SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Скорость Конфигурация диода Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) Напряжение — вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.)
BYV30B-600PJ WeEn Semiconductors BYV30B-600PJ 1,2375
запросить цену
ECAD 8459 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ BYV30 Стандартный Д2ПАК скачать 1 (без блокировки) 934070884118 EAR99 8541.10.0080 800 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,55 В при 30 А 75 нс 10 мкА при 600 В 175°С (макс.) 30А -
WNSC5D08650T6J WeEn Semiconductors WNSC5D08650T6J -
запросить цену
ECAD 2007 год 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 4-ВСФН Открытая площадка ВНСК5 SiC (карбид кремния) Шоттки 5-ДФН (8х8) - 1740-WNSC5D08650T6JTR EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В @ 8 А 0 нс 40 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 267пФ @ 1В, 1МГц
BYV30W-600PT2Q WeEn Semiconductors BYV30W-600PT2Q 1,0905
запросить цену
ECAD 7638 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 BYV30 Стандартный ТО-247-2 скачать EAR99 8541.10.0080 600 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,55 В при 30 А 75 нс 10 мкА при 600 В 175°С 30А -
NXPSC04650B6J WeEn Semiconductors NXPSC04650B6J 2.7400
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Последняя покупка Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ НКПСК SiC (карбид кремния) Шоттки Д2ПАК скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 800 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 4 А 0 нс 170 мкА при 650 В 175°С (макс.) 130пФ @ 1В, 1МГц
WNSC2D04650Q WeEn Semiconductors WNSC2D04650Q 1,4100
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 1740-WNSC2D04650Q EAR99 8541.10.0080 50 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 4 А 0 нс 20 мкА при 650 В 175°С 125пФ @ 1В, 1МГц
BYC15-600,127 WeEn Semiconductors BYC15–600 127 1.5000
запросить цену
ECAD 6 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 BYC15 Стандартный ТО-220АС скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 500 В 2,9 В при 15 А 55 нс 200 мкА при 600 В 150°С (макс.) 15А -
BYQ30E-200,127 WeEn Semiconductors BYQ30E-200,127 1.0200
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 BYQ30 Стандартный ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 200 В 16А 1,25 В @ 16 А 25 нс 30 мкА при 200 В 150°С (макс.)
BYV430K-300PQ WeEn Semiconductors BYV430K-300PQ 1,4276
запросить цену
ECAD 7440 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-3П-3, СК-65-3 BYV430 Стандартный ТО-3П скачать 1 (без блокировки) 934069531127 EAR99 8541.10.0080 450 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 300 В 30А 1,25 В при 30 А 55 нс 10 мкА при 300 В 175°С (макс.)
WNSC2D04650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D04650DJ 1.3000
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ДПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 2500 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 4 А 0 нс 20 мкА при 650 В 175°С 125пФ @ 1В, 1МГц
WNSC2D12650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D12650TJ 3.4700
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 4-ВСФН Открытая площадка ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки 5-ДФН (8х8) скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 3000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 12 А 0 нс 60 мкА при 650 В 175°С 12А 380пФ @ 1В, 1МГц
BYV32E-150,127 WeEn Semiconductors BYV32E-150,127 1,3100
запросить цену
ECAD 6 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 BYV32 Стандартный ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 150 В 20А 1,15 В при 20 А 25 нс 30 мкА при 150 В 150°С (макс.)
NXPSC06650XQ WeEn Semiconductors NXPSC06650XQ -
запросить цену
ECAD 7121 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Последняя покупка Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка НКПСК SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220Ф скачать 1 (без блокировки) 934070152127 EAR99 8541.10.0080 1000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 6 А 0 нс 200 мкА при 650 В 175°С (макс.) 190пФ @ 1В, 1МГц
BYV60W-600PQ WeEn Semiconductors BYV60W-600PQ 3.3000
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 BYV60 Стандартный ТО-247-2 скачать Соответствует RoHS Непригодный 934069533127 EAR99 8541.10.0080 30 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 2 В @ 60 А 55 нс 10 мкА при 600 В 175°С (макс.) 60А -
WNSC6D04650Q WeEn Semiconductors WNSC6D04650Q 0,9000
запросить цену
ECAD 8930 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК6 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС скачать 1 (без блокировки) 1740-WNSC6D04650Q EAR99 8541.10.0080 50 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,4 В при 4 А 0 нс 30 мкА при 650 В 175°С 233пФ @ 1В, 1МГц
WNSC2D301200CW6Q WeEn Semiconductors WNSC2D301200CW6Q 5,6835
запросить цену
ECAD 3501 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-247-3 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3 скачать EAR99 8541.10.0080 600 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1 пара с общим катодом 1200 В 30А 1,7 В @ 15 А 0 нс 150 мкА при 1200 В 175°С
BYC5D-500,127 WeEn Semiconductors BYC5D-500,127 0,3960
запросить цену
ECAD 5339 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 BYC5 Стандартный ТО-220АС скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 500 В 2 В @ 5 А 16 нс 40 мкА при 500 В 150°С (макс.) -
BYC5-600PQ WeEn Semiconductors BYC5-600PQ 0,3828
запросить цену
ECAD 9660 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 BYC5 Стандартный ТО-220АС скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 3,3 В при 5 А 25 нс 10 мкА при 600 В -65°С ~ 175°С -
WNB2560MQ WeEn Semiconductors WNB2560MQ 1,6165
запросить цену
ECAD 1893 г. 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, ГБЖ ВНБ2560 Стандартный ГБЖС скачать EAR99 8541.10.0080 600 920 мВ при 12,5 А 10 мкА при 600 В 25 А Однофазный 600 В
WNSC04650LJ WeEn Semiconductors WNSC04650LJ -
запросить цену
ECAD 6166 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Последняя покупка Поверхностный монтаж 4-ВСФН Открытая площадка ВНСК0 SiC (карбид кремния) Шоттки 5-ДФН (8х8) - EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 4 А 0 нс 25 мкА при 650 В 175°С 141пФ @ 1В, 1МГц
BYT79-500,127 WeEn Semiconductors БЮТ79-500127 1,4600
запросить цену
ECAD 19 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 BYT79 Стандартный ТО-220АС скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 500 В 1,38 В при 30 А 60 нс 50 мкА при 500 В 150°С (макс.) 14А -
WBST080SCM120CGALW WeEn Semiconductors WBST080SCM120CGALW 11,6617
запросить цену
ECAD 9134 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный WBST080 - 1
WNSC2D0512006Q WeEn Semiconductors WNSC2D0512006Q 0,8343
запросить цену
ECAD 8420 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС скачать EAR99 8541.10.0080 1000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,6 В при 5 А 0 нс 25 мкА при 1200 В -55°С ~ 175°С 260пФ @ 1В, 1МГц
WNSC2D08650Q WeEn Semiconductors WNSC2D08650Q 2,4700
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 1740-WNSC2D08650Q EAR99 8541.10.0080 50 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В @ 8 А 0 нс 40 мкА при 650 В 175°С 260пФ @ 1В, 1МГц
BYV29D-600PJ WeEn Semiconductors BYV29D-600PJ 0,6400
запросить цену
ECAD 18 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 BYV29 Стандартный ДПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 2500 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,3 В @ 8 А 75 нс 10 мкА при 600 В 175°С (макс.) -
BYR29X-800,127 WeEn Semiconductors BYR29X-800 127 1,2700
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка 29 белорусских рублей Стандартный ТО-220ФП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 800 В 1,7 В @ 8 А 75 нс 10 мкА при 800 В 150°С (макс.) -
WNSC2D10650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D10650DJ 2.7300
запросить цену
ECAD 7 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ДПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 2500 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 10 А 0 нс 50 мкА при 650 В 175°С 10А 310пФ @ 1В, 1МГц
BYC60W-600PQ WeEn Semiconductors BYC60W-600PQ 3.3000
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 BYC60 Стандартный ТО-247-2 скачать Соответствует RoHS Непригодный 934069532127 EAR99 8541.10.0080 30 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 2,6 В при 60 А 50 нс 10 мкА при 600 В 175°С (макс.) 60А -
BYV29FX-600,127 WeEn Semiconductors BYV29FX-600,127 0,9700
запросить цену
ECAD 88 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка BYV29 Стандартный ТО-220ФП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,9 В @ 8 А 35 нс 50 мкА при 600 В 150°С (макс.) -
WNS40H100C,127 WeEn Semiconductors WNS40H100C, 127 0,4247
запросить цену
ECAD 3137 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 WNS40 Шоттки ТО-220Э скачать EAR99 8541.10.0080 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 100 В 20А 710 мВ при 20 А 50 мкА при 100 В 150°С
MURS160J WeEn Semiconductors MURS160J 0,4000
запросить цену
ECAD 15 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ДО-214АС, СМА Стандартный СМАЭ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 15 000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,25 В при 1 А 75 нс 5 мкА при 600 В 175°С -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе