SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Тип входа Утверждающее агентство Количество вариантов Тип выхода Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Ток — выход/канал Скорость передачи данных Время подъема/спада (типичное) Напряжение - Выход (Макс.) Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Напряжение – изоляция Напряжение – выключенное состояние Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) Ток — удержание (Ih) Входы — сторона 1/сторона 2 Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.) Схема пересечения нулей Статическое dV/dt (мин) Ток — триггер светодиода (Ift) (макс.) Время включения
TLP121(GRL-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП121(ГРЛ-ТПЛ,Ф) -
запросить цену
ECAD 8219 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SMD (4 вывода), крыло чайки ТЛП121 округ Колумбия 1 Транзистор 6-МФСОП, 4 отведения - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ТЛП121(ГРЛ-ТПЛФ) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP781(D4GRL-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4GRL-TP6,F -
запросить цену
ECAD 4437 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ТЛП781 округ Колумбия 1 Транзистор 4-СМД скачать 1 (без блокировки) 264-ТЛП781(Д4ГРЛ-ТП6ФТР EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 200% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP183(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(Y-TPL,E 0,5000
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП183 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 150% при 5 мА 150% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP781(D4-GB-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-GB-LF6,F -
запросить цену
ECAD 3421 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-СМД, Крыло Чайки ТЛП781 округ Колумбия 1 Транзистор 4-СМД скачать 1 (без блокировки) 264-TLP781(D4-GB-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP184(TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(ТПР,СЭ 0,5000
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП184 переменный ток, постоянный ток 1 Транзистор 6-СОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP292-4(LGBTR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(ЛГБТР,Э 1,7900
запросить цену
ECAD 7026 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП292 переменный ток, постоянный ток 4 Транзистор 16-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 500 мкА 600% при 500 мкА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP3032(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3032(С,К,Ф) -
запросить цену
ECAD 4051 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший - Сквозное отверстие 6-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм), 5 выводов ТЛП3032 СЕМКО, УР 1 Триак 6-DIP (разрез), 5 выводов - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ТЛП3032(СКФ) EAR99 8541.49.8000 50 - 5000 В (среднеквадратичное значение) 250 В 100 мА - Да - 10 мА -
TLP627M(D4-TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП627М(Д4-ТП1,Э 0,9200
запросить цену
ECAD 1428 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-СМД (0,300", 7,62 мм) ТЛП627 округ Колумбия 1 Дарлингтон 4-СМД скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 1500 150 мА 60 мкс, 30 мкс 300В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1000% при 1 мА - 110 мкс, 30 мкс 1,2 В
TLP731(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП731(Д4-ЛФ2,Ф) -
запросить цену
ECAD 4092 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП731 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП731(Д4-ЛФ2Ф) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2662(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП2662(Ф) 1,8400
запросить цену
ECAD 980 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 125°С Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП2662 округ Колумбия 2 Открытый коллектор 2,7 В ~ 5,5 В 8-ДИП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ТЛП2662Ф EAR99 8541.49.8000 50 25 мА 10 МБд 12нс, 3нс 1,55 В 20 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 2/0 20 кВ/мкс 75нс, 75нс
TLP734(D4-GRL,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП734(Д4-ГРЛ,М,Ф) -
запросить цену
ECAD 1374 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП734 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП734(Д4-ГРЛМФ) EAR99 8541.49.8000 50
TLP160J(DMT7-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J(DMT7-TPL,F -
запросить цену
ECAD 8395 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Лента и катушка (TR) Устаревший ТЛП160 - 1 (без блокировки) 264-TLP160J(DMT7-TPLFTR EAR99 8541.49.8000 3000
TLP627M(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП627М(Д4,Е 0,9200
запросить цену
ECAD 6486 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП627 округ Колумбия 1 Дарлингтон 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-ТЛП627М(Д4Э EAR99 8541.49.8000 100 150 мА 60 мкс, 30 мкс 300В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1000% при 1 мА - 110 мкс, 30 мкс 1,2 В
TLP250H(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП250Х(Ф) 1,7900
запросить цену
ECAD 6747 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 125°С Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП250 округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 10 В ~ 30 В 8-ДИП скачать Соответствует RoHS Непригодный EAR99 8541.49.8000 50 2,5 А - 50 нс, 50 ​​нс 1,57 В 20 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 1/0 40 кВ/мкс 500 нс, 500 нс
TLP2408(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП2408(Ф) -
запросить цену
ECAD 8958 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) ТЛП2408 округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 4,5 В ~ 20 В 8-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ТЛП2408Ф EAR99 8541.49.8000 100 25 мА 5 Мбит/с 30 нс, 30 нс 1,57 В 25 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 1/0 15 кВ/мкс 250 нс, 250 нс
TLP732F(D4-BL-T4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732F(D4-BL-T4,Ф -
запросить цену
ECAD 7427 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП732 - 1 (без блокировки) 264-TLP732F(D4-BL-T4F EAR99 8541.49.8000 50
TLP292-4(LGBTP,E Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП292-4(ЛГБТП,Э 1,7900
запросить цену
ECAD 5371 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП292 переменный ток, постоянный ток 4 Транзистор 16-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 500 мкА 600% при 500 мкА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP759(LF1,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(LF1,J,F) -
запросить цену
ECAD 6163 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 8-СМД, Крыло Чайки ТЛП759 округ Колумбия 1 Транзистор 8-СМД скачать Соответствует RoHS Непригодный ТЛП759(LF1JF) EAR99 8541.49.8000 50 8мА - 20 В 1,65 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 20% при 16 мА - 200 нс, 300 нс -
TLP292-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(TP,E 1,7900
запросить цену
ECAD 2765 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП292 переменный ток, постоянный ток 4 Транзистор 16-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP184(GB-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(GB-TPR,SE 0,5100
запросить цену
ECAD 4005 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП184 переменный ток, постоянный ток 1 Транзистор 6-СОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP785F(D4B-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП785Ф(Д4Б-Т7,Ф -
запросить цену
ECAD 2374 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Сквозное отверстие 4-ДИП (0,400", 10,16 мм) ТЛП785 округ Колумбия 1 Транзистор 4-ДИП скачать 1 (без блокировки) 264-TLP785F(D4B-T7FTR EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP137(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП137(Ф) -
запросить цену
ECAD 8722 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 5 выводов ТЛП137 округ Колумбия 1 Транзистор с базой 6-МФСОП, 5 отведений скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 150 50 мА 8 мкс, 8 мкс 80В 1,15 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 1 мА 1200% при 1 мА 10 мкс, 8 мкс 400мВ
TLP290(GR-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(GR-TP,SE 0,5100
запросить цену
ECAD 6444 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП290 переменный ток, постоянный ток 1 Транзистор 4-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2500 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 300% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP2108(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП2108(Ф) -
запросить цену
ECAD 5512 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) ТЛП2108 округ Колумбия 2 Push-Pull, Тотемный столб 4,5 В ~ 20 В 8-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 100 25 мА 5 Мбит/с 30 нс, 30 нс 1,65 В 20 мА 2500 В (среднеквадратичное значение) 2/0 10 кВ/мкс 250 нс, 250 нс
TLP185(GR-TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GR-TPR,E) -
запросить цену
ECAD 6321 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП185 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 5 мкс, 9 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 300% при 5 мА 9 мкс, 9 мкс 300мВ
TLP631(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП631(Ф) -
запросить цену
ECAD 1006 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 6-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП631 округ Колумбия 1 Транзистор с базой 6-ДИП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 50 50 мА 2 мкс, 3 мкс 55В 1,15 В 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP290(Y-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(Y-TP,SE 0,4200
запросить цену
ECAD 8907 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП290 переменный ток, постоянный ток 1 Транзистор 4-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2500 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 150% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP161J(T5TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J(T5TL,U,C,F -
запросить цену
ECAD 9548 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Лента и катушка (TR) Устаревший TLP161J - 1 (без блокировки) 264-TLP161J(T5TLUCFTR EAR99 8541.49.8000 3000
TLP388(D4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(D4-GB,E 0,7900
запросить цену
ECAD 8104 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП388 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СО, 4 вывода скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 125 50 мА 2 мкс, 3 мкс 350В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP185(GR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GR,SE 0,6000
запросить цену
ECAD 5164 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП185 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) TLP185(GRSE EAR99 8541.49.8000 125 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 300% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе