Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | АС6К4008-55СИН | 5.1500 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-SOIC (ширина 0,445 дюйма, 11,30 мм) | AS6C4008 | SRAM — асинхронный | 2,7 В ~ 5,5 В | 32-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 14:50-10:28 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | Неустойчивый | 4 Мбит | 55 нс | СРАМ | 512К х 8 | Параллельно | 55нс | ||
| АС4К256М16Д3Б-12БКН | - | ![]() | 4424 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | AS4C256 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-ФБГА (13,5х9) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 180 | 800 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 16 | Параллельно | 15 нс | |||
| AS7C1026B-20TCN | 3,4443 | ![]() | 1895 г. | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS7C1026 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 44-ЦОП2 | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 135 | Неустойчивый | 1 Мбит | 20 нс | СРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 20нс | ||||
| AS7C31024B-12TJCNTR | 2,9779 | ![]() | 2859 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) | AS7C31024 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 32-СОЮ | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 1 Мбит | 12 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 12нс | ||||
| AS7C34096A-8ТИН | 4,6903 | ![]() | 5911 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS7C34096 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП2 | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Неустойчивый | 4 Мбит | 8 нс | СРАМ | 512К х 8 | Параллельно | 8нс | ||||
| АС4К128М16Д3А-12БИН | - | ![]() | 8856 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ВФБГА | AS4C128 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-ФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 1450-1374 гг. | EAR99 | 8542.32.0036 | 209 | 800 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | AS4C2M32SA-6TINTR | 4.0533 | ![]() | 3326 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 86-ТФСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS4C2M32 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 86-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 1000 | 166 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 5,5 нс | ДРАМ | 2М х 32 | Параллельно | 2нс | ||
![]() | AS7C316098B-10ТИНТР | 18,6750 | ![]() | 6335 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS7C316098 | SRAM — асинхронный | 2,7 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 16Мбит | 10 нс | СРАМ | 1М х 16 | Параллельно | 10 нс | |||
![]() | АС4К4М16Д1А-5ТИН | 2,9005 | ![]() | 5665 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS4C4M16 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 1450-1291 гг. | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 108 | 200 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 700 пс | ДРАМ | 4М х 16 | Параллельно | 15 нс | |
| АС4К256М16Д3ЛА-12БИН | - | ![]() | 2399 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ВФБГА | AS4C256 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (9х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 1450-1382 гг. | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | AS4C16M32MS-7BCN | - | ![]() | 9881 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -25°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ВФБГА | AS4C16 | SDRAM — мобильная SDRAM | 1,7 В ~ 1,95 В | 90-ФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 14:50-14:05 | EAR99 | 8542.32.0028 | 190 | 133 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 16М х 32 | Параллельно | 15 нс | |
| AS4C128M16D3A-12BCNTR | - | ![]() | 5855 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ВФБГА | AS4C128 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-ФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1500 | 800 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 16 | Параллельно | 15 нс | |||
| AS7C34096A-12ТИН | 5.8900 | ![]() | 2135 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS7C34096 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП2 | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Неустойчивый | 4 Мбит | 12 нс | СРАМ | 512К х 8 | Параллельно | 12нс | ||||
| АС4К128М32МД4-062БАН | 16.9500 | ![]() | 6586 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 200-ВФБГА | AS4C128 | SDRAM — мобильный LPDDR4 | 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 200-ФБГА (10х14,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 1450-АС4К128М32МД4-062БАН | EAR99 | 8542.32.0036 | 136 | 1,6 ГГц | Неустойчивый | 4Гбит | 3,5 нс | ДРАМ | 128М х 32 | ЛВСТЛ | 18нс | ||
![]() | AS4C256M8D3-12BCNTR | - | ![]() | 2314 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | 0°C ~ 90°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | AS4C256 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 78-ФБГА (8х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1000 | 800 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 8 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | АС4К16М16СБ-7ТЦН | 4.4700 | ![]() | 145 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS4C16 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 1450-AS4C16M16SB-7TCN | EAR99 | 8542.32.0041 | 108 | 143 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 16М х 16 | ЛВТТЛ | 14 нс | |
![]() | AS7C1024B-15TCN | 2,9911 | ![]() | 8461 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | AS7C1024 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 156 | Неустойчивый | 1 Мбит | 15 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 15 нс | |||
![]() | АС4К32М16Д2А-25БКН | 4.4700 | ![]() | 220 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 84-ТФБГА | AS4C32 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 84-ФБГА (8х12,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 209 | 400 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 400 пс | ДРАМ | 32М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
| АС4К64М16Д3ЛА-12БАН | - | ![]() | 3512 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ВФБГА | AS4C64 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 209 | 800 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15 нс | |||
| AS4C64M16D3LA-12BANTR | - | ![]() | 5288 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ВФБГА | AS4C64 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 1500 | 800 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15 нс | |||
| AS7C1025B-12TJCNTR | 2,9779 | ![]() | 1687 г. | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) | AS7C1025 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-СОЮ | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 1 Мбит | 12 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 12нс | ||||
| AS7C31026B-12TCN | 3,7800 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS7C31026 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП2 | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 1450-1054 гг. | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | Неустойчивый | 1 Мбит | 12 нс | СРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 12нс | |||
![]() | АС4К64М32МД4-062БАН | 20.5900 | ![]() | 2765 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 200-ВФБГА | SDRAM — мобильный LPDDR4 | 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 200-ФБГА (10х14,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 1450-АС4К64М32МД4-062БАН | 136 | 1,6 ГГц | Неустойчивый | 2Гбит | 3,5 нс | ДРАМ | 64М х 32 | ЛВСТЛ | 18нс | |||||
![]() | AS7C34096A-20JCN | 5,2767 | ![]() | 9903 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Трубка | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 36-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS7C34096 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 36-СОЮ | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 19 | Неустойчивый | 4 Мбит | 20 нс | СРАМ | 512К х 8 | Параллельно | 20нс | |||
![]() | АС4К32М16Д1А-5ТАН | 5.0129 | ![]() | 2049 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поднос | Активный | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS4C32 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 700 пс | ДРАМ | 32М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | АС6К1008-55СИНЛТР | 2,8952 | ![]() | 2307 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-SOIC (ширина 0,445 дюйма, 11,30 мм) | AS6C1008 | SRAM — асинхронный | 2,7 В ~ 5,5 В | 32-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 1 Мбит | 55 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 55нс | |||
![]() | MT48LC16M16A2F4-6A:ГТР | - | ![]() | 5432 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЛФБГА | МТ48LC16M16A2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ВФБГА (8х8) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 2000 г. | 167 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | 14 нс | ||
![]() | АС4К512М8Д4-75БИНТР | 8.1795 | ![]() | 2509 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | SDRAM-DDR4 | 1,14 В ~ 1,26 В | 78-ФБГА (7,5х10,6) | скачать | 3 (168 часов) | 1450-АС4К512М8Д4-75БИНТР | 2500 | 1333 ГГц | Неустойчивый | 4Гбит | 18 нс | ДРАМ | 512М х 8 | ПОД | 15 нс | ||||||
![]() | MT48LC64M8A2P-75IT:C | - | ![]() | 6310 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | МТ48LC64M8A2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 4 (72 часа) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 133 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 64М х 8 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | AS7C3256A-15TINTR | 1,9342 | ![]() | 2398 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) | AS7C3256 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 28-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 256Кбит | 15 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 15 нс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)