Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS7C256A-15JCNTR | 2,0183 | ![]() | 4216 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) | AS7C256 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-СОЮ | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 256Кбит | 15 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 15 нс | |||
![]() | АС4К64М32МД2А-25БКН | - | ![]() | 2966 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -30°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 134-ВФБГА | AS4C64 | SDRAM — мобильный LPDDR2 | 1,14 В ~ 1,95 В | 134-ФБГА (10х11,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 128 | 400 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | ДРАМ | 64М х 32 | Параллельно | 15 нс | |||
![]() | АС4К256М16Д4А-75БКН | 9.5500 | ![]() | 150 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | AS4C256 | SDRAM-DDR4 | 1,14 В ~ 1,26 В | 96-ФБГА (7,5х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 1450-AS4C256M16D4A-75BCN | EAR99 | 8542.32.0036 | 198 | 1333 ГГц | Неустойчивый | 4Гбит | 18 нс | ДРАМ | 256М х 16 | ПОД | 15 нс | ||
![]() | ДЖС28Ф128П33БФ70А | - | ![]() | 4188 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | СтратаФлэш™ | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | JS28F128P33 | ВСПЫШКА – НО | 2,3 В ~ 3,6 В | 56-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 1450-JS28F128P33BF70A | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 96 | 52 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 8М х 16 | Параллельно | 70нс | |
![]() | АС4К512М8Д3Б-12БИНТР | - | ![]() | 4311 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ВФБГА | AS4C512 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 78-ФБГА (9х10,5) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 800 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 512М х 8 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | AS7C34096A-10ДЖИН | 5.0128 | ![]() | 2858 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 36-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS7C34096 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 36-СОЮ | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 19 | Неустойчивый | 4 Мбит | 10 нс | СРАМ | 512К х 8 | Параллельно | 10 нс | |||
![]() | MT48LC16M16A2F4-6A:G | - | ![]() | 3045 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЛФБГА | МТ48LC16M16A2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ВФБГА (8х8) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 1000 | 167 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | 14 нс | ||
![]() | АС1К2М16П-70БИНТР | 3,0653 | ![]() | 3584 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | PSRAM (псевдо SRAM) | 2,6 В ~ 3,3 В | 48-ФБГА (6х7) | скачать | 3 (168 часов) | 1450-АС1С2М16П-70БИНТР | 2000 г. | Неустойчивый | 32 Мбит | 70 нс | ПСРАМ | 2М х 16 | Параллельно | 70нс | |||||||
![]() | АС6К4008-55СТИН | 5.2700 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-LFSOP (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) | AS6C4008 | SRAM — асинхронный | 2,7 В ~ 5,5 В | 32-сТСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 1450-1029 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 234 | Неустойчивый | 4 Мбит | 55 нс | СРАМ | 512К х 8 | Параллельно | 55нс | ||
![]() | АС4К2М32С-6БИНТР | 4,6433 | ![]() | 9317 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | AS4C2M32 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 2000 г. | 166 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 2М х 32 | Параллельно | 2нс | ||
![]() | AS4C16M16D1-5TINTR | - | ![]() | 6973 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS4C16 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 1000 | 200 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 700 пс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | AS4C64M16MD1-6BCNTR | - | ![]() | 5965 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -25°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | AS4C64 | SDRAM — мобильный LPDDR | 1,7 В ~ 1,95 В | 60-ФБГА (8х10) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 1000 | 166 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 5 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | AS7C31025C-12ДЖИН | - | ![]() | 7284 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS7C31025 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 32-СОЮ | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 25 | Неустойчивый | 1 Мбит | 12 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 12нс | |||
![]() | AS4C64M8D1-5BCN | 4.2446 | ![]() | 3028 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | AS4C64 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 60-ФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 14:50-13:30 | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 200 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 700 пс | ДРАМ | 64М х 8 | Параллельно | 15 нс | |
![]() | AS4C256M16D3C-12BCNTR | 11.3300 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | AS4C256 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-ФБГА (7,5х13,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 1450-АС4К256М16Д3К-12БКНДКР | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 800 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 16 | Параллельно | 15 нс | |
![]() | АС4К16М16Д1-5БИНТР | 4.0102 | ![]() | 8419 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | AS4C16 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 60-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 2500 | 200 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 700 пс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | АС6К6264-55СИН | 3.4400 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-SOIC (ширина 0,330 дюйма, 8,38 мм) | AS6C6264 | SRAM — асинхронный | 2,7 В ~ 5,5 В | 28-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 1450-1038 | EAR99 | 8542.32.0041 | 25 | Неустойчивый | 64Кбит | 55 нс | СРАМ | 8К х 8 | Параллельно | 55нс | ||
![]() | AS4C64M32MD1-5BCNTR | 11.7000 | ![]() | 6556 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -25°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ВФБГА | AS4C64 | SDRAM — мобильный LPDDR | 1,7 В ~ 1,9 В | 90-ФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1000 | 200 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 5 нс | ДРАМ | 64М х 32 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | AS4C128M8D2-25BCNTR | - | ![]() | 2477 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | AS4C128 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 60-ФБГА (8х10) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 2000 г. | 400 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 400 пс | ДРАМ | 128М х 8 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | АС7К3256А-15ТЦН | 1,9941 | ![]() | 5376 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) | AS7C3256 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 28-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 234 | Неустойчивый | 256Кбит | 15 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 15 нс | |||
![]() | М29Ф800ФТ55Н3Е2 | 4.1600 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поднос | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | М29Ф800 | ВСПЫШКА – НО | 4,5 В ~ 5,5 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 1450-М29Ф800ФТ55Н3Е2 | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Энергонезависимый | 8 Мбит | 55 нс | ВСПЫШКА | 1М х 8, 512К х 16 | Параллельно | 55нс | ||
![]() | АС4К256М8Д3Л-12БИНТР | - | ![]() | 7571 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | AS4C256 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 78-ФБГА (8х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1000 | 800 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 8 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | AS4C8M16D1-5BCN | 3.3415 | ![]() | 5806 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | AS4C8M16 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 60-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 14:50-13:21 | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 200 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 700 пс | ДРАМ | 8М х 16 | Параллельно | 15 нс | |
![]() | AS4C8M16SA-6BANTR | 4.1105 | ![]() | 1244 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ТФБГА | AS4C8M16 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ТФБГА (8х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 2500 | 166 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 5 нс | ДРАМ | 8М х 16 | Параллельно | 12нс | ||
| AS7C1024B-20ТДЖИН | 3,7162 | ![]() | 8167 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS7C1024 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-СОЮ | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 22 | Неустойчивый | 1 Мбит | 20 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 20нс | ||||
![]() | М29Ф160ФТ55Н3Е2 | 4.4100 | ![]() | 671 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поднос | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | М29Ф160 | ВСПЫШКА – НО | 4,5 В ~ 5,5 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 1450-М29Ф160ФТ55Н3Е2 | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Энергонезависимый | 16Мбит | 55 нс | ВСПЫШКА | 2М х 8, 1М х 16 | Параллельно | 55нс | ||
| AS7C31026B-20TCN | 3,4443 | ![]() | 6652 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS7C31026 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП2 | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 135 | Неустойчивый | 1 Мбит | 20 нс | СРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 20нс | ||||
![]() | АС9Ф31Г08СА-25БИН | 3.1500 | ![]() | 210 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 63-ВФБГА | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 63-ФБГА (9х11) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 1450-АС9Ф31Г08СА-25БИН | 210 | Энергонезависимый | 4Гбит | 20 нс | ВСПЫШКА | 512М х 8 | Параллельно | 25 нс, 700 мкс | ||||||
![]() | АС4К128М8Д3Б-12БАН | 7.3817 | ![]() | 7535 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поднос | Активный | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ВФБГА | AS4C128 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 78-ФБГА (8х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 242 | 800 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 8 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | AS4C4M16SA-7BCN | 3.4400 | ![]() | 851 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ТФБГА | AS4C4M16 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ТФБГА (8х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 1450-1261 гг. | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 143 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 4М х 16 | Параллельно | 2нс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)