- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Интегральные схемы (ИС)(168)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Приложения | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | функция | Стандарты | Интерфейс управления | Количество входов/выходов | Основной процессор процессора | Размер ядра | Скорость | Возможности подключения | Периферийные устройства | Размер памяти программы | Тип памяти программы | Размер EEPROM | Размер оперативной памяти | Напряжение-питание (Vcc/Vdd) | Конвертеры данных | Тип генератора | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MB85RC256VPF-G-JNE2 | - |  | 1685 г. | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | MB85RC256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 865-MB85RC256VPF-G-JNE2 | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | 1 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | 550 нс | ФРАМ | 32К х 8 | I²C | - | |||||||||||||||||||
 | MB85R8M2TABGL-G-JAE1 | 14.3327 | | 4501 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | МБ85Р8 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 48-ФБГА (8х6) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85R8M2TABGL-G-JAE1 | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | Энергонезависимый | 8 Мбит | 150 нс | ФРАМ | 512К х 16 | Параллельно | 150 нс | ||||||||||||||||||||
| MB85RS2MTPF-G-JNE2 | - | | 7319 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | МБ85РС2 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 865-MB85RS2MTPF-G-JNE2 | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | 25 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ФРАМ | 256К х 8 | СПИ | - | ||||||||||||||||||||
| MB85RS256TYPNF-G-BCERE1 | 3.7500 | | 113 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 33 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | ФРАМ | 32К х 8 | СПИ | - | |||||||||||||||||||||
 | MB85RS4MTYPF-G-BCE1 | 9.7400 | | 2 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | МБ85РС4 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS4MTYPF-G-BCE1 | EAR99 | 8542.32.0071 | 80 | 50 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | ФРАМ | 512К х 8 | СПИ | - | ||||||||||||||||||||
| MB85RC04VPNF-G-JNE1 | 0,7745 | | 7248 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 5,5 В | 8-СОП | - | 865-MB85RC04VPNF-G-JNE1 | 95 | 1 МГц | Энергонезависимый | 4Кбит | 550 нс | ФРАМ | 512 х 8 | I²C | - | ||||||||||||||||||||||||
 | MB95F168JAPMC1-GE1 | - | | 9652 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | F²MC MB95160MA | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-LQFP | МБ95F168 | 64-ЛКФП (12х12) | - | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 865-1078 | EAR99 | 8542.31.0001 | 1 | 52 | F²MC-8FX | 8-битный | 16 МГц | I²C, LINbus, SIO, UART/USART | ЖК, LVD, POR, ШИМ, WDT | 60 КБ (60 КБ х 8) | ВСПЫШКА | - | 2К х 8 | 2,4 В ~ 5,5 В | А/Д 8х8/10б | Внешний | ||||||||||||||||
| MB85AS8MTPF-G-KBERE1 | - | | 5255 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | МБ85АС8 | ReRAM (резистивная ОЗУ) | 1,6 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1000 | 10 МГц | Энергонезависимый | 8 Мбит | БАРАН | 1М х 8 | СПИ | 10 мс | |||||||||||||||||||||
 | MB85RS2MTAPH-G-JNE2 | 5,6058 | | 8724 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | МБ85РС2 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-ДИП | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8542.32.0071 | 50 | 40 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ФРАМ | 256К х 8 | СПИ | - | |||||||||||||||||||||
| MB85RS2MLYPNF-G-AWERE2 | 4,9893 | | 5922 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС2 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,7 В ~ 1,95 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 50 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ФРАМ | 256К х 8 | СПИ | - | |||||||||||||||||||||
| MB85RS2MLYPN-G-AWEWE1 | 4,9893 | | 6381 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ВДФН Открытая площадка | МБ85РС2 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,7 В ~ 1,95 В | 8-ДФН (5х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 50 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ФРАМ | 256К х 8 | СПИ | - | |||||||||||||||||||||
| MB85RS1MTPNF-G-AWERE2 | 3,9768 | | 7402 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | 3 (168 часов) | 865-MB85RS1MTPNF-G-AWERE2TR | 1500 | 40 МГц | Энергонезависимый | 1 Мбит | 9 нс | ФРАМ | 128 КБ х 8 | СПИ | - | |||||||||||||||||||||||
| MB85RS64VYPNF-GS-AWE2 | 1,7758 | | 8663 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WFDFN Открытая площадка | МБ85РС64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-СОН (2х3) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS64VYPNF-GS-AWE2TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 85 | 33 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 13 нс | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | |||||||||||||||||||
 | MB85RS64PNF-G-JNE1 | 2.5600 | | 35 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 95 | 20 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | ||||||||||||||||||||
| MB85RS2MTAPF-G-BCERE1 | 6,8425 | | 1189 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС2 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS2MTAPF-G-BCERE1TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 40 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | 9 нс | ФРАМ | 256К х 8 | СПИ | 400 мкс | |||||||||||||||||||
| MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 | 6.3000 | | 59 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC1 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 3,4 МГц | Энергонезависимый | 1 Мбит | 130 нс | ФРАМ | 128 КБ х 8 | I²C | - | |||||||||||||||||||
 | MB85RS64TPN-G-AMEWE1 | 1,9200 | | 11 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WFDFN Открытая площадка | МБ85РС64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОН (2х3) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 10 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | |||||||||||||||||||||
| MB85RS256TYPNF-G-AWERE2 | - | | 7957 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS256TYPNF-G-AWERE2TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 33 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | ФРАМ | 32К х 8 | СПИ | - | ||||||||||||||||||||
| MB85RS128BPNF-G-JNE1 | - | | 5217 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС128 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 95 | 33 МГц | Энергонезависимый | 128Кбит | ФРАМ | 16К х 8 | СПИ | - | ||||||||||||||||||||
 | MB85R256FPNF-G-JNERE2 | - | | 4484 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-SOIC (ширина 0,342 дюйма, 8,69 мм) | МБ85Р256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 28-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 256Кбит | 150 нс | ФРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 150 нс | ||||||||||||||||||||
| MB85RS64VYPN-G-AMEWE1 | 1,5749 | | 6525 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ВДФН Открытая площадка | МБ85РС64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-ДФН (5х6) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 33 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | |||||||||||||||||||||
| MB85RS64TPNF-G-JNERE2 | 2.2200 | | 14 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 10 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | |||||||||||||||||||||
| MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1 | 6.6100 | | 23 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС2 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 3A991B2A | 8542.32.0071 | 1500 | 40 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ФРАМ | 256К х 8 | СПИ | - | |||||||||||||||||||||
| MB85RC16PN-G-AMERE1 | 0,9200 | | 3672 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WFDFN Открытая площадка | MB85RC16 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОН (2х3) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 1 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | 550 нс | ФРАМ | 2К х 8 | I²C | - | |||||||||||||||||||
| MB85RC128PNF-G-JNERE1 | - | | 2685 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC128 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RC128PNF-G-JNERE1TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 400 кГц | Энергонезависимый | 128Кбит | 900 нс | ФРАМ | 16К х 8 | I²C | - | |||||||||||||||||||
| MB85R256FPNF-G-JNE2 | - | | 8733 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-SOIC (ширина 0,342 дюйма, 8,69 мм) | МБ85Р256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 28-СОП | скачать | 3 (168 часов) | 865-MB85R256FPNF-G-JNE2 | EAR99 | 8542.32.0071 | 95 | Энергонезависимый | 256Кбит | 150 нс | ФРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 150 нс | |||||||||||||||||||||
 | MB86276PB-GS-K5ZE1 | 26.4400 | | 9 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Устаревший | Профессиональное видео | Поверхностный монтаж | 256-ББГА | МБ86276 | 1,8 В ~ 3,3 В | 256-ПБГА (27х27) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991А2 | 8542.31.0001 | 70 | Моделер | - | GPIO, I²C, последовательный порт | |||||||||||||||||||||||||
| MB85RQ8MLXPF-G-BCERE1 | 13,7814 | | 5588 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | MB85RQ8 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,7 В ~ 1,95 В | 16-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RQ8MLXPF-G-BCERE1TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | 108 МГц | Энергонезависимый | 8 Мбит | 7 нс | ФРАМ | 1М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | - | |||||||||||||||||||
| MB85RC04PNF-G-JNERE1 | 0,7745 | | 1370 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC04 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RC04PNF-G-JNERE1TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 400 кГц | Энергонезависимый | 4Кбит | 900 нс | ФРАМ | 512 х 8 | I²C | - | |||||||||||||||||||
| MB86298KPBH-GE1 | - | | 1031 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Устаревший | - | - | - | 865-MB86298KPBH-GE1 | УСТАРЕВШИЙ | 40 | - | - | - |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)