запрос цен
спецификация
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-comComponents.com

Интегральные схемы (ИС)(54)

Номер продукта	Цена (долл. США)	Количество	Доступное количество	Производитель	Ряд	Упаковка	Статус продукта	Рабочая температура	Тип монтажа	Пакет/ключи	Базовый номер продукта	Технология	Напряжение питания	Поставщик пакета оборудования	Техническая спецификация	Статус RoHS	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Статус REACH	Другие имена	ECCN	ХТСУС	Стандартный пакет	Тактовая частота	Тип	Размер	Время доступа	Формат памяти	Организация	Интерфейс памяти	Время цикла записи — Word, Page	Программируемый НИЦ
K6X0808C1D-BF55	6.0000	запросить цену	806	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Трубка	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	4,5 В ~ 5,5 В	28-СОП	-				3277-K6X0808C1D-BF55	EAR99	8542.32.0041	25		Неустойчивый	256Кбит		СРАМ	32К х 8	Параллельно	55нс	Не проверено
K6R1008V1C-JC12000	1.5000	запросить цену	800	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Трубка	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	3,3 В	32-СОЮ	-				3277-K6R1008V1C-JC12000	EAR99	8542.32.0041	100		Неустойчивый	1 Мбит		СРАМ	128 КБ х 8	Параллельно	12нс	Не проверено
K6R4004C1D-JC10T00	3.5000	запросить цену	239	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	5В		-				3277-K6R4004C1D-JC10T00TR	EAR99	8542.32.0041	100		Неустойчивый	4 Мбит		СРАМ	1М х 4	Параллельно	10 нс	Не проверено
КМ68В1002CJ-15	2.5000	запросить цену	10	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Трубка	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	3,3 В	32-СОЮ	-				3277-КМ68В1002CJ-15	EAR99	8542.32.0041	100		Неустойчивый	1 Мбит		СРАМ	128 КБ х 8	Параллельно	15 нс	Не проверено
К6Т1008В2Э-ТФ70	2.0000	запросить цену	720	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Поднос	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	3,3 В	32-ЦОП	-				3277-К6Т1008В2Э-ТФ70	EAR99	8542.32.0041	720		Неустойчивый	1 Мбит		СРАМ	128 КБ х 8	Параллельно	70нс	Не проверено
K6F4016U4E-EF70T	2.0000	запросить цену	23	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	2,7 В ~ 3,3 В	48-ТФБГА (6х7)	-				3277-К6Ф4016У4Э-ЭФ70ТТР	EAR99	8542.32.0041	1000		Неустойчивый	4 Мбит		СРАМ	256К х 16	Параллельно	70нс	Не проверено
K6X0808C1D-GF70000	3.7500	запросить цену	10	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Трубка	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	4,5 В ~ 5,5 В	28-СОП	-				3277-K6X0808C1D-GF70000	EAR99	8542.32.0041	250		Неустойчивый	256Кбит		СРАМ	32К х 8	Параллельно	70нс	Не проверено
K6T4008C1C-GL55T	4.2000	запросить цену	3	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	5В	32-СОП	-				3277-K6T4008C1C-GL55TTR	EAR99	8542.32.0041	1000		Неустойчивый	4 Мбит		СРАМ	512К х 8	Параллельно	55нс	Не проверено
K4S510432D-UC75	12.0000	запросить цену	2	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Поднос	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж	54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм)	К4С510432Д	SDRAM	3 В ~ 3,6 В	54-ЦОП II	скачать		3 (168 часов)	Поставщик не определен	3277-К4С510432Д-UC75	EAR99	8542.32.0028	960	133 МГц	Неустойчивый	512 Мбит	65 нс	ДРАМ	128М х 4	ЛВТТЛ	-
K6R1016C1D-TI10T00	6.5000	запросить цену	69	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	5В	44-ЦОП II	-				3277-K6R1016C1D-TI10T00TR	EAR99	8542.32.0041	50		Неустойчивый	1 Мбит		СРАМ	64К х 16	Параллельно	10 нс	Не проверено
К6Ф1616У6А-ЭФ55Т	6.5000	запросить цену	650	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	2,7 В ~ 3,6 В	48-ТФБГА (7,5х9,5)	-				3277-К6Ф1616У6А-ЭФ55ТТР	EAR99	8542.32.0041	100		Неустойчивый	16Мбит		СРАМ	1М х 16	Параллельно	55нс	Не проверено
K6E0808C1E-JC12T	1.1000	запросить цену	26	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	5В	28-СОЮ	-				3277-K6E0808C1E-JC12TTR	EAR99	8542.32.0041	2000 г.		Неустойчивый	256Кбит		СРАМ	32К х 8	Параллельно	12нс	Не проверено
K6X4008C1F-MF55T00	4.8000	запросить цену	52	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	4,5 В ~ 5,5 В	32-ЦОП РЕВЕРС	-				3277-K6X4008C1F-MF55T00TR	EAR99	8542.32.0041	1000		Неустойчивый	4 Мбит		СРАМ	512К х 8	Параллельно	55нс	Не проверено
K9F8008WOM-TCB	0,7500	запросить цену	27	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Поднос	Активный	0°С ~ 70°С	Поверхностный монтаж			ФЛЕШ-NAND (SLC)	2,7 В ~ 5,5 В	48-ЦОП	-				3277-K9F8008WOM-TCB	EAR99	8542.32.0071	480		Энергонезависимый	8 Мбит		ВСПЫШКА	1М х 8	Параллельно		Не проверено
K4A4G085WE-BCRC	4.5000	запросить цену	8	Самсунг Полупроводник, Инк.	*	Лента и катушка (TR)	Активный								-	Соответствует ROHS3		Поставщик не определен	3277-K4A4G085WE-BCRCTR			250
MCM6729DWJ-10R	15.0000	запросить цену	1	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	5В	32-СОЮ	-				3277-MCM6729DWJ-10RTR	EAR99	8542.32.0041	100		Неустойчивый	1 Мбит		СРАМ	256К х 4	Параллельно	10 нс	Не проверено
K6X0808C1D-GF55T00	3.7500	запросить цену	4	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	4,5 В ~ 5,5 В	28-СОП	-				3277-K6X0808C1D-GF55T00TR	EAR99	8542.32.0041	250		Неустойчивый	256Кбит		СРАМ	32К х 8	Параллельно	55нс	Не проверено
K4B1G1646I-BYMA000	4.0000	запросить цену	1	Самсунг Полупроводник, Инк.	*	Поднос	Активный								-	Соответствует ROHS3		Поставщик не определен	3277-К4Б1Г1646И-BYMA000			224
K6R1008C1D-TC10	1,6000	запросить цену	10	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Трубка	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	5В	32-ЦОП II	-				3277-K6R1008C1D-TC10	EAR99	8542.32.0041	100		Неустойчивый	1 Мбит		СРАМ	128 КБ х 8	Параллельно	10 нс	Не проверено
К6Ф4008У2Д-ФФ70	2.0000	запросить цену	1	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	2,7 В ~ 3,6 В	48-ФБГА	-				3277-К6Ф4008У2Д-ФФ70ТР	EAR99	8542.32.0041	100		Неустойчивый	4 Мбит		СРАМ	512К х 8	Параллельно	70нс	Не проверено
K6X0808C1D-GF70T00	3.7500	запросить цену	2	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	4,5 В ~ 5,5 В	28-СОП	-				3277-K6X0808C1D-GF70T00TR	EAR99	8542.32.0041	250		Неустойчивый	256Кбит		СРАМ	32К х 8	Параллельно	70нс	Не проверено
МТ58Л64Л32ФТ-10	4.5000	запросить цену	360	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Поднос	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM – синхронный	3,3 В	100-TQFP	-				3277-МТ58Л64Л32ФТ-10	EAR99	8542.32.0041	100		Неустойчивый	2Мбит		СРАМ	64К х 32	Параллельно	10 нс	Не проверено
K6X0808C1D-BF70	5.0000	запросить цену	17	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Трубка	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	4,5 В ~ 5,5 В	28-СОП	-				3277-K6X0808C1D-BF70	EAR99	8542.32.0041	100		Неустойчивый	256Кбит		СРАМ	32К х 8	Параллельно	70нс	Не проверено
K6X0808C1D-GF55000	3.7500	запросить цену	10	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Трубка	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	4,5 В ~ 5,5 В	28-СОП	-				3277-K6X0808C1D-GF55000	EAR99	8542.32.0041	250		Неустойчивый	256Кбит		СРАМ	32К х 8	Параллельно	55нс	Не проверено
К6Т1008В2Э-ТФ70Т	1,8000	запросить цену	46	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	3,3 В	32-ЦОП	-				3277-К6Т1008В2Э-ТФ70ТТР	EAR99	8542.32.0041	1000		Неустойчивый	1 Мбит		СРАМ	128 КБ х 8	Параллельно	70нс	Не проверено
К6Ф2016У4Д-ФФ70Т00	1,6000	запросить цену	3	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	2,7 В ~ 3,6 В	48-ФБГА (6х7)	-				3277-К6Ф2016У4Д-ФФ70Т00ТР	EAR99	8542.32.0041	100		Неустойчивый	2Мбит		СРАМ	128 КБ х 16	Параллельно	70нс	Не проверено
K6X1008C2D-TF55	2.7500	запросить цену	1	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Поднос	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	4,5 В ~ 5,5 В	32-ЦОП РЕВЕРС	-				3277-K6X1008C2D-TF55	EAR99	8542.32.0041	100		Неустойчивый	1 Мбит		СРАМ	128 КБ х 8	Параллельно	55нс	Не проверено
K6F2016U4E-EF70T	1,6000	запросить цену	2	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	2,7 В ~ 3,6 В	48-ТФБГА (6х7)	-				3277-К6Ф2016У4Э-ЭФ70ТТР	EAR99	8542.32.0041	100		Неустойчивый	2Мбит		СРАМ	128 КБ х 16	Параллельно	70нс	Не проверено
K6E0808V1E-JC15T00	1.1000	запросить цену	20	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	3,3 В	28-СОЮ	-				3277-K6E0808V1E-JC15T00TR	EAR99	8542.32.0041	2000 г.		Неустойчивый	256Кбит		СРАМ	32К х 8	Параллельно	15 нс	Не проверено
K6E0808C1E-JC15T00	1.1000	запросить цену	6	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	5В	28-СОЮ	-				3277-K6E0808C1E-JC15T00TR	EAR99	8542.32.0041	2000 г.		Неустойчивый	256Кбит		СРАМ	32К х 8	Параллельно	15 нс	Не проверено

2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м²
В наличии на складе

Интегральные схемы (ИС)(54)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 м2

15 000 м²