- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
СПАМАТА (648)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Тела | Napraheneee - posta | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | ТАКТОВА | ТИП ПАМАТИ | Raзmerpmayti | Вернее | Формат пэмаи | Органихая | ИНЕРФЕРСП | Верный | Sic programmirueTSARY |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 71V416VS10PH | - |  | 8608 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) | 71V416V | SRAM - Асинров | 3 В ~ 3,6 В. | 44-TSOP II | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 4 марта | 10 млн | Шram | 256K x 16 | Парлель | 10NS | ||||
 | 6116SA45TPG | 2.8000 | | 8289 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Чereз dыru | 24-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | 6116SA | SRAM - Асинров | 4,5 n 5,5. | 24-Pdip | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 16 | 45 м | Шram | 2k x 8 | Парлель | 45NS | ||||
 | 71V25761S183PFI | 2.0100 | | 7372 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V25761 | SRAM - Synchronous, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20) | - | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 2156-71V25761S183PFI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 183 мг | Nestabilnый | 4,5 мб | 5,5 млн | Шram | 128K x 36 | Парлель | - | Nprovereno | |
 | 71V416L10BE | 8.3300 | | 406 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 48-TFBGA | 71V416L | SRAM - Асинров | 3 В ~ 3,6 В. | 48-кабан (9x9) | СКАХАТА | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 4 марта | 10 млн | Шram | 256K x 16 | Парлель | 10NS | |||||||
 | 71V35761S166PF | 2.0100 | | 566 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V35761S | SRAM - Synchronous, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 мг | Nestabilnый | 4,5 мб | 3,5 млн | Шram | 128K x 36 | Парлель | - | |||
 | 71V124SA10Y | - | | 1780 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 32-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) | 71V124 | SRAM - Асинров | 3,15 n 3,6 В. | 32-Soj | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 1 март | 10 млн | Шram | 128K x 8 | Парлель | 10NS | ||||
| 71V416VL10BEGI | - | | 1015 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-TFBGA | 71V416V | SRAM - Асинров | 3 В ~ 3,6 В. | 48-кабан (9x9) | СКАХАТА | Neprigodnnый | 3 (168 чASOW) | Продан | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 4 марта | 10 млн | Шram | 256K x 16 | Парлель | 10NS | ||||
| 71024S12YG | 1.9600 | | 989 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 32-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) | 71024S | SRAM - Асинров | 4,5 n 5,5. | 32-Soj | СКАХАТА | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 154 | Nestabilnый | 1 март | 12 млн | Шram | 128K x 8 | Парлель | 12NS | Nprovereno | ||||||
 | 71V416S15YG | 4.1400 | | 367 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) | 71V416S | SRAM - Асинров | 3 В ~ 3,6 В. | 44-Soj | СКАХАТА | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 4 марта | 15 млн | Шram | 256K x 16 | Парлель | 15NS | |||||||
| 71V546S133PFI | - | | 2667 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V546 | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 мг | Nestabilnый | 4,5 мб | 4,2 млн | Шram | 128K x 36 | Парлель | - | |||
 | 71V3577SA80BGGI | 3.3300 | | 167 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 119-BGA | 71V3577 | SRAM - Synchronous, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 119-pbga (14x22) | СКАХАТА | Neprigodnnый | 3 (168 чASOW) | Продан | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 4,5 мб | 8 млн | Шram | 128K x 36 | Парлель | - | ||||
| 71016S15YGI | 2.4100 | | 6565 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) | 71016s | SRAM - Асинров | 4,5 n 5,5. | 44-Soj | СКАХАТА | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 91 | Nestabilnый | 1 март | 15 млн | Шram | 64K x 16 | Парлель | 15NS | |||||||
 | 71V424S15YG | 4.4800 | | 79 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 36-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) | 71V424 | SRAM - Асинров | 3 В ~ 3,6 В. | 36-SOJ | СКАХАТА | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 4 марта | 15 млн | Шram | 512K x 8 | Парлель | 15NS | Nprovereno | ||||||
| 71V547S80PF | 1.6600 | | 360 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V547 | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 4,5 мб | 8 млн | Шram | 128K x 36 | Парлель | - | ||||
| 71V016SA10PHGI8 | - | | 1024 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) | 71V016 | SRAM - Асинров | 3,15 n 3,6 В. | 44-TSOP II | СКАХАТА | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 1 март | 10 млн | Шram | 64K x 16 | Парлель | 10NS | |||||||
| 71V25761S166PF | - | | 5709 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V25761 | SRAM - Synchronous, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20) | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 мг | Nestabilnый | 4,5 мб | 3,5 млн | Шram | 128K x 36 | Парлель | - | |||
 | 71256SA15PZG | - | | 7339 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 28-tssop (0,465 ", ширина 11,80 мм) | 71256SA | SRAM - Асинров | 4,5 n 5,5. | 28-tsop | СКАХАТА | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 256 | 15 млн | Шram | 32K x 8 | Парлель | 15NS | |||||||
| 71V3559S80PFG | 7.6600 | | 338 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V3559 | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | СКАХАТА | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 4,5 мб | 8 млн | Шram | 256K x 18 | Парлель | - | |||||||
| 71124S15YG | 4.1000 | | 676 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 32-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) | 71124S | SRAM - Асинров | 4,5 n 5,5. | 32-Soj | СКАХАТА | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 1 март | 15 млн | Шram | 128K x 8 | Парлель | 15NS | |||||||
| 71V416L12YG8 | 4.1400 | | 430 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) | 71V416L | SRAM - Асинров | 3 В ~ 3,6 В. | 44-Soj | СКАХАТА | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 4 марта | 12 млн | Шram | 256K x 16 | Парлель | 12NS | |||||||
 | 6116SA35TP | 2.8000 | | 778 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Чereз dыru | 24-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | 6116SA | SRAM - Асинров | 4,5 n 5,5. | 24-Pdip | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 16 | 35 м | Шram | 2k x 8 | Парлель | 35NS | ||||
 | 71V67803S133PFGI | - | | 2687 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V67803 | SRAM - Synchronous, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | СКАХАТА | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 мг | Nestabilnый | 9 марта | 4,2 млн | Шram | 512K x 18 | Парлель | - | ||||||
| 71V416L15YG | 2.0100 | | 159 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) | 71V416L | SRAM - Асинров | 3 В ~ 3,6 В. | 44-Soj | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 4 марта | 15 млн | Шram | 256K x 16 | Парлель | 15NS | ||||
| 71V67603S166PF | 4,5000 | | 5 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V67603 | SRAM - Synchronous, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 мг | Nestabilnый | 9 марта | 3,5 млн | Шram | 256K x 36 | Парлель | - | |||
| 71V547XS100PF | 1.6600 | | 598 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V547 | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 4,5 мб | 10 млн | Шram | 128K x 36 | Парлель | - | ||||
 | 71256S35DB | 37.2500 | | 37 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Чereз dыru | 28-CDIP (0,600 ", 15,24 ММ) | 71256s | SRAM - Асинров | 4,5 n 5,5. | 28-CDIP | СКАХАТА | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 256 | 35 м | Шram | 32K x 8 | Парлель | 35NS | |||||||
| 71V546X5S133PFG | - | | 5205 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V546 | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20) | - | Neprigodnnый | 3 (168 чASOW) | Продан | 1 | 133 мг | Nestabilnый | 4,5 мб | 4,2 млн | Шram | 128K x 36 | Парлель | - | |||||
 | 71V65903S85BQG | 26.6900 | | 67 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 165-TBGA | 71V65903 | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 165-Cabga (13x15) | СКАХАТА | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 9 марта | 8,5 млн | Шram | 512K x 18 | Парлель | - | |||||||
| 71V3576S150PFG | 6.8200 | | 144 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V3576 | SRAM - Synchronous, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | СКАХАТА | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 150 мг | Nestabilnый | 4,5 мб | 3,8 млн | Шram | 128K x 36 | Парлель | - | ||||||
| 71V016SA10BFG | 5.0600 | | 2522 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 48-LFBGA | 71V016 | SRAM - Асинров | 3,15 n 3,6 В. | 48-кабаба (7x7) | СКАХАТА | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 1 март | 10 млн | Шram | 64K x 16 | Парлель | 10NS |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)