SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Тип входа Утверждающее агентство Количество вариантов Тип выхода Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Ток — выход/канал Скорость передачи данных Время подъема/спада (типичное) Напряжение - Выход (Макс.) Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Напряжение – изоляция Напряжение – выключенное состояние Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) Ток — удержание (Ih) Входы — сторона 1/сторона 2 Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.) Схема пересечения нулей Статическое dV/dt (мин) Ток — триггер светодиода (Ift) (макс.) Время включения
TLP183(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GR-TPL,E 0,5100
запросить цену
ECAD 9310 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП183 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 300% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP126(TEE-TPLS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126(ТРОЙНИК-TPLS,F) -
запросить цену
ECAD 7628 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Лента и катушка (TR) Устаревший ТЛП126 - 1 (без блокировки) 264-TLP126(ТРОЙНИК-TPLSF)ТР EAR99 8541.49.8000 3000
TLP290(E) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП290(Е) -
запросить цену
ECAD 4304 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП290 переменный ток, постоянный ток 1 Транзистор 4-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 175 50 мА 4 мкс, 7 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 400% при 5 мА 7 мкс, 7 мкс 300мВ
TLP3924(TP15,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3924(ТП15,Ф) 4.0800
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-SMD, плоские выводы ТЛП3924 округ Колумбия 1 Фотоэлектрический 4-ССОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 1500 4мкА - 30В 1,3 В 30 мА 1500 В (среднеквадратичное значение) - - - -
TLP131(GR-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131(GR-TPR,F) -
запросить цену
ECAD 8853 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 5 выводов ТЛП131 округ Колумбия 1 Транзистор с базой 6-МФСОП, 5 отведений - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) TLP131(GR-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,15 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP293-4(V4GBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(V4GBTPE 1,6300
запросить цену
ECAD 3551 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП293 округ Колумбия 4 Транзистор 16-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2000 г. 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP2703(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2703(Е 1,4600
запросить цену
ECAD 1968 год 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Активный -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП2703 округ Колумбия 1 Дарлингтон 6-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) TLP2703(Е(Т EAR99 8541.49.8000 125 80 мА - 18В 1,47 В 20 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 900% при 500 мкА 8000% при 500 мкА 330 нс, 2,5 мкс -
TLP109(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109(ТПЛ,Е 1.3000
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,179 дюйма, ширина 4,55 мм), 5 выводов ТЛП109 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СО, 5 выводов скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 8мА - 20 В 1,64 В 20 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 20% при 16 мА - 800 нс, 800 нс (макс.) -
TLP9114B(OGI-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B(ОГИ-ТЛ,Ф) -
запросить цену
ECAD 2693 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Масса Устаревший - 264-ТЛП9114Б(ОГИ-ТЛФ) EAR99 8541.49.8000 1
TLP512(NEMIC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512(НЕМИК,Ф) -
запросить цену
ECAD 9991 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП512 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП512(НЕМИКФ) EAR99 8541.49.8000 50
TLP669LF(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP669LF(S,C,F) -
запросить цену
ECAD 2653 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший - Сквозное отверстие 6-DIP (0,400 дюймов, 10,16 мм), 5 выводов ТЛП669 CSA, cUL, UL, VDE 1 Триак 6-ДИП скачать 264-ТЛП669ЛФ(СКФ) EAR99 8541.49.8000 1 - 5000 В (среднеквадратичное значение) 800 В 100 мА - Да - 10 мА -
TLP2309(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2309(ТПЛ,Э) 1,2700
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,179 дюйма, ширина 4,55 мм), 5 выводов ТЛП2309 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СО, 5 выводов скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 8мА - 20 В 1,55 В 25 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 15% при 16 мА - 1 мкс, 1 мкс (макс.) -
TLP185(YL-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(YL-TPL,SE -
запросить цену
ECAD 9890 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП185 округ Колумбия 1 Транзистор с базой 6-СОП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) TLP185(YL-TPLSE EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP731(BL-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(BL-LF2,Ф) -
запросить цену
ECAD 4648 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП731 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП731(БЛ-ЛФ2Ф) EAR99 8541.49.8000 50
TLP373(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP373(МБС,Ф) -
запросить цену
ECAD 5292 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП373 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП373(МБСФ) EAR99 8541.49.8000 50
TLP751(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП751(Д4-ЛФ2,Ф) -
запросить цену
ECAD 5451 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП751 округ Колумбия 1 Транзистор с базой 8-ДИП - Соответствует RoHS Непригодный ТЛП751(Д4-ЛФ2Ф) EAR99 8541.49.8000 1500 8мА - 15 В 1,65 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 10% при 16 мА - 200 нс, 1 мкс -
TLP550 -LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550-LF2,Ф) -
запросить цену
ECAD 9120 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП550 - 1 (без блокировки) 264-TLP550-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP385(BLL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(BLL-TPR,E 0,5500
запросить цену
ECAD 5465 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП385 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СО, 4 вывода скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 200% при 5 мА 400% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP332(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП332(БВ,Ф) -
запросить цену
ECAD 2725 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных * Трубка Устаревший ТЛП332 - 1 (без блокировки) 264-ТЛП332(БВФ) EAR99 8541.49.8000 50
TLP291(V4GBTP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(V4GBTP,SE 0,6000
запросить цену
ECAD 5106 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП291 округ Колумбия 1 Транзистор 4-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2500 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
TLP2955(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП2955(ТП1,Ф) -
запросить цену
ECAD 4558 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 8-СМД, Крыло Чайки округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 3В ~ 20В 8-СМД скачать 264-ТЛП2955(ТП1Ф) EAR99 8541.49.8000 1 25 мА 5 Мбит/с 1,55 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 20 кВ/мкс 250 нс, 250 нс
TLP759(D4-MBS,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4-MBS,J,F) -
запросить цену
ECAD 1349 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) округ Колумбия 1 Транзистор с базой 8-ДИП скачать 264-TLP759(D4-MBSJF) EAR99 8541.49.8000 1 8мА - 20 В 1,65 В 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 20% при 16 мА - - -
TLP2962(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП2962(Ф) 1,2700
запросить цену
ECAD 9992 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Активный -40°С ~ 125°С Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП2962 округ Колумбия 1 Открытый коллектор 2,7 В ~ 5,5 В 8-ДИП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ТЛП2962Ф EAR99 8541.49.8000 50 50 мА 15 МБд 3нс, 12нс 1,55 В 20 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 20 кВ/мкс 75нс, 75нс
TLP2761(TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761(ТП,Э) 1.1800
запросить цену
ECAD 4378 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ТЛП2761 переменный ток, постоянный ток 1 Push-Pull, Тотемный столб 2,7 В ~ 5,5 В 6-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 1500 10 мА 15 МБд 3нс, 3нс 1,5 В 10 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 1/0 20 кВ/мкс 80нс, 80нс
TLP109(IGM-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109(IGM-TPL,E 1,2600
запросить цену
ECAD 4130 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,179 дюйма, ширина 4,55 мм), 5 выводов ТЛП109 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СО, 5 выводов скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 8мА - 20 В 1,64 В 20 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 25% при 10 мА 75% при 10 мА 450 нс, 450 нс -
TLP105(MBS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП105(МБС-ТПЛ,Ф) -
запросить цену
ECAD 5473 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 100°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 5 выводов округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 4,5 В ~ 20 В 6-МФСОП, 5 отведений скачать 264-TLP105(MBS-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 50 мА 5 Мбит/с 30 нс, 30 нс 1,57 В 20 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 1/0 10 кВ/мкс 250 нс, 250 нс
TLP2395(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2395(ТПЛ,Е -
запросить цену
ECAD 6515 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,179 дюйма, ширина 4,55 мм), 5 выводов ТЛП2395 округ Колумбия 1 Push-Pull, Тотемный столб 3В ~ 20В 6-СО, 5 выводов - 1 (без блокировки) 264-TLP2395(ТРПЛЭТР EAR99 8541.49.8000 3000 25 мА 5 Мбит/с 15 нс, 12 нс 1,5 В 20 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 1/0 20 кВ/мкс 250 нс, 250 нс
TLP291(TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(ТП,Э) -
запросить цену
ECAD 1575 г. 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 4-SOIC (ширина 0,179 дюйма, 4,55 мм) ТЛП291 округ Колумбия 1 Транзистор 4-СО скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 2500 50 мА 4 мкс, 7 мкс 80В 1,25 В 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 50% при 5 мА 400% при 5 мА 7 мкс, 7 мкс 300мВ
TLP512(F) Toshiba Semiconductor and Storage ТЛП512(Ф) -
запросить цену
ECAD 7043 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Трубка Устаревший -55°С ~ 100°С Сквозное отверстие 6-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТЛП512 округ Колумбия 1 Транзистор 6-ДИП - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ТЛП512Ф EAR99 8541.49.8000 50 8мА - 15 В 1,65 В 25 мА 2500 В (среднеквадратичное значение) 15% при 16 мА - 800 нс, 800 нс (макс.) -
TLP385(D4GR-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4GR-TL,E 0,5600
запросить цену
ECAD 4079 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 110°С Поверхностный монтаж 6-SOIC (0,173 дюйма, ширина 4,40 мм), 4 вывода ТЛП385 округ Колумбия 1 Транзистор 6-СО, 4 вывода скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.49.8000 3000 50 мА 2 мкс, 3 мкс 80В 1,25 В 50 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 100% при 5 мА 300% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе