Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Приложения | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | функция | Стандарты | Интерфейс управления | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MB85RC256VPNF-G-JNERE1 | 4.7200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 1 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | 550 нс | ФРАМ | 32К х 8 | I²C | - | ||||||
![]() | MB85RS256BPNF-G-JNERE1 | 4.2900 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 33 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | ФРАМ | 32К х 8 | СПИ | - | |||||||
![]() | MB85RC64TAPNF-G-JNE2 | 1,6595 | ![]() | 2234 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RC64TAPNF-G-JNE2TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 95 | 3,4 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 130 нс | ФРАМ | 8К х 8 | I²C | - | ||||||
![]() | MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1 | 6.4148 | ![]() | 4951 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ВДФН Открытая площадка | МБ85РС4 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-ДФН (5х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 50 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | ФРАМ | 512К х 8 | СПИ | - | ||||||||
![]() | MB85RS128APNF-G-JNE1 | - | ![]() | 5939 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС128 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 865-1176 | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | 25 МГц | Энергонезависимый | 128Кбит | ФРАМ | 16К х 8 | СПИ | - | ||||||
![]() | MB85RQ4MLPF-G-BCERE1 | 13.1900 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | MB85RQ4 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,7 В ~ 1,95 В | 16-СОП | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | 108 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | ФРАМ | 512К х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | - | ||||||||
| MB85RS2MTYPNF-GS-AWERE2 | 5.4170 | ![]() | 2852 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС2 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 50 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ФРАМ | 256К х 8 | СПИ | - | |||||||||
![]() | MB85RS64VYPNF-GS-AWERE2 | 1,6536 | ![]() | 6799 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WFDFN Открытая площадка | МБ85РС64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-СОН (2х3) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS64VYPNF-GS-AWERE2TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 33 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 13 нс | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | ||||||
![]() | MB85RC16PNF-G-JNERE1 | 1,0873 | ![]() | 5317 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC16 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 1 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | 550 нс | ФРАМ | 2К х 8 | I²C | - | |||||||
| MB85RS256TYPNF-G-AWE2 | - | ![]() | 8625 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS256TYPNF-G-AWE2 | EAR99 | 8542.32.0071 | 85 | 33 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | ФРАМ | 32К х 8 | СПИ | - | ||||||||
| MB85RC256VPF-G-BCE1 | 3,2589 | ![]() | 3046 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | MB85RC256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RC256VPF-G-BCE1 | EAR99 | 8542.32.0071 | 80 | 1 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | 550 нс | ФРАМ | 32К х 8 | I²C | - | |||||||
![]() | MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 | 1,1709 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC16 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 5,5 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 1 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | 550 нс | ФРАМ | 2К х 8 | I²C | - | ||||||
![]() | MB85RS64PNF-G-JNERE1 | 2.5600 | ![]() | 14 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 20 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | ||||||||
![]() | MB85RC04VPNF-G-JNERE1 | 0,7745 | ![]() | 6250 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC04 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 5,5 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 1 МГц | Энергонезависимый | 4Кбит | 550 нс | ФРАМ | 512 х 8 | I²C | - | ||||||
| MB85AS8MTPWG-KBCERE1 | - | ![]() | 3445 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 11-XFBGA, WLBGA | МБ85АС8 | ReRAM (резистивная ОЗУ) | 1,6 В ~ 3,6 В | 11-ЛП (2,07х2,88) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85AS8MTPWG-KBCERE1TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 10 000 | 10 МГц | Энергонезависимый | 8 Мбит | 35 нс | БАРАН | 1М х 8 | СПИ | 10 мс | |||||||
![]() | MB85RS16NPN-G-AMEWE1 | 1,3500 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WFDFN Открытая площадка | МБ85РС16 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОН (2х3) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 20 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | ФРАМ | 2К х 8 | СПИ | - | |||||||
| MB86297APBH-GSE1 | 55,8775 | ![]() | 1845 г. | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Активный | Профессиональное видео | Поверхностный монтаж | 543-БГА | МБ86297 | 1,8 В ~ 3,3 В | 543-ТЕБГА (27х27) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991А2 | 8542.31.0001 | 20 | Моделер | - | GPIO, I²C, последовательный порт | |||||||||||||
![]() | MB85RC64APNF-G-JNE1 | 2.2200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 47 | 1 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 550 нс | ФРАМ | 8К х 8 | I²C | - | ||||||
![]() | MB85RC64TAPNF-G-AWE2 | 1,4848 | ![]() | 8488 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RC64TAPNF-G-AWE2TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 85 | 3,4 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 130 нс | ФРАМ | 8К х 8 | I²C | - | ||||||
![]() | MB85RC64TAPNF-G-AWERE2 | 1,4218 | ![]() | 9828 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RC64TAPNF-G-AWERE2TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 3,4 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 130 нс | ФРАМ | 8К х 8 | I²C | - | ||||||
![]() | MB85RS2MTAPNF-G-BDE1 | 5.2505 | ![]() | 1312 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | 865-MB85RS2MTAPNF-G-BDE1 | 85 | 40 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | 9 нс | ФРАМ | 256К х 8 | СПИ | - | |||||||||||
![]() | MB85RQ4MLPF-G-BCE1 | 10.4257 | ![]() | 6610 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,7 В ~ 1,95 В | 16-СОП | - | 865-MB85RQ4MLPF-G-BCE1TR | 160 | 108 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | 7 нс | ФРАМ | 512К х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | - | |||||||||||
| MB85RS4MTPF-G-JNE2 | - | ![]() | 8471 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | МБ85РС4 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 865-MB85RS4MTPF-G-JNE2 | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | 40 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | 9 нс | ФРАМ | 512К х 8 | СПИ | - | |||||||
![]() | MB85RS512TPNF-G-AWERE2 | 3,7954 | ![]() | 9379 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС512 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS512TPNF-G-AWERE2TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 30 МГц | Энергонезависимый | 512Кбит | 9 нс | ФРАМ | 64К х 8 | СПИ | 400 мкс | ||||||
![]() | MB85RC128APNF-G-JNERE1 | 2,4786 | ![]() | 3290 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC128 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 1 МГц | Энергонезависимый | 128Кбит | 900 нс | ФРАМ | 16К х 8 | I²C | - | ||||||
![]() | MB85RS64VPNF-G-JNE1 | 1,9450 | ![]() | 5275 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 5,5 В | 8-СОП | - | 865-MB85RS64VPNF-G-JNE1TR | 95 | 20 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 20 нс | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | |||||||||||
![]() | MB85RS4MLYPN-GS-AWEWE1 | 7,0974 | ![]() | 3893 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ВДФН Открытая площадка | МБ85РС4 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,7 В ~ 1,95 В | 8-ДФН (5х6) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS4MLYPN-GS-AWEWE1TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 50 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | 9 нс | ФРАМ | 512К х 8 | СПИ | - | ||||||
![]() | MB85RC256VPNF-G-JNE1 | 3,5848 | ![]() | 7705 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-СОП | - | 865-MB85RC256VPNF-G-JNE1 | 95 | 1 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | 550 нс | ФРАМ | 32К х 8 | I²C | - | |||||||||||
![]() | MB85R256FPF-G-BND-ERE1 | - | ![]() | 4013 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | МБ85Р256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 28-СОП | скачать | 3 (168 часов) | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1000 | Энергонезависимый | 256Кбит | 150 нс | ФРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 150 нс | |||||||||
![]() | МБ85Р8М1ТАБГЛ | - | ![]() | 6618 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Активный | - | 865-МБ85Р8М1ТАБГЛ | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)