТО-220Э скачать EAR99 8541.10.0080 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 100 В 20А 710 мВ при 20 А 50 мкА при 100 В 150°С
WNB2560MQ WeEn Semiconductors WNB2560MQ 1,6165
запросить цену
 ECAD 1893 г. 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, ГБЖ ВНБ2560 Стандартный ГБЖС скачать EAR99 8541.10.0080 600 920 мВ при 12,5 А 10 мкА при 600 В 25 А Однофазный 600 В
WNSC2D0512006Q WeEn Semiconductors WNSC2D0512006Q 0,8343
запросить цену
 ECAD 8420 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС скачать EAR99 8541.10.0080 1000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,6 В при 5 А 0 нс 25 мкА при 1200 В -55°С ~ 175°С 5А 260пФ @ 1В, 1МГц
WNSC06650T6J WeEn Semiconductors WNSC06650T6J 2.8400
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Последняя покупка Поверхностный монтаж 4-ВСФН Открытая площадка ВНСК0 SiC (карбид кремния) Шоттки 5-ДФН (8х8) скачать 1 (без блокировки) 1740-WNSC06650T6JCT EAR99 8541.10.0080 3000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 6 А 0 нс 40 мкА при 650 В 175°С (макс.) 6А 190пФ @ 1В, 1МГц
WNS30H100CBJ WeEn Semiconductors WNS30H100CBJ 1.1200
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ WNS30 Шоттки Д2ПАК скачать Соответствует RoHS Непригодный EAR99 8541.10.0080 800 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 100 В 15А 710 мВ при 15 А 50 мкА при 100 В 150°С (макс.)
NXPSC10650BJ WeEn Semiconductors NXPSC10650BJ -
запросить цену
 ECAD 4322 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Последняя покупка Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ НКПСК SiC (карбид кремния) Шоттки Д2ПАК скачать 1 (без блокировки) 934070005118 EAR99 8541.10.0080 800 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 10 А 0 нс 250 мкА при 650 В 175°С (макс.) 10А 300пФ @ 1В, 1МГц
WNSC5D04650X6Q WeEn Semiconductors WNSC5D04650X6Q -
запросить цену
 ECAD 5301 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК5 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС - 1740-WNSC5D04650X6Q EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 4 А 0 нс 20 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 4А 138пФ @ 1В, 1МГц
BYV430W-300PQ WeEn Semiconductors BYV430W-300PQ 1,4871
запросить цену
 ECAD 9908 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-3 BYV430 Стандартный ТО-247-3 скачать 1 (без блокировки) 934069529127 EAR99 8541.10.0080 600 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 300 В 30А 1,25 В при 30 А 50 нс 10 мкА при 300 В 175°С (макс.)
BYV32E-150,127 WeEn Semiconductors BYV32E-150,127 1,3100
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 BYV32 Стандартный ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 150 В 20А 1,15 В при 20 А 25 нс 30 мкА при 150 В 150°С (макс.)
BYC5-600PQ WeEn Semiconductors BYC5-600PQ 0,3828
запросить цену
 ECAD 9660 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 BYC5 Стандартный ТО-220АС скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 3,3 В при 5 А 25 нс 10 мкА при 600 В -65°С ~ 175°С 5А -
NXPSC06650XQ WeEn Semiconductors NXPSC06650XQ -
запросить цену
 ECAD 7121 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Последняя покупка Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка НКПСК SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220Ф скачать 1 (без блокировки) 934070152127 EAR99 8541.10.0080 1000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 6 А 0 нс 200 мкА при 650 В 175°С (макс.) 6А 190пФ @ 1В, 1МГц
BYV29D-600PJ WeEn Semiconductors BYV29D-600PJ 0,6400
запросить цену
 ECAD 18 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 BYV29 Стандартный ДПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 2500 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,3 В @ 8 А 75 нс 10 мкА при 600 В 175°С (макс.) 9А -
WNSC6D04650Q WeEn Semiconductors WNSC6D04650Q 0,9000
запросить цену
 ECAD 8930 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК6 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС скачать 1 (без блокировки) 1740-WNSC6D04650Q EAR99 8541.10.0080 50 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,4 В при 4 А 0 нс 30 мкА при 650 В 175°С 4А 233пФ @ 1В, 1МГц
BYC30W-600PT2Q WeEn Semiconductors BYC30W-600PT2Q 2.3400
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 BYC30 Стандартный ТО-247-2 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 934072030127 EAR99 8541.10.0080 450 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 2,75 В при 30 А 34 нс 10 мкА при 600 В 175°С (макс.) 30А -
WNSC04650LJ WeEn Semiconductors WNSC04650LJ -
запросить цену
 ECAD 6166 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Последняя покупка Поверхностный монтаж 4-ВСФН Открытая площадка ВНСК0 SiC (карбид кремния) Шоттки 5-ДФН (8х8) - EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 4 А 0 нс 25 мкА при 650 В 175°С 4А 141пФ @ 1В, 1МГц
BYC30JT-600PSQ WeEn Semiconductors BYC30JT-600PSQ 1,6100
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-3ПФМ, СК-93-3 BYC30 Стандартный ТО-3ПФ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 1740-BYC30JT-600PSQ EAR99 8541.10.0080 480 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 2,75 В при 30 А 22 нс 10 мкА при 600 В 175°С 30А -
WNSC6D10650Q WeEn Semiconductors WNSC6D10650Q 3.2800
запросить цену
 ECAD 945 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК6 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС скачать 1 (без блокировки) 1740-WNSC6D10650Q EAR99 8541.10.0080 50 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,45 В при 10 А 0 нс 50 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 10А 500пФ @ 1В, 1МГц
WNSC101200CWQ WeEn Semiconductors WNSC101200CWQ 6.4099
запросить цену
 ECAD 1793 г. 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Последняя покупка Сквозное отверстие ТО-247-3 ВНСК1 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 30 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,6 В при 5 А 0 нс 50 мкА при 1200 В 175°С (макс.) 10А 250пФ @ 1В, 1МГц
NXPSC126506Q WeEn Semiconductors NXPSC126506Q 3,4650
запросить цену
 ECAD 6107 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Последняя покупка Сквозное отверстие ТО-220-2 НКПСК SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 12 А 0 нс 80 мкА при 650 В 175°С (макс.) 12А 380пФ @ 1В, 1МГц
BYV44-500,127 WeEn Semiconductors BYV44-500,127 1,8400
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 BYV44 Стандартный ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 500 В 30А 1,36 В при 30 А 60 нс 50 мкА при 500 В 150°С (макс.)
NXPSC16650B6J WeEn Semiconductors NXPSC16650B6J 4.0425
запросить цену
 ECAD 8520 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Последняя покупка Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ НКПСК SiC (карбид кремния) Шоттки Д2ПАК скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 800 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 16 А 0 нс 100 мкА при 650 В 175°С (макс.) 16А 534пФ @ 1В, 1МГц
WNSC6D16650CW6Q WeEn Semiconductors WNSC6D16650CW6Q 4.5600
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-3 ВНСК6 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 30 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,45 В при 16 А 0 нс 80 мкА при 650 В 175°С 16А 780пФ @ 1В, 1МГц
BYV30B-600PJ WeEn Semiconductors BYV30B-600PJ 1,2375
запросить цену
 ECAD 8459 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ BYV30 Стандартный Д2ПАК скачать 1 (без блокировки) 934070884118 EAR99 8541.10.0080 800 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,55 В при 30 А 75 нс 10 мкА при 600 В 175°С (макс.) 30А -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.