SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Тип входа Утверждающее агентство Количество вариантов Тип выхода Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Ток — выход/канал Скорость передачи данных Время подъема/спада (типичное) Напряжение - Выход (Макс.) Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Напряжение – изоляция Напряжение – выключенное состояние Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) Ток — удержание (Ih) Входы — сторона 1/сторона 2 Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.) Схема пересечения нулей Статическое dV/dt (мин) Ток — триггер светодиода (Ift) (макс.) Время включения
TLP781(D4GRL-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4GRL-TP6,F -
запросить цену
ECAD 4437 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ТЛП781 округ Колумбия 1 Транзистор 4-СМД скачать 1 (без блокировки) 264-ТЛП781(Д4ГРЛ-ТП6ФТР EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 200% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP183(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(Y-TPL,E 0,5000
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП183 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 150% при 5 мА 150% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP781(D4-GB-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-GB-LF6,F -
запросить цену
ECAD 3421 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ТЛП781 округ Колумбия 1 Транзистор 4-СМД скачать 1 (без блокировки) 264-TLP781(D4-GB-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP184(TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(ТПР,СЭ 0,5000
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП184 переменный ток, постоянный ток 1 Транзистор 6-СОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP292-4(LGBTR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(ЛГБТР,Э 1,7900
запросить цену
ECAD 7026 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП292 переменный ток, постоянный ток 4 Транзистор 16-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 500 мкА 600% при 500 мкА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP781F(D4-TELS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-TELS,Ф) -
запросить цену
ECAD 7023 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-ДИП (0,400", 10,16 мм) ТЛП781Ф округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-ТЛП781Ф(Д4-ТЕЛСФ) EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP714(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП714(Ф) -
запросить цену
ECAD 5428 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,268 дюйма, 6,80 мм) ТЛП714 округ Колумбия 1 Открытый коллектор 4,5 В ~ 30 В 6-СДИП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ТЛП714Ф EAR99 8541.49.8000 100 15 мА 1 Мбит/с - 1,55 В 20 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 20 кВ/мкс 550 нс, 400 нс
TLP385(BL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(BL-TPR,E 0,5600
запросить цену
ECAD 9723 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП385 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СО, 4 вывода скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 200% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP105(HO-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105(HO-TPR,F) -
запросить цену
ECAD 6609 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 5 выводов округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 4,5 В ~ 20 В 6-МФСОП, 5 отведений скачать 264-ТЛП105(ХО-ТПРФ) EAR99 8541.49.8000 1 50 мА 5 Мбит/с 30 нс, 30 нс 1,57 В 20 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 1/0 10 кВ/мкс 250 нс, 250 нс
TLP265J(V4T7TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(V4T7TR,E 0,8400
запросить цену
ECAD 3858 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП265 CQC, cUR, UR, VDE 1 Триак 6-СОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 1,27 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 600 В 70 мА 1 мА (тип.) Нет 500 В/мкс (тип.) 7мА 20 мкс
TLP732(D4GRH-LF5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(D4GRH-LF5,F -
запросить цену
ECAD 4780 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП732 - 1 (без блокировки) 264-TLP732(D4GRH-LF5F EAR99 8541.49.8000 50
TLP290(Y-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(Y-TP,SE 0,4200
запросить цену
ECAD 8907 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП290 переменный ток, постоянный ток 1 Транзистор 4-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2500 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 150% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP161J(T5TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J(T5TL,U,C,F -
запросить цену
ECAD 9548 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Лента и катушка (TR) Устаревший TLP161J - 1 (без блокировки) 264-TLP161J(T5TLUCFTR EAR99 8541.49.8000 3000
TLP388(D4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(D4-GB,E 0,7900
запросить цену
ECAD 8104 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП388 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СО, 4 вывода скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 125 50 мА 2 мкс, 3 мкс 350В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP185(GR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GR,SE 0,6000
запросить цену
ECAD 5164 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП185 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) TLP185(GRSE EAR99 8541.49.8000 125 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 300% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP2630(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП2630(Ф) -
запросить цену
ECAD 7912 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП2630 округ Колумбия 2 Открытый коллектор, резьба Шоттки 4,5 В ~ 5,5 В 8-ДИП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 50 16 мА 10 МБд 30 нс, 30 нс 1,65 В 20 мА 2500 В (среднеквадратичное значение) 2/0 200 В/мкс, 500 В/мкс (тип.) 75нс, 75нс
TLP160J(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J(У,Ц,Ф) -
запросить цену
ECAD 7927 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП160Дж УР 1 Триак 6-МФСОП, 4 отведения скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 150 1,15 В 50 мА 2500 В (среднеквадратичное значение) 600 В 70 мА 1 мА (тип.) Нет 500 В/мкс 10 мА 30 мкс
TLP292-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(TP,E 1,7900
запросить цену
ECAD 2765 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП292 переменный ток, постоянный ток 4 Транзистор 16-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP184(GB-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(GB-TPR,SE 0,5100
запросить цену
ECAD 4005 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП184 переменный ток, постоянный ток 1 Транзистор 6-СОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP785F(D4B-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП785Ф(Д4Б-Т7,Ф -
запросить цену
ECAD 2374 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-ДИП (0,400", 10,16 мм) ТЛП785 округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-TLP785F(D4B-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP137(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП137(Ф) -
запросить цену
ECAD 8722 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 5 выводов ТЛП137 округ Колумбия 1 Транзистор с базой 6-МФСОП, 5 отведений скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 150 50 мА 8 мкс, 8 мкс 80В 1,15 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 1 мА 1200% при 1 мА 10 мкс, 8 мкс 400мВ
TLP290(GR-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(GR-TP,SE 0,5100
запросить цену
ECAD 6444 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП290 переменный ток, постоянный ток 1 Транзистор 4-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2500 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 300% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP2108(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП2108(Ф) -
запросить цену
ECAD 5512 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) ТЛП2108 округ Колумбия 2 Push-Pull, Тотемный столб 4,5 В ~ 20 В 8-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 100 25 мА 5 Мбит/с 30 нс, 30 нс 1,65 В 20 мА 2500 В (среднеквадратичное значение) 2/0 10 кВ/мкс 250 нс, 250 нс
TLP332(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП332(Ф) -
запросить цену
ECAD 5578 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 6-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП332 округ Колумбия 1 Транзистор 6-ДИП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 50 50 мА 8 мкс, 8 мкс 55В 1,15 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 1 мА 1200% при 1 мА 10 мкс, 8 мкс 400мВ
TLP185(GR-TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GR-TPR,E) -
запросить цену
ECAD 6321 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП185 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 5 мкс, 9 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 300% при 5 мА 9 мкс, 9 мкс 300мВ
TLP631(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП631(Ф) -
запросить цену
ECAD 1006 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 6-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП631 округ Колумбия 1 Транзистор с базой 6-ДИП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 50 50 мА 2 мкс, 3 мкс 55В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP3032(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3032(С,К,Ф) -
запросить цену
ECAD 4051 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший - Сквозное отверстие 6-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм), 5 выводов ТЛП3032 СЕМКО, УР 1 Триак 6-DIP (разрез), 5 выводов - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ТЛП3032(СКФ) EAR99 8541.49.8000 50 - 5000 В (среднеквадратичное значение) 250 В 100 мА - Да - 10 мА -
TLP9114B(SND-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B(СНД-ТЛ,Ф) -
запросить цену
ECAD 7866 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Масса Устаревший - 264-ТЛП9114Б(СНД-ТЛ,Ф) EAR99 8541.49.8000 1
TLP2719(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2719(Е 1,7200
запросить цену
ECAD 1683 г. 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП2719 округ Колумбия 1 Открытый коллектор 4,5 В ~ 20 В 6-СО скачать 1 (без блокировки) 264-ТЛП2719(Е EAR99 8541.49.8000 125 8 мА 1 МБд - 1,6 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 10 кВ/мкс 800 нс, 800 нс
TLP185(YL-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(YL-TPR,SE -
запросить цену
ECAD 3960 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП185 округ Колумбия 1 Транзистор с базой 6-СОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) TLP185(YL-TPRSE EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе