SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Размер / Размер Пакет/ключи Тип Базовый номер продукта Масса Напряжение питания Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тип Размер Формфактор-фактор Скорость - Чтение Скорость — запись Ток - Макс. Скорость передачи данных (Мбит/с, МТ/с, МГц)
AF960GSTCJ-7BAXP ATP Electronics, Inc. AF960GSTCJ-7BAXP -
запросить цену
ECAD 8399 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. А600С Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С 100,00 мм х 69,90 мм х 9,20 мм САТА III - - Соответствует ROHS3 REACH не касается 1282-AF960GSTCJ-7BAXP УСТАРЕВШИЙ 1 Твердотельный накопитель (SSD) FLASH – NAND (TLC) 960 ГБ 2,5 дюйма 560 МБ/с 500 МБ/с -
AF480GSTCJ-7BDIP ATP Electronics, Inc. AF480GSTCJ-7BDIP 223,6825
запросить цену
ECAD 6282 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. А600Си Поднос Активный -40°С ~ 85°С 100,00 мм х 69,85 мм х 7,00 мм САТА III - - REACH не касается 1282-AF480GSTCJ-7BDIP 8 Твердотельный накопитель (SSD) FLASH-NAND 480 ГБ 2,5 дюйма 560 МБ/с 500 МБ/с -
AQ24P6418BLF8M ATP Electronics, Inc. AQ24P6418BLF8M 110,8080
запросить цену
ECAD 2927 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. - Масса Активный Модуль AQ24P6418 - Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8473.30.1140 50 8 ГБ
A4F08QD8BNPBSE ATP Electronics, Inc. A4F08QD8BNPBSE 70.3100
запросить цену
ECAD 17 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. - Масса Активный 260-SODIMM A4F08 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8 ГБ 2133
AL96P72F4DNH9T ATP Electronics, Inc. АЛ96П72Ф4ДНХ9Т -
запросить цену
ECAD 9434 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. - Масса Устаревший - REACH не касается 1282-АЛ96П72Ф4ДНХ9Т УСТАРЕВШИЙ 1
AL24M7218BLK0M ATP Electronics, Inc. АЛ24М7218БЛК0М 139,3700
запросить цену
ECAD 6337 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. - Масса Активный Модуль АЛ24М7218 - Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8473.30.1140 10 8 ГБ
AQ24P72E8BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ24P72E8BLK0M 118.1200
запросить цену
ECAD 1042 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. - Масса Активный Модуль AQ24P72 - Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8473.30.1140 50 8 ГБ
A4C08QW8BLRCME ATP Electronics, Inc. A4C08QW8BLRCME 132.0464
запросить цену
ECAD 7051 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. - Масса Активный 288-УДИММ A4C08 - Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 8 ГБ 2400
A4B04QG8BLPBME ATP Electronics, Inc. A4B04QG8BLPBME 79.3308
запросить цену
ECAD 4569 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. - Масса Активный Модуль А4Б04 - Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4ГБ 2133
AF480GSTIC-7BEXP ATP Electronics, Inc. AF480GSTIC-7BEXP 186,7797
запросить цену
ECAD 3847 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. А600С Поднос Активный 0°С ~ 70°С 80,00 мм х 22,00 мм х 3,50 мм САТА III - 3,3 В - Соответствует ROHS3 REACH не касается 1282-AF480GSTIC-7BEXP 30 Твердотельный накопитель (SSD) FLASH – NAND (TLC) 480 ГБ Модуль М.2 560 МБ/с 440 МБ/с -
A4C08QV8BNRCSE ATP Electronics, Inc. A4C08QV8BNRCSE 53,4660
запросить цену
ECAD 7559 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. - Масса Активный 288-УДИММ A4C08 - Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 8 ГБ 2400
AF2GUFEDBK(I)-8AAXX ATP Electronics, Inc. AF2GUFEDBK(I)-8AAXX -
запросить цену
ECAD 5866 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. - Поднос Устаревший - - - - - - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается AF2GUFEDBKI8AAXX 3А991Б1А 8471.70.9000 49 - - - - - -
AF960GSTJA-8BCIP ATP Electronics, Inc. AF960GSTJA-8BCIP 384,5200
запросить цену
ECAD 30 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. М.2 НВМе Поднос Активный -40°С ~ 85°С 80,00 мм х 22,00 мм х 3,50 мм NVMe - - скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 1282-AF960GSTJA-8BCIP 3А991Б1А 8523.51.0000 30 Твердотельный накопитель (SSD) FLASH – NAND (TLC) 960 ГБ Модуль М.2 3,42 ГБ/с 3,05 ГБ/с -
AF120GSTHI-7BDXP ATP Electronics, Inc. AF120GSTHI-7BDXP 106,5713
запросить цену
ECAD 5337 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. А600Sc Поднос Активный 0°С ~ 70°С 50,80 мм х 29,85 мм х 3,50 мм САТА III - 3,3 В - REACH не касается 1282-AF120GSTHI-7BDXP 32 Твердотельный накопитель (SSD) FLASH-NAND 120 ГБ мSATA 560 МБ/с 460 МБ/с -
AF960GSTJA-8BDIX ATP Electronics, Inc. AF960GSTJA-8BDIX 344,6043
запросить цену
ECAD 2734 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. N650Si Поднос Активный -40°С ~ 85°С 80,00 мм х 22,00 мм х 3,50 мм NVMe - 3,3 В - REACH не касается 1282-AF960GSTJA-8BDIX 30 Твердотельный накопитель (SSD) FLASH-NAND 960 ГБ Модуль М.2 3,42 ГБ/с 3,05 ГБ/с -
AF960GSTCJ-7BEXP ATP Electronics, Inc. AF960GSTCJ-7BEXP 305,6696
запросить цену
ECAD 7124 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. А600С Поднос Активный 0°С ~ 70°С 100,00 мм х 69,90 мм х 9,20 мм САТА III - - Соответствует ROHS3 REACH не касается 1282-AF960GSTCJ-7BEXP 8 Твердотельный накопитель (SSD) FLASH – NAND (TLC) 960 ГБ 2,5 дюйма 560 МБ/с 500 МБ/с -
AW12M7218BLH9M ATP Electronics, Inc. AW12M7218BLH9M 68,2776
запросить цену
ECAD 3523 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. - Масса Активный 204-УДИММ AW12M7218 - Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8473.30.1140 50 4ГБ
A4B04QD8BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4B04QD8BLPBSE 57.1504
запросить цену
ECAD 1144 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. - Поднос Активный Модуль А4Б04 - Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8473.30.1140 50 DDR4 SDRAM 4ГБ 2400
AQ56P72D8BKH9S ATP Electronics, Inc. AQ56P72D8BKH9S 43.2434
запросить цену
ECAD 7804 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. - Поднос Активный Модуль AQ56P72 - Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8473.30.1140 50 2 ГБ
AW24P64F8BLK0S ATP Electronics, Inc. AW24P64F8BLK0S 73.0220
запросить цену
ECAD 9580 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. - Масса Активный 240-УДИММ AW24P64 - Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8473.30.1140 50 8 ГБ
AF240GSTJA-DBCXX ATP Electronics, Inc. AF240GSTJA-DBCXX 97.4000
запросить цену
ECAD 10 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. N600Vc Поднос Активный 0°С ~ 70°С 80,00 мм х 22,00 мм х 2,20 мм NVMe - - скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 1282-AF240GSTJA-DBCXX 3А991Б1А 8523.51.0000 30 Твердотельный накопитель (SSD) FLASH – NAND (TLC) 240 ГБ Модуль М.2 2,6 ГБ/с 1,87 ГБ/с -
AQ12P72D8BLK0M ATP Electronics, Inc. AQ12P72D8BLK0M 67.1184
запросить цену
ECAD 8860 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. - Масса Активный Модуль AQ12P72 - Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8473.30.1140 50 4ГБ
AQ56P72X8BKF8M ATP Electronics, Inc. AQ56P72X8BKF8M 58.0545
запросить цену
ECAD 8344 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. - Масса Активный Модуль AQ56P72 - Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8473.30.1140 50 2 ГБ
AF240GSTCJ-7BEXP ATP Electronics, Inc. AF240GSTCJ-7BEXP 148.1079
запросить цену
ECAD 7325 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. А600С Поднос Активный 0°С ~ 70°С 100,00 мм х 69,90 мм х 9,20 мм САТА III - - Соответствует ROHS3 REACH не касается 1282-AF240GSTCJ-7BEXP 8 Твердотельный накопитель (SSD) FLASH – NAND (TLC) 240 ГБ 2,5 дюйма 560 МБ/с 500 МБ/с -
AF960GSTJA-8BFXX ATP Electronics, Inc. AF960GSTJA-8BFXX 316,3167
запросить цену
ECAD 1977 год 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. Н600С Поднос Активный 0°С ~ 70°С 80,00 мм х 22,00 мм х 3,50 мм NVMe - 3,3 В - Соответствует ROHS3 REACH не касается 1282-AF960GSTJA-8BFXX 30 Твердотельный накопитель (SSD) FLASH – NAND (TLC) 960 ГБ Модуль М.2 3,42 ГБ/с 3,05 ГБ/с -
AF64GSD4-BBDIM ATP Electronics, Inc. AF64GSD4-BBDIM 26.1224
запросить цену
ECAD 7450 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. * Поднос Активный - REACH не касается 1282-AF64GSD4-BBDIM 32
AF120GSTHI-7BEXP ATP Electronics, Inc. AF120GSTHI-7BEXP 97.3597
запросить цену
ECAD 9583 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. А600С Поднос Активный 0°С ~ 70°С 50,80 мм х 29,85 мм х 3,50 мм САТА III - 3,3 В - Соответствует ROHS3 REACH не касается 1282-AF120GSTHI-7BEXP 32 Твердотельный накопитель (SSD) FLASH – NAND (TLC) 120 ГБ мSATA 560 МБ/с 440 МБ/с -
AF120GSTJA-8BCXP ATP Electronics, Inc. AF120GSTJA-8BCXP 129.0320
запросить цену
ECAD 5209 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. М.2 НВМе Поднос Активный 0°С ~ 70°С 80,00 мм х 22,00 мм х 3,50 мм NVMe - - скачать REACH не касается 1282-AF120GSTJA-8BCXP 30 Твердотельный накопитель (SSD) FLASH – NAND (TLC) 120 ГБ Модуль М.2 3,42 ГБ/с 3,05 ГБ/с -
AF1T92STJA-8BAXX ATP Electronics, Inc. AF1T92STJA-8BAXX -
запросить цену
ECAD 9942 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. Н600С Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С 80,00 мм х 22,00 мм х 3,50 мм NVMe - 3,3 В - Соответствует ROHS3 REACH не касается 1282-AF1T92STJA-8BAXX УСТАРЕВШИЙ 1 Твердотельный накопитель (SSD) FLASH – NAND (TLC) 1,92 ТБ Модуль М.2 3,42 ГБ/с 3,05 ГБ/с -
AF120GSTJA-8BCIP ATP Electronics, Inc. AF120GSTJA-8BCIP 172,9600
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 АТП Электроникс, Инк. М.2 НВМе Поднос Активный -40°С ~ 85°С 80,00 мм х 22,00 мм х 3,50 мм NVMe - - скачать 1 (без блокировки) REACH не касается 1282-AF120GSTJA-8BCIP 3А991Б1А 8523.51.0000 30 Твердотельный накопитель (SSD) FLASH – NAND (TLC) 120 ГБ Модуль М.2 3,42 ГБ/с 3,05 ГБ/с -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе