- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталанский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- Урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- Коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Интегральные схемы (ИС)(168)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Приложения | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Программируемый НИЦ | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | функция | Стандарты | Интерфейс управления | Количество входов/выходов | Основной процессор процессора | Тип памяти программы | Размер оперативной памяти | Интерфейс | Тактовая частота | Серия контроллеров | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MB85RC1MTPNF-G-JNE1 | 4,6903 |  | 6085 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | 865-MB85RC1MTPNF-G-JNE1 | 95 | 3,4 МГц | Энергонезависимый | 1 Мбит | 130 нс | ФРАМ | 128 КБ х 8 | I²C | - | ||||||||||||||||||
 | MB85RC64TAPNF-G-JNERE2 | 1,5891 | | 3602 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RC64TAPNF-G-JNERE2 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 3,4 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 130 нс | ФРАМ | 8К х 8 | I²C | - | |||||||||||||
| MB85RQ8MLXPF-G-BCE1 | 14,6569 | | 5070 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | MB85RQ8 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,7 В ~ 1,95 В | 16-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RQ8MLXPF-G-BCE1 | EAR99 | 8542.32.0071 | 160 | 108 МГц | Энергонезависимый | 8 Мбит | 7 нс | ФРАМ | 1М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | - | |||||||||||||
 | MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 | 1,2048 | | 7987 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC16 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 5,5 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 95 | 1 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | 550 нс | ФРАМ | 2К х 8 | I²C | - | |||||||||||||
 | MB85RC256VPF-G-JNERE2 | - | | 2036 год | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | MB85RC256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 2000 г. | 1 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | 550 нс | ФРАМ | 32К х 8 | I²C | - | |||||||||||||
 | MB86296SPB-GSE1 | - | | 7636 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Устаревший | Профессиональное видео | Поверхностный монтаж | 256-ББГА | МБ86296 | 1,8 В ~ 3,3 В | 256-ПБГА (27х27) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 865-1265 | EAR99 | 8542.39.0001 | 40 | Моделер | НТСК, ПАЛ | I²C | ||||||||||||||||||
 | MB86R01PB-GSE1 | 30.8000 | | 1822 г. | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | Джейд | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С | Графический контроллер | Поверхностный монтаж | 484-БГА | МБ86Р01 | Не проверено | 1,1 В ~ 3,6 В | 484-БГА (23х23) | - | Соответствует ROHS3 | 6 (время на этикетке) | REACH не касается | 865-1110 | 3А991А2 | 8542.31.0001 | 40 | 24 | ARM9® | Программа внешней памяти | 64К х 8 | АЦП, ATA, CAN, EBI/EMI, I²C, I²S, Media LB, ШИМ, SD-карта, UART/USART, USB | Джейд | |||||||||||||
 | MB85RS64TUPN-G-AMEWE1 | 2.5600 | | 588 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WFDFN Открытая площадка | МБ85РС64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОН (2х3) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 10 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | |||||||||||||||
| MB85RS16NPNF-G-JNE1 | 1,2048 | | 7153 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 95°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | 865-MB85RS16NPNF-G-JNE1 | 95 | 20 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | 18 нс | ФРАМ | 2К х 8 | СПИ | - | ||||||||||||||||||
 | MB85R256FPF-G-BNDE1 | - | | 3061 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-SOIC (ширина 0,342 дюйма, 8,69 мм) | МБ85Р256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 28-СОП | скачать | 1 (без блокировки) | 865-1171 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 256Кбит | 150 нс | ФРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 150 нс | |||||||||||||||
| MB85RC04PNF-G-JNE1 | 0,7745 | | 2169 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC04 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RC04PNF-G-JNE1TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 95 | 400 кГц | Энергонезависимый | 4Кбит | 900 нс | ФРАМ | 512 х 8 | I²C | - | |||||||||||||
| MB85RS2MLYPNF-GS-AWE2 | 7.5500 | | 1 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС2 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,7 В ~ 1,95 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS2MLYPNF-GS-AWE2 | EAR99 | 8542.32.0071 | 85 | 50 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ФРАМ | 256К х 8 | СПИ | - | ||||||||||||||
| MB85RC64PNF-G-JNE1 | 2.2200 | | 15 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 95 | 400 кГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 900 нс | ФРАМ | 8К х 8 | I²C | - | |||||||||||||
| MB85RS64VYPNF-G-BCERE1 | 1,5749 | | 6065 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 33 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | |||||||||||||||
| MB85RS1MTPN-G-AWEWE1 | 4.3451 | | 4586 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ВДФН Открытая площадка | МБ85РС1 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-ДФН (5х6) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 40 МГц | Энергонезависимый | 1 Мбит | ФРАМ | 128 КБ х 8 | СПИ | - | |||||||||||||||
| MB85RS256TYPNF-GS-BCE1 | 3.1288 | | 4483 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | 865-MB85RS256TYPNF-GS-BCE1 | 85 | 33 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | 13 нс | ФРАМ | 32К х 8 | СПИ | - | ||||||||||||||||||
| MB85RS256BPNF-G-JNE1 | - | | 5707 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 95 | 33 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | ФРАМ | 32К х 8 | СПИ | - | ||||||||||||||
| MB85RS64VYPNF-GS-BCE1 | 2.3400 | | 855 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS64VYPNF-GS-BCE1 | EAR99 | 8542.32.0071 | 85 | 33 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | ||||||||||||||
| MB85RS64VYPNF-G-AWERE2 | 1,5749 | | 9861 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WFDFN Открытая площадка | МБ85РС64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-СОН (2х3) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS64VYPNF-G-AWERE2TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 33 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 13 нс | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | |||||||||||||
 | MB85RS1MTPH-G-JNE1 | - | | 5117 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | МБ85РС1 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-ДИП | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 50 | 40 МГц | Энергонезависимый | 1 Мбит | ФРАМ | 128 КБ х 8 | СПИ | - | |||||||||||||||
| MB85RC64TAPN-G-AMEWE1 | 1,7400 | | 51 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WFDFN Открытая площадка | MB85RC64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОН (2х3) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 3,4 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ФРАМ | 8К х 8 | I²C | - | ||||||||||||||
| MB85RS2MTYPN-G-AWEWE1 | 4,9893 | | 1647 г. | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ВДФН Открытая площадка | МБ85РС2 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-ДФН (5х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 50 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ФРАМ | 256К х 8 | СПИ | - | |||||||||||||||
| MB85R256GPF-G-BNDE1 | - | | 5095 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | - | - | МБ85Р256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | - | - | 3 (168 часов) | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | Энергонезависимый | 256Кбит | 150 нс | ФРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 150 нс | ||||||||||||||||
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | 2.5600 | | 34 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 5,5 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 20 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | ||||||||||||||
| MB85RS64VYPNF-G-BCE1 | 1,6913 | | 1254 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS64VYPNF-G-BCE1 | EAR99 | 8542.32.0071 | 85 | 33 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | ||||||||||||||
 | MB85AS8MTPW-G-KBAERE1 | - | | 4398 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 11-XFBGA, WLBGA | МБ85АС8 | ReRAM (резистивная ОЗУ) | 1,6 В ~ 3,6 В | 11-ЛП (2,07х2,88) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85AS8MTPW-G-KBAERE1TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 10 000 | 10 МГц | Энергонезависимый | 8 Мбит | 35 нс | БАРАН | 1М х 8 | СПИ | 10 мс | |||||||||||||
| MB85RS64TUPNF-G-JNERE2 | 3.1100 | | 1 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -55°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 10 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | |||||||||||||||
 | MB85R4001ANC-GE1 | 17,5883 | | 4632 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,488 дюйма, 12,40 мм) | МБ85Р4001 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 128 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 150 нс | ФРАМ | 512К х 8 | Параллельно | 150 нс | ||||||||||||||
| МБ85Р8М2ТАБГЛ | - | | 4199 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Активный | - | 865-MB85R8M2TABGL | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 | 6.2000 | | 32 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС1 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 40 МГц | Энергонезависимый | 1 Мбит | ФРАМ | 128 КБ х 8 | СПИ | - |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)