SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Приложения Тип монтажа Пакет/ключи Тип Функции Базовый номер продукта Тип входа Частота Технология Напряжение — вход (макс.) Тип выхода Соотношение – Вход:Выход Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет функция Ток — выход/канал Напряжение-питание (Vcc/Vdd) Интерфейс Количество выходов Ток – состояние покоя (Iq) Ток-питание (макс.) Внутренний переключатель(и) Топология Частота — переключение Защита от неисправностей Функции управления Напряжение-питание (макс.) Конфигурация вывода Синхронный выпрямитель Ток - Выход RDS включен (тип.) Напряжение – нагрузка Тип двигателя - Шаговый Тип двигателя - переменный, постоянный ток Шаг разрешения Затемнение Напряжение-питание (мин.) Напряжение — выход Тип переключателя Ток-выход (макс.) Напряжение — выход (мин./фикс.) Напряжение - Выход (Макс.) Напряжение — вход (мин.) Количество регуляторов Падение напряжения (макс.) ПССР Функции защиты
TCR2EN30,LF Toshiba Semiconductor and Storage ТКР2ЕН30,ЛФ 0,0896
запросить цену
ECAD 9513 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EN Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка ТКР2ЕН30 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА - 1 0,18 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TB67S265FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S265FTG,ЭЛ 1,1819
запросить цену
ECAD 3827 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-WFQFN Открытая колодка ТБ67С265 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 48-WQFN (7x7) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельный, последовательный Полумост (4) 10 В ~ 47 В Биполярный - 1, 1/2
TA78L012AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP,WNLF(J -
запросить цену
ECAD 9521 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78Л012 35В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6,5 мА - Позитивный 150 мА 12 В - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 41 дБ (120 Гц) Перегрузка по току
TCR2LF15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF15,LM(CT 0,0742
запросить цену
ECAD 8105 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2LF Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR2LF15 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,5 В - 1 1,13 В при 150 мА - Перегрузка по току
TCR2EF45,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF45,LM(CT 0,3400
запросить цену
ECAD 795 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EF Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR2EF45 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 4,5 В - 1 0,2 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TA76431S(T6PSETEMF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S(T6PSETEMF -
запросить цену
ECAD 3306 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА76431 - Регулируемый ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) TA76431ST6PSETEMF EAR99 8542.39.0001 1 - Позитивный - 2,495 В 36В 1 - - -
TCR2EE50,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE50,LM(CT 0,0680
запросить цену
ECAD 3748 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EE Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2EE50 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА - 1 0,2 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TBD62004AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62004AFG,EL 0,8900
запросить цену
ECAD 6 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) - TBD62004 Инвертирование N-канал 1:1 16-СОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. Не требуется Вкл/Выкл 7 - Низкая сторона - 50 В (макс.) Общего назначения 500 мА
TCR2LN085,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN085,LF(SE 0,3800
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛН Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 0,85 В - 1 1,56 В @ 150 мА - Перегрузка по току
TCR2LF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF105,LM(CT 0,3800
запросить цену
ECAD 43 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2LF Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR2LF105 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,05 В - 1 1,4 В при 150 мА - Перегрузка по току
TCR2LN09,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN09,ЛФ -
запросить цену
ECAD 3502 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР2ЛН Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-XFDFN Открытая площадка TCR2LN09 5,5 В Зафиксированный 4-СДФН (0,8х0,8) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 0,9 В - 1 1,46 В при 150 мА - Перегрузка по току
TB6615PG,8 Toshiba Semiconductor and Storage ТБ6615ПГ,8 2.3400
запросить цену
ECAD 3621 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Поднос Активный Сквозное отверстие 16-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) ТБ6615 16-ДИП скачать Соответствует ROHS3 Непригодный ТБ6615ПГ8 EAR99 8542.39.0001 25
TA78DS05BP,T6STF(M Toshiba Semiconductor and Storage ТА78ДС05БП,Т6СТФ(М -
запросить цену
ECAD 1267 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78ДС 33В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 1 мА - Позитивный 30 мА - 1 0,3 В при 10 мА - Перегрузка по току, перегрев, перенапряжение, Тран
TCR3UM18A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM18A,LF(SE 0,4700
запросить цену
ECAD 166 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 680 нА Ограничение тока, Включить Позитивный 300 мА 1,8 В - 1 0,457 В при 300 мА - Перегрузка по току, перегрев
TCR2EE50,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE50,ЛМ -
запросить цену
