SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Приложения Тип монтажа Пакет/ключи Тип Базовый номер продукта Технология Программируемый НИЦ ФАПЧ Вход Выход Количество цепей Соотношение – Вход:Выход Дифференциал — Вход:Выход Частота - Макс. Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Делитель/Множитель Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH ECCN ХТСУС Стандартный пакет функция Протокол Количество драйверов/приемников Дуплекс Гистерезис приемника Скорость передачи данных Интерфейс Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Конфигурация вывода Ток - Выход Напряжение – нагрузка Тип двигателя - Шаговый Тип двигателя - переменный, постоянный ток Шаг разрешения Программируемый НИЦ
0C623-004-XTP AMI Semiconductor Inc. 0C623-004-XTP 1,8000
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. * Масса Активный - - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 0000.00.0000 1500
0C585-002-XTD AMI Semiconductor Inc. 0C585-002-XTD 15.9000
запросить цену
ECAD 212 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. * Масса Активный Не проверено - Непригодный 3 (168 часов) 0000.00.0000 1
AMIS30624C6244G AMI Semiconductor Inc. АМИС30624C6244G -
запросить цену
ECAD 9839 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. - Масса Активный -40°С ~ 165°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 20-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) АМИС30624 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,5 В 20-СОИК скачать 0000.00.0000 1 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности I²C Полумост (4) 570 мА 6,5 В ~ 29 В Биполярный - 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
N02L63W3AT25I AMI Semiconductor Inc. N02L63W3AT25I 2.1100
запросить цену
ECAD 270 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) N02L63 SRAM — асинхронный 2,3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3A991B2A 8542.32.0041 135 Неустойчивый 2Мбит 55 нс СРАМ 128 КБ х 16 Параллельно 55нс
00XH7-007-XTD AMI Semiconductor Inc. 00XH7-007-XTD -
запросить цену
ECAD 8978 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. * Масса Активный Не проверено - Непригодный 3 (168 часов) 1
0C621-003-XTD AMI Semiconductor Inc. 0C621-003-XTD 17.8700
запросить цену
ECAD 266 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. * Масса Активный - - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 0000.00.0000 1
N02L63W3AB25IT AMI Semiconductor Inc. N02L63W3AB25IT 2.1800
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. - Масса Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА N02L63 SRAM — асинхронный 2,3 В ~ 3,6 В 48-БГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Неустойчивый 2Мбит 55 нс СРАМ 128 КБ х 16 Параллельно 55нс
13715-102-XTD AMI Semiconductor Inc. 13715-102-XTD 3.6400
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Фазовая автоподстройка цикла (ФАПЧ) Да Кристалл КМОП, ПЭКЛ 1 1:1 Нет/Да 340 МГц 3 В ~ 3,6 В скачать Да/Нет не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.39.0001 1
N04L63W2AB27I AMI Semiconductor Inc. N04L63W2AB27I 3.7400
запросить цену
ECAD 410 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА N04L63 SRAM — асинхронный 2,3 В ~ 3,6 В 48-БГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3A991B2A 8542.32.0041 480 Неустойчивый 4 Мбит 70 нс СРАМ 256К х 16 Параллельно 70нс
AMIS41682CANM1G AMI Semiconductor Inc. AMIS41682CANM1G -
запросить цену
ECAD 8306 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. - Масса Активный -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж 14-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) Трансивер 4,75 В ~ 5,25 В 14-СОИК скачать Соответствует ROHS3 2 (1 год) REACH не касается EAR99 8542.39.0001 1 CAN-шина 1/1 Половина 70 мВ -
0C622-004-XTD AMI Semiconductor Inc. 0C622-004-XTD 1,0000
запросить цену
ECAD 4910 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. - Масса Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Автомобильная промышленность Поверхностный монтаж 20-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) 0C622-004 - 8В ~ 29В 20-СОИК скачать 0000.00.0000 1 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности I²C Полумост (4) 800мА 8В ~ 29В Биполярный - 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
19699-002-XTD AMI Semiconductor Inc. 19699-002-XTD 18.3700
запросить цену
ECAD 373 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. - Масса Активный - Поверхностный монтаж 44-LQFP Устройство среднего крепления полевой шины (МАУ) Не проверено 44-ЛКФП (10х10) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8542.39.0001 1
11640-892-XTD AMI Semiconductor Inc. 11640-892-XTD 2,6200
запросить цену
ECAD 824 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. * Масса Активный - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 0000.00.0000 1
N25S818HAT21I AMI Semiconductor Inc. N25S818HAT21I 1,4100
запросить цену
ECAD 300 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) Н25С818 СРАМ 1,7 В ~ 1,95 В 8-ЦСОП скачать EAR99 8542.32.0041 213 16 МГц Неустойчивый 256Кбит СРАМ 32К х 8 СПИ - Не проверено
N02L83W2AT25I AMI Semiconductor Inc. N02L83W2AT25I 1,8400
запросить цену
ECAD 312 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-LFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) N02L83 SRAM — асинхронный 2,3 В ~ 3,6 В 32-ЦОП I скачать Соответствует ROHS3 3A991B2A 8542.32.0041 156 Неустойчивый 2Мбит 55 нс СРАМ 256К х 8 Параллельно 55нс
FS6128-04G-XTD AMI Semiconductor Inc. FS6128-04G-XTD 2,6300
запросить цену
ECAD 192 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) Тактовый генератор ФАПЧ Да Кристалл Часы 1 1:1 Нет/Нет 27 МГц 3 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать Да/Нет Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 96
N02L63W3AB25I AMI Semiconductor Inc. N02L63W3AB25I 2.3000
запросить цену
ECAD 480 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА N02L63 SRAM — асинхронный 2,3 В ~ 3,6 В 48-БГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3A991B2A 8542.32.0041 480 Неустойчивый 2Мбит 55 нс СРАМ 128 КБ х 16 Параллельно 55нс
FS6128-07-XTD AMI Semiconductor Inc. FS6128-07-XTD 2,6200
запросить цену
ECAD 154 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. - Трубка Устаревший -55°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) Тактовый генератор Да Кристалл Часы 1 1:1 Нет/Нет 27 МГц 3 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать Да/Нет не соответствует RoHS EAR99 8542.39.0001 96
N01L63W3AT25I AMI Semiconductor Inc. N01L63W3AT25I 1,6400
запросить цену
ECAD 270 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) N01L63 SRAM — асинхронный 2,3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.32.0041 135 Неустойчивый 1 Мбит 55 нс СРАМ 64К х 16 Параллельно 55нс
0TJAA-001-XTD AMI Semiconductor Inc. 0TJAA-001-XTD 1,5300
запросить цену
ECAD 27 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. - Масса Активный Трансивер - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 0000.00.0000 1
0PNPB-003-XTD AMI Semiconductor Inc. 0ПНПБ-003-XTD 2,8100
запросить цену
ECAD 496 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. * Масса Активный - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 0000.00.0000 1
0C622-004-XTP AMI Semiconductor Inc. 0C622-004-XTP 2.1300
запросить цену
ECAD 10 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. - Масса Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Автомобильная промышленность Поверхностный монтаж 32-VQFN Открытая колодка 0C622-005 - 8В ~ 29В 32-НКФП (7х7) скачать EAR99 8542.39.0001 1 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности I²C Полумост (4) 800мА 8В ~ 29В Биполярный - 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
0CANM-001-XTD AMI Semiconductor Inc. 0CANM-001-XTD 2.1300
запросить цену
ECAD 964 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. - Масса Активный Трансивер - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 0000.00.0000 1
N01L83W2AT25IT AMI Semiconductor Inc. N01L83W2AT25IT 1,4800
запросить цену
ECAD 18 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. - Масса Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-LFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) N01L83 SRAM — асинхронный 2,3 В ~ 3,6 В 32-ЦОП I скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 1 Мбит 55 нс СРАМ 128 КБ х 8 Параллельно 55нс
14056001R AMI Semiconductor Inc. 14056001Р -
запросить цену
ECAD 8262 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. * Масса Активный Не проверено - Непригодный 3 (168 часов) 1
0WCGA-002-XTP AMI Semiconductor Inc. 0WCGA-002-XTP -
запросить цену
ECAD 3534 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. * Масса Активный - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 0000.00.0000 1500
0CANN-001-XTD AMI Semiconductor Inc. 0CANN-001-XTD 2.1300
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 АМИ Полупроводник Инк. - Масса Активный Трансивер - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 0000.00.0000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе