Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | W972GG8JB25I | - | ![]() | 8476 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | W972GG8 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 60-ШБГА (11х11,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 189 | 200 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 400 пс | ДРАМ | 256М х 8 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | W29GL128CH9T | - | ![]() | 6991 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | W29GL128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 56-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 96 | Энергонезависимый | 128Мбит | 90 нс | ВСПЫШКА | 16м х 8, 8м х 16 | Параллельно | 90 нс | |||
![]() | W632GU8MB12J | - | ![]() | 1977 год | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ВФБГА | W632GU8 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 78-ВФБГА (8х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 242 | 800 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 8 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | W631GG8KB15I ТР | - | ![]() | 5519 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | W631GG8 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 78-ШБГА (10,5х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 2000 г. | 667 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 8 | Параллельно | - | ||
![]() | W25Q64JWSSAM | - | ![]() | 9968 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | W25Q64 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 1,95 В | 8-СОИК | - | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25Q64JWSSAM | 1 | 133 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | 6 нс | ВСПЫШКА | 8М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 3 мс | ||||
| W25M02GVTCIR | - | ![]() | 8072 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | W25M02 | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-TFBGA (8x6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25M02GVTCIR | УСТАРЕВШИЙ | 480 | 104 МГц | Энергонезависимый | 2Гбит | 7 нс | ВСПЫШКА | 256М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 700 мкс | |||
| W25Q64FWZPBQ | - | ![]() | 7810 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | W25Q64 | ВСПЫШКА – НО | 1,65 В ~ 1,95 В | 8-ВСОН (6х5) | - | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25Q64FWZPBQ | УСТАРЕВШИЙ | 1 | 104 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | 6 нс | ВСПЫШКА | 8М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | 60 мкс, 5 мс | ||||
![]() | W25Q128JVEAQ | - | ![]() | 9945 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | W25Q128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (8х6) | - | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25Q128JVEAQ | 1 | 133 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | 6 нс | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | ||||
![]() | W25M161AVEIT ТР | - | ![]() | 7156 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | W25M161 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ, ФЛЕШ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-В25М161АВИТТР | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 4000 | 133 МГц | Энергонезависимый | 16 Мбит (FLASH-NOR), 1 Гбит (FLASH-NAND) | 6 нс | ВСПЫШКА | 2 М x 8 (FLASH-NOR), 128 M x 8 (FLASH-NAND) | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |
![]() | W25Q32FVSFIG ТР | - | ![]() | 7003 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | W25Q32 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 16-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||
![]() | W631GU8NB11I | 4.8800 | ![]() | 242 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ВФБГА | W631GU8 | SDRAM-DDR3L | 1283 В ~ 1,45 В, 1425 В ~ 1575 В | 78-ВФБГА (8х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-В631ГУ8НБ11И | EAR99 | 8542.32.0032 | 242 | 933 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 8 | Параллельно | 15 нс | |
![]() | W25X20AVСНИГ | - | ![]() | 6843 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | W25X20 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 100 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ВСПЫШКА | 256К х 8 | СПИ | 3 мс | |||
![]() | W97BH2MBVA2E ТР | 5.6100 | ![]() | 2309 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -25°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 134-ВФБГА | W97BH2 | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4B | 1,14 В ~ 1,3 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 134-ВФБГА (10х11,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W97BH2MBVA2ETR | EAR99 | 8542.32.0036 | 3500 | 400 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | ДРАМ | 64М х 32 | ХСУЛ_12 | 15 нс | ||
![]() | W25Q16JWSSIM ТР | 0,4992 | ![]() | 6302 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | W25Q16 | ВСПЫШКА – НО | 1,65 В ~ 1,95 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25Q16JWSSIMTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 2000 г. | 133 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | ВСПЫШКА | 2М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | ||
![]() | W25Q32FWXGBQ | - | ![]() | 5046 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-XDFN Открытая площадка | W25Q32 | ВСПЫШКА – НО | 1,65 В ~ 1,95 В | 8-ХСОН (4х4) | - | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25Q32FWXGBQ | УСТАРЕВШИЙ | 1 | 104 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | 6 нс | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | 60 мкс, 5 мс | |||
![]() | W25Q16DVUUJP | - | ![]() | 3648 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-УФДФН Открытая площадка | W25Q16 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-УСОН (4х3) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 104 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | ВСПЫШКА | 2М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | |||
![]() | W25N01JWTBIT ТР | 3,4909 | ![]() | 5105 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | W25N01 | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 1,7 В ~ 1,95 В | 24-TFBGA (8x6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25N01JWTBITTR | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2000 г. | 166 МГц | Энергонезависимый | 1Гбит | 6 нс | ВСПЫШКА | 128М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 700 мкс | |
![]() | W631GU8MB09I | - | ![]() | 2246 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ВФБГА | W631GU8 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 78-ВФБГА (8х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-В631ГУ8МБ09И | EAR99 | 8542.32.0032 | 242 | 1066 ГГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 8 | SSTL_15 | 15 нс | |
![]() | W25N01GWZEIG ТР | 2,8012 | ![]() | 7608 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | W25N01 | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 1,7 В ~ 1,95 В | 8-ВСОН (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25N01GWZEIGTR | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 4000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 1Гбит | 8 нс | ВСПЫШКА | 128М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 700 мкс | |
| W25M02GWTCIG ТР | - | ![]() | 5751 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | W25M02 | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 1,7 В ~ 1,95 В | 24-TFBGA (8x6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25M02GWTCIGTR | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2000 г. | 104 МГц | Энергонезависимый | 2Гбит | 8 нс | ВСПЫШКА | 256М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 700 мкс | ||
| W632GU6NB12I | 5.3471 | ![]() | 9358 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ВФБГА | W632GU6 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ВФБГА (7,5х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 198 | 800 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 16 | Параллельно | 15 нс | |||
![]() | W988D6FBGX7I | - | ![]() | 9241 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Последняя покупка | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 54-ТФБГА | W988D6 | SDRAM — мобильный LPSDR | 1,7 В ~ 1,95 В | 54-ВФБГА (8х9) | - | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W988D6FBGX7I | 1 | 133 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 16М х 16 | LVCMOS | 15 нс | ||||
![]() | W25Q80DVSVIG ТР | - | ![]() | 8484 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | W25Q80 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 5000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 8 Мбит | ВСПЫШКА | 1М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |||
| W29N04KZSIBG ТР | 6,7961 | ![]() | 9791 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 1,7 В ~ 1,95 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 256-W29N04KZSIBGTR | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1500 | Энергонезависимый | 4Гбит | 25 нс | ВСПЫШКА | 512М х 8 | ОНФИ | 35 нс, 700 мкс | |||||
![]() | W25Q16CVSSAG | - | ![]() | 1725 г. | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | W25Q16 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | - | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25Q16CVSSAG | УСТАРЕВШИЙ | 1 | 104 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | 6 нс | ВСПЫШКА | 2М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | |||
![]() | W66CM2NQUAHJ | 10.1293 | ![]() | 8286 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Не для новых дизайнов | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 200-ВФБГА | W66CM2 | SDRAM — мобильный LPDDR4X | 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 200-ВФБГА (10х14,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W66CM2NQUAHJ | EAR99 | 8542.32.0036 | 144 | 2133 ГГц | Неустойчивый | 4Гбит | 3,5 нс | ДРАМ | 128М х 32 | ЛВСТЛ_11 | 18нс | |
| W631GU6NB11I | 4.8800 | ![]() | 28 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ВФБГА | W631GU6 | SDRAM-DDR3L | 1283 В ~ 1,45 В, 1425 В ~ 1575 В | 96-ВФБГА (7,5х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-В631ГУ6НБ11И | EAR99 | 8542.32.0032 | 198 | 933 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
| W631GG6MB-12 | 3.6000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Устаревший | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ВФБГА | W631GG6 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-ВФБГА (7,5х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W631GG6MB-12 | EAR99 | 8542.32.0032 | 198 | 800 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | - | ||
![]() | W25Q64CVZEJG | - | ![]() | 5225 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | W25Q64 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1 | 80 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | ВСПЫШКА | 8М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | |||
![]() | W987D6HBGX7E | - | ![]() | 8443 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Устаревший | -25°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 54-ТФБГА | W987D6 | SDRAM — мобильный LPSDR | 1,7 В ~ 1,95 В | 54-ВФБГА (8х9) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 312 | 133 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 8М х 16 | Параллельно | 15 нс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)