ECAD 7396 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EE Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СОТ-553 TCR2EE50 5,5 В Зафиксированный ЕСВ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА - 1 0,2 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TB7102F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ТБ7102Ф(ТЕ85Л,Ф) -
запросить цену
ECAD 7840 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-СМД, плоский вывод ТБ7102 5,5 В Регулируемый ПС-8 (2,9х2,4) - 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 Понижение 1 Бак 1 МГц Позитивный Да 0,8 В 4,5 В 2,7 В
TB67S539FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB67S539FTG(О,EL) 1,8200
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Общего назначения Поверхностный монтаж 32-VFQFN Открытая колодка ТБ67С539 НМОП 32-ВКФН (5х5) - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности ШИМ Предварительный драйвер — полумост (4) 4,5 В ~ 34 В Биполярный Матовый ДК 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
TCR3UF36A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF36A,LM(CT 0,4100
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТКР3УФ Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR3UF36 5,5 В Зафиксированный СМВ - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 680 нА Давать возможность Позитивный 300 мА 3,6 В - 1 0,245 В при 300 мА 70 дБ (1 кГц) Перегрузка по току, перегрев
TA58L09S,Q(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L09S,Q(М -
запросить цену
ECAD 4147 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58Л09 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 50 мА - Позитивный 250 мА - 1 0,4 В при 200 мА - Перегрузка по току, перегрев
TBD62783AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62783AFG,EL 1,6600
запросить цену
ECAD 45 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 18-SOIC (ширина 0,276 дюйма, 7,00 мм) - TBD62783 Неинвертирующий P-канал 1:1 18-СОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1000 Не требуется Вкл/Выкл 8 - Высокая сторона - 50 В (макс.) Общего назначения 500 мА
TCR2EF50,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF50,LM(CT 0,3300
запросить цену
ECAD 30 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2EF Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR2EF50 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 60 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА - 1 0,2 В при 150 мА 73 дБ (1 кГц) Перегрузка по току
TA78L012AP,HOTIF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP,HOTIF(M -
запросить цену
ECAD 9964 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -30°С ~ 85°С Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов ТА78Л012 35В Зафиксированный ЛСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 6,5 мА - Позитивный 150 мА 12 В - 1 1,7 В при 40 мА (тип.) 41 дБ (120 Гц) Перегрузка по току
TA58LT00F(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage ТА58LT00F(T6L1,К) -
запросить цену
ECAD 5745 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 125°С Поверхностный монтаж ТО-252-6, ДПак (5 отведений + вкладка) ТА58Л 26В Регулируемый 5-HSIP скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 2000 г. 0,8 мА 15 мА Давать возможность Позитивный 150 мА 2,5 В 13,4 В 1 0,6 В при 100 мА - Перегрузка по току, перегрев, обратная полярность
TCR3UM12A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM12A,LF(SE 0,4700
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 580 нА Ограничение тока, Включить Позитивный 300 мА 1,2 В - 1 0,857 В при 300 мА - Перегрузка по току, перегрев
TCR3DM45,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM45,LF(SE 0,4800
запросить цену
ECAD 3185 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 125 мкА Давать возможность Позитивный 300 мА 4,5 В - 1 0,2 В при 300 мА - Перегрузка по току, перегрев
TCR2LF11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF11,LM(CT 0,3800
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TCR2LF Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-74А, СОТ-753 TCR2LF11 5,5 В Зафиксированный СМВ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 3000 2 мкА Давать возможность Позитивный 200 мА 1,1 В - 1 1,3 В @ 150 мА - Перегрузка по току
TA58L05S,HY-ATQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S,HY-ATQ(М -
запросить цену
ECAD 9220 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший -40°С ~ 105°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТА58Л05 29В Зафиксированный ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 1 1 мА 50 мА - Позитивный 250 мА - 1 0,4 В при 200 мА - Перегрузка по току, перегрев
TB62D787FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62D787FTG,ЭЛ 1,4124
запросить цену
ECAD 5174 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С - Поверхностный монтаж 40-VFQFN Открытая колодка Линейный ТБ62Д787 - 40-ВКФН (6х6) - Соответствует ROHS3 EAR99 8542.39.0001 4000 40 мА 24 Да - 28В ШИМ 0,5 В ~ 4 В
TB67S109AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S109AFTG,ЭЛ 3.1400
запросить цену
ECAD 19 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -20°С ~ 150°С (ТДж) Общего назначения Поверхностный монтаж 48-WFQFN Открытая колодка ТБ67С109 Силовой МОП-транзистор 4,75 В ~ 5,25 В 48-WQFN (7x7) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.39.0001 4000 Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и эффективности Параллельно Полумост (4) 10 В ~ 47 В Биполярный - 1 ~ 1/32
TCR3DM18,RF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18,РФ(SE 0,4800
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 4-УДФН Открытая площадка 5,5 В Зафиксированный 4-ДФН (1х1) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.39.0001 10 000 Давать возможность Позитивный 300 мА 1,8 В - 1 0,38 В при 300 мА - Перегрузка по току, перегрев
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе