запрос цен
спецификация
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-comComponents.com

Память(54)

Номер продукта	Цена (долл. США)	Количество	Доступное количество	Производитель	Ряд	Упаковка	Статус продукта	Рабочая температура	Тип монтажа	Пакет/ключи	Базовый номер продукта	Технология	Напряжение питания	Поставщик пакета оборудования	Техническая спецификация	Статус RoHS	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Статус REACH	Другие имена	ECCN	ХТСУС	Стандартный пакет	Тактовая частота	Тип	Размер	Время доступа	Формат памяти	Организация	Интерфейс памяти	Время цикла записи — Word, Page	Программируемый НИЦ
K6R1008C1D-TC10T00	1.5000	запросить цену	1	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	5В	32-ЦОП II	-				3277-K6R1008C1D-TC10T00TR	EAR99	8542.32.0041	1000		Неустойчивый	1 Мбит		СРАМ	128 КБ х 8	Параллельно	10 нс	Не проверено
K4F8E304HB-MGCJ	6.5000	запросить цену	1	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Поднос	Активный								-	Соответствует ROHS3			3277-K4F8E304HB-MGCJ			128
K6X4008C1F-MF55000	5.0000	запросить цену	336	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Поднос	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	4,5 В ~ 5,5 В	32-ЦОП РЕВЕРС	-				3277-K6X4008C1F-MF55000	EAR99	8542.32.0041	200		Неустойчивый	4Мбит		СРАМ	512К х 8	Параллельно	55нс	Не проверено
K6R1008V1C-JC12T00	1.4000	запросить цену	45	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	3,3 В	32-СОЮ	-				3277-K6R1008V1C-JC12T00TR	EAR99	8542.32.0041	1000		Неустойчивый	1 Мбит		СРАМ	128 КБ х 8	Параллельно	12нс	Не проверено
K6T4008C1C-GL55T00	4.5000	запросить цену	14	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	5В	32-СОП	-				3277-K6T4008C1C-GL55T00TR	EAR99	8542.32.0041	100		Неустойчивый	4Мбит		СРАМ	512К х 8	Параллельно	55нс	Не проверено
K6R1008C1C-JC10T	1.5000	запросить цену	6	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	3,3 В	32-СОЮ	-				3277-K6R1008C1C-JC10TTR	EAR99	8542.32.0041	100		Неустойчивый	1 Мбит		СРАМ	128 КБ х 8	Параллельно	10 нс	Не проверено
M5M5V108DFP-70H	2.0000	запросить цену	175	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Трубка	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	3В	32-СОП	-				3277-М5М5В108ДФП-70Х	EAR99	8542.32.0041	100		Неустойчивый	1 Мбит		СРАМ	128 КБ х 8	Параллельно	70нс	Не проверено
K4B4G1646E-BYK000	5.0000	запросить цену	1	Самсунг Полупроводник, Инк.	*	Поднос	Активный								-	Соответствует ROHS3		Поставщик не определен	3277-K4B4G1646E-BYK000			224
K4S510432D-UC75T00	10.0000	запросить цену	18	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж	54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм)	К4С510432Д	SDRAM	3 В ~ 3,6 В	54-ЦОП II	скачать		3 (168 часов)	Поставщик не определен	3277-K4S510432D-UC75T00TR	EAR99	8542.32.0028	100	133 МГц	Неустойчивый	512 Мбит	65 нс	ДРАМ	128М х 4	ЛВТТЛ	-
K6X0808C1D-GF55T	3.7500	запросить цену	1	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	4,5 В ~ 5,5 В	28-СОП	-				3277-K6X0808C1D-GF55TTR	EAR99	8542.32.0041	250		Неустойчивый	256Кбит		СРАМ	32К х 8	Параллельно	55нс	Не проверено
K6E0808C1E-JC15T00.	1.1000	запросить цену	124	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	5В	28-СОЮ	-				3277-K6E0808C1E-JC15T00.TR	EAR99	8542.32.0041	2000 г.		Неустойчивый	256Кбит		СРАМ	32К х 8	Параллельно	15 нс	Не проверено
K4F6E3S4HM-MGCJ	11.0000	запросить цену	1	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Поднос	Активный								-	Соответствует ROHS3			3277-K4F6E3S4HM-MGCJ			1280
K6E0808C1E-JC12	1,0000	запросить цену	4	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Трубка	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	5В	28-СОЮ	-				3277-K6E0808C1E-JC12	EAR99	8542.32.0041	1000		Неустойчивый	256Кбит		СРАМ	32К х 8	Параллельно	12нс	Не проверено
K6X4008C1F-MF55	5.0000	запросить цену	3	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Поднос	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	4,5 В ~ 5,5 В	32-ЦОП РЕВЕРС	-				3277-K6X4008C1F-MF55	EAR99	8542.32.0041	250		Неустойчивый	4Мбит		СРАМ	512К х 8	Параллельно	55нс	Не проверено
K6F4016R4E-EF85T00	2.5000	запросить цену	4	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	1,65 В ~ 2,2 В	48-ТФБГА (6х7)	-				3277-К6Ф4016Р4Е-ЭФ85Т00ТР	EAR99	8542.32.0041	1000		Неустойчивый	4Мбит		СРАМ	256К х 16	Параллельно	85нс	Не проверено
KM681002BJ-10T	2.5000	запросить цену	5	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	5В	32-СОЮ	-				3277-КМ681002БЖ-10ТТР	EAR99	8542.32.0041	100		Неустойчивый	1 Мбит		СРАМ	128 КБ х 8	Параллельно	10 нс	Не проверено
К6Ф3216У6М-ЭФ70Т	7.5000	запросить цену	800	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	2,7 В ~ 3,6 В	55-ТФБГА (7,5х12)	-				3277-К6Ф3216У6М-ЭФ70ТТР	EAR99	8542.32.0041	100		Неустойчивый	32 Мбит		СРАМ	2М х 16	Параллельно	70нс	Не проверено
МТ58Л64Л32ПТ7,5	5.0000	запросить цену	500	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Поднос	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM – синхронный	3,3 В	100-TQFP	-				3277-МТ58Л64Л32ПТ7,5	EAR99	8542.32.0041	100		Неустойчивый	2Мбит		СРАМ	64К х 32	Параллельно	7,5 нс	Не проверено
K6X0808C1D-BF70T	3.5000	запросить цену	6	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	4,5 В ~ 5,5 В	28-СОП	-				3277-K6X0808C1D-BF70TTR	EAR99	8542.32.0041	1000		Неустойчивый	256Кбит		СРАМ	32К х 8	Параллельно	70нс	Не проверено
K9F8008W0M-TCB0	0,7500	запросить цену	21	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Поднос	Активный	0°С ~ 70°С	Поверхностный монтаж			ФЛЕШ-NAND (SLC)	2,7 В ~ 5,5 В	48-ЦОП	-				3277-K9F8008W0M-TCB0	EAR99	8542.32.0071	480		Энергонезависимый	8 Мбит		ВСПЫШКА	1М х 8	Параллельно		Не проверено
KM616BV4002J-12	15.0000	запросить цену	925	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Трубка	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	3,3 В	36-СОЮ	-				3277-КМ616БВ4002Дж-12	EAR99	8542.32.0041	100		Неустойчивый	4Мбит		СРАМ	256К х 16	Параллельно	12нс	Не проверено
КМ68В1002CJ-15Т	2.0000	запросить цену	2	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	3,3 В	32-СОЮ	-				3277-КМ68В1002CJ-15TTR	EAR99	8542.32.0041	1000		Неустойчивый	1 Мбит		СРАМ	128 КБ х 8	Параллельно	15 нс	Не проверено
K6E0808C1E-JC15000	1,0000	запросить цену	3	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Трубка	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	5В	28-СОЮ	-				3277-K6E0808C1E-JC15000	EAR99	8542.32.0041	1000		Неустойчивый	256Кбит		СРАМ	32К х 8	Параллельно	15 нс	Не проверено
K6E0804C1E-JC15T00	1.2500	запросить цену	109	Самсунг Полупроводник, Инк.	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж			SRAM — асинхронный	5В	28-СОЮ	-				3277-K6E0804C1E-JC15T00TR	EAR99	8542.32.0041	1000		Неустойчивый	256Кбит		СРАМ	64К х 4	Параллельно	15 нс	Не проверено

2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м²
В наличии на складе

Память(54)

2000+

30 000 000

2800+

15 000 м2

15 000 м²