Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | W25Q32FWSSBQ | - | ![]() | 3956 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | W25Q32 | ВСПЫШКА – НО | 1,65 В ~ 1,95 В | 8-СОИК | - | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25Q32FWSSBQ | УСТАРЕВШИЙ | 1 | 104 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | 6 нс | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | 60 мкс, 5 мс | |||
| W632GU6NB12I ТР | 4.6050 | ![]() | 8235 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ВФБГА | W632GU6 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ВФБГА (7,5х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 3000 | 800 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 16 | Параллельно | 15 нс | |||
![]() | W25Q128BVBJG ТР | - | ![]() | 4123 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | W25Q128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | W25Q128BVBJGTR | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||
![]() | W972GG6KB-18 | 10.0484 | ![]() | 5609 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Активный | 0°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 84-ТФБГА | W972GG6 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 84-ШБГА (8х12,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 144 | 533 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 350 пс | ДРАМ | 128М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | W632GG8NB-09 | 4,8364 | ![]() | 6384 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ВФБГА | W632GG8 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 78-ВФБГА (8х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 242 | 1067 ГГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 256М х 8 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | W979H6KBVX2I ТР | 4.9500 | ![]() | 3216 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 134-ВФБГА | W979H6 | SDRAM — мобильный LPDDR2 | 1,14 В ~ 1,95 В | 134-ВФБГА (10х11,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 3500 | 400 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | ДРАМ | 32М х 16 | Параллельно | 15 нс | |||
![]() | W66BP6NBUAHJ | 5.2240 | ![]() | 2511 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Активный | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 200-ВФБГА | W66BP6 | SDRAM — мобильный LPDDR4 | 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 200-ВФБГА (10х14,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W66BP6NBUAHJ | EAR99 | 8542.32.0036 | 144 | 2133 ГГц | Неустойчивый | 2Гбит | 3,5 нс | ДРАМ | 128М х 16 | ЛВСТЛ_11 | 18нс | |
![]() | W25Q128JVEAM | - | ![]() | 5731 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | W25Q128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (8х6) | - | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25Q128JVEAM | 1 | 133 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | 6 нс | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 3 мс | ||||
![]() | W9816G6JH-7I ТР | 1,3934 | ![]() | 9452 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 50-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | W9816G6 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 50-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W9816G6JH-7ITR | EAR99 | 8542.32.0002 | 1000 | 143 МГц | Неустойчивый | 16Мбит | 5 нс | ДРАМ | 1М х 16 | ЛВТТЛ | - | |
![]() | W25X40CLSNIG | 0,4200 | ![]() | 409 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | W25X40 | ВСПЫШКА | 2,3 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | ВСПЫШКА | 512К х 8 | СПИ | 800 мкс | |||
![]() | W74M64JVSSIQ | 1,6110 | ![]() | 3215 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | W74M64 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 256-W74M64JVSSIQ | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 90 | 104 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | ВСПЫШКА | 8М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | - | ||
![]() | W631GG8KB-11 | - | ![]() | 4708 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Устаревший | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | W631GG8 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 78-ШБГА (10,5х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 242 | 933 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 8 | Параллельно | - | ||
![]() | W9412G6JH-5I | - | ![]() | 3822 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | W9412G6 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | W9412G6JH5I | EAR99 | 8542.32.0002 | 200 | 200 МГц | Неустойчивый | 128Мбит | 50 нс | ДРАМ | 8М х 16 | Параллельно | 15 нс | |
| W25Q32JVZPIQ | 0,8700 | ![]() | 108 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | W25Q32 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (6х5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 100 | 133 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | ||||
![]() | W25Q512JVEIQ ТР | 4.8300 | ![]() | 3450 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | W25Q512 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (8х6) | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | W25Q512JVEIQTR | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 4000 | 133 МГц | Энергонезависимый | 512 Мбит | ВСПЫШКА | 64М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | - | |||
![]() | W25M02GVSFJG | - | ![]() | 9662 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | W25M02 | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 16-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25M02GVSFJG | УСТАРЕВШИЙ | 44 | 104 МГц | Энергонезависимый | 2Гбит | 7 нс | ВСПЫШКА | 256М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 700 мкс | ||
![]() | W97BH6MBVA2I | 6.3460 | ![]() | 6060 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 134-ВФБГА | W97BH6 | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4B | 1,14 В ~ 1,3 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 134-ВФБГА (10х11,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-В97БХ6МБВА2И | EAR99 | 8542.32.0036 | 168 | 400 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | ДРАМ | 128М х 16 | ХСУЛ_12 | 15 нс | ||
| W631GG6NB15J | - | ![]() | 7670 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Активный | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ВФБГА | W631GG6 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-ВФБГА (7,5х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W631GG6NB15J | EAR99 | 8542.32.0032 | 198 | 667 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | SSTL_15 | 15 нс | ||
![]() | W25N512GVFIG ТР | 1,9694 | ![]() | 7270 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | W25N512 | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 16-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25N512GVФИГТР | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1000 | 166 МГц | Энергонезависимый | 512 Мбит | 6 нс | ВСПЫШКА | 64М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 700 мкс | |
![]() | W25Q256FVBIP | - | ![]() | 5094 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | W25Q256 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 480 | 104 МГц | Энергонезависимый | 256Мбит | ВСПЫШКА | 32М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | |||
![]() | W971GG6SB-25 | - | ![]() | 9076 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Устаревший | 0°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 84-ТФБГА | W971GG6 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 84-ШБГА (8х12,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 209 | 200 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 400 пс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15 нс | ||
![]() | W66CP2NQUAGJ ТР | 6.6300 | ![]() | 7321 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 200-ВФБГА | W66CP2 | SDRAM — мобильный LPDDR4 | 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 200-ВФБГА (10х14,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W66CP2NQUAGJTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2500 | 2133 ГГц | Неустойчивый | 4Гбит | 3,5 нс | ДРАМ | 128М х 32 | ЛВСТЛ_11 | 18нс | |
![]() | W25Q32JWSSSQ | - | ![]() | 7528 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | W25Q32 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 1,95 В | 8-СОИК | - | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25Q32JWSSSQ | 1 | 133 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | 6 нс | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 5 мс | ||||
![]() | W25Q01JVZEIQ ТР | 9.0300 | ![]() | 4611 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | W25Q01 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25Q01JVZEIQTR | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 4000 | 133 МГц | Энергонезависимый | 1Гбит | 7,5 нс | ВСПЫШКА | 128М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3,5 мс | |
![]() | W25Q64JVSSIQ ТР | 1.1500 | ![]() | 213 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | W25Q64 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2000 г. | 133 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | ВСПЫШКА | 8М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |||
![]() | W25Q32JVSFIQ ТР | - | ![]() | 4782 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | W25Q32 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 16-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1000 | 133 МГц | Энергонезависимый | 32 Мбит | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |||
| W19B320ATT7H | - | ![]() | 9646 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Устаревший | -20°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | W19B320 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 96 | Энергонезависимый | 32 Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 4М х 8, 2М х 16 | Параллельно | 70нс | ||||
![]() | W25Q16CVSSJG ТР | - | ![]() | 3288 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | W25Q16 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | W25Q16CVSSJGTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | ВСПЫШКА | 2М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||
![]() | W25N01GWZEIT ТР | - | ![]() | 7837 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | W25N01 | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 1,7 В ~ 1,95 В | 8-ВСОН (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25N01GWZEITTR | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 4000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 1Гбит | 8 нс | ВСПЫШКА | 128М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 700 мкс | |
| W631GU6KB-15 ТР | - | ![]() | 9034 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | W631GU6 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ШБГА (9х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 2500 | 667 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | - |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)