Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Тела | Napraheneee - posta | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | ТАКТОВА | ТИП ПАМАТИ | Raзmerpmayti | Вернее | Формат пэмаи | Органихая | ИНЕРФЕРСП | Верный |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 71V67903S75PFGI | 16.2900 | ![]() | 67 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V67903 | SRAM - Synchronous, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | СКАХАТА | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 117 мг | Nestabilnый | 9 марта | 7,5 млн | Шram | 512K x 18 | Парлель | - | |||||
![]() | 71V3559S80PF | - | ![]() | 5095 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V3559 | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 4,5 мб | 8 млн | Шram | 256K x 18 | Парлель | - | |||
![]() | 71V67603S166PFG | 34.1500 | ![]() | 242 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V67603 | SRAM - Synchronous, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | СКАХАТА | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 мг | Nestabilnый | 9 марта | 3,5 млн | Шram | 256K x 36 | Парлель | - | |||||
![]() | 71V67703S80PFG | 19.8800 | ![]() | 95 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V67703 | SRAM - Synchronous, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | СКАХАТА | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 мг | Nestabilnый | 9 марта | 8 млн | Шram | 256K x 36 | Парлель | - | |||||
![]() | 71V67602S166PFG | 26.6900 | ![]() | 211 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V67602 | SRAM - Synchronous, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | СКАХАТА | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 мг | Nestabilnый | 9 марта | 3,5 млн | Шram | 256K x 36 | Парлель | - | |||||
![]() | 71016S20PHG | - | ![]() | 4405 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) | 71016s | SRAM - Асинров | 4,5 n 5,5. | 44-TSOP II | СКАХАТА | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 1 март | 20 млн | Шram | 64K x 16 | Парлель | 20ns | ||||||
![]() | 71V416VL15BEG | 2.6600 | ![]() | 494 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 48-TFBGA | 71V416V | SRAM - Асинров | 3 В ~ 3,6 В. | 48-кабан (9x9) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Продан | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 4 марта | 15 млн | Шram | 256K x 16 | Парлель | 15NS | |||
![]() | 71V3558S100PFG | 7.6600 | ![]() | 109 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V3558 | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | СКАХАТА | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 мг | Nestabilnый | 4,5 мб | 5 млн | Шram | 256K x 18 | Парлель | - | |||||
![]() | 71v416ys12phg | - | ![]() | 8832 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Трубка | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) | 71V416Y | SRAM - Асинров | 3 В ~ 3,6 В. | 44-TSOP II | СКАХАТА | Rohs3 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 26 | Nestabilnый | 4 марта | 12 млн | Шram | 256K x 16 | Парлель | 12NS | |||||
![]() | 71321LA55JI | 6.9100 | ![]() | 493 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 52-LCC (J-Lead) | 71321LA | Sram - dvoйnoй port | 4,5 n 5,5. | 52-PLCC (19.13x19.13) | - | Rohs | Neprigodnnый | Продан | 2832-71321LA55JI | 3A991A2 | 8542.32.0041 | 37 | Nestabilnый | 16 | 55 м | Шram | 2k x 8 | Парлель | 55NS | ||
![]() | 71V424L10PHGI | 8.5800 | ![]() | 8485 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) | 71V424 | SRAM - Асинров | 3 В ~ 3,6 В. | 44-TSOP II | СКАХАТА | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 4 марта | 10 млн | Шram | 512K x 8 | Парлель | 10NS | ||||||
![]() | 71V65603S133BGGI | 29.1800 | ![]() | 84 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 119-BGA | 71V65603 | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 119-pbga (14x22) | СКАХАТА | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 мг | Nestabilnый | 9 марта | 4,2 млн | Шram | 256K x 36 | Парлель | - | |||||
![]() | 71V35761SA200BG | 14.7800 | ![]() | 29 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 119-BGA | 71V35761S | SRAM - Synchronous, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 119-pbga (14x22) | СКАХАТА | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 мг | Nestabilnый | 4,5 мб | 3.1 м | Шram | 128K x 36 | Парлель | - | |||||
![]() | 71V3579S85PFI | 2.0100 | ![]() | 342 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V3579 | SRAM - Synchronous, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 4,5 мб | 8,5 млн | Шram | 256K x 18 | Парлель | - | |||
![]() | 71V416VS10PHG | - | ![]() | 9886 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) | 71V416V | SRAM - Асинров | 3 В ~ 3,6 В. | 44-TSOP II | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Продан | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 4 марта | 10 млн | Шram | 256K x 16 | Парлель | 10NS | |||
![]() | 7m4048l85n | - | ![]() | 3866 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | * | МАССА | Актифен | СКАХАТА | Rohs | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | 71V016SA20YGI | 2.4900 | ![]() | 365 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) | 71V016 | SRAM - Асинров | 3 В ~ 3,6 В. | 44-Soj | СКАХАТА | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 1 март | 20 млн | Шram | 64K x 16 | Парлель | 20ns | ||||||
![]() | 71V3556S133PFGI | 10.0700 | ![]() | 556 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V3556 | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | СКАХАТА | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 мг | Nestabilnый | 4,5 мб | 4,2 млн | Шram | 128K x 36 | Парлель | - | |||||
![]() | 71V3577S75PFG | - | ![]() | 2920 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V3577 | SRAM - Synchronous, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | СКАХАТА | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 117 мг | Nestabilnый | 4,5 мб | 7,5 млн | Шram | 128K x 36 | Парлель | - | |||||
![]() | 7164S25YG | 3.8100 | ![]() | 6975 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 28-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) | 7164S | SRAM - Асинров | 4,5 n 5,5. | 28-soj | СКАХАТА | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 64 | 25 млн | Шram | 8K x 8 | Парлель | 25NS | ||||||
![]() | 71V3557S80PFI | 2.0100 | ![]() | 439 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V3557 | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 4,5 мб | 8 млн | Шram | 128K x 36 | Парлель | - | |||
![]() | 71V632S8PFG | 1.6600 | ![]() | 299 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V632 | SRAM - Synchronous, SDR | 3,135 ЕГО 3,63 В. | 100-TQFP (14x14) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Продан | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 2 марта | 8 млн | Шram | 64K x 32 | Парлель | - | |||
![]() | 7164S55TDB | - | ![]() | 2841 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Чereз dыru | 28-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) | 7164S | SRAM - Асинров | 4,5 n 5,5. | 28-CDIP | СКАХАТА | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 64 | 55 м | Шram | 8K x 8 | Парлель | 55NS | ||||||
![]() | 71V3558S100PFGI | 11.0800 | ![]() | 594 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V3558 | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | СКАХАТА | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 мг | Nestabilnый | 4,5 мб | 5 млн | Шram | 256K x 18 | Парлель | - | |||||
![]() | 71V632S7PFI | - | ![]() | 6094 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V632 | SRAM - Synchronous, SDR | 3,135 ЕГО 3,63 В. | 100-TQFP (14x14) | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66 мг | Nestabilnый | 2 марта | 7 млн | Шram | 64K x 32 | Парлель | - | ||
![]() | 7164S25TDB | - | ![]() | 7133 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Чereз dыru | 28-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) | 7164S | SRAM - Асинров | 4,5 n 5,5. | 28-CDIP | СКАХАТА | 0000.00.0000 | 1 | Nestabilnый | 64 | 25 млн | Шram | 8K x 8 | Парлель | 25NS | |||||||
![]() | 71256SA20TPI | - | ![]() | 4844 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Чereз dыru | 28-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) | 71256s | SRAM - Асинров | 4,5 n 5,5. | 28-pdip | СКАХАТА | Neprigodnnый | 3 (168 чASOW) | Продан | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 256 | 20 млн | Шram | 32K x 8 | Парлель | 20ns | |||
![]() | 71256L35YI | - | ![]() | 3034 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 28-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) | 71256L | SRAM - Асинров | 4,5 n 5,5. | 28-soj | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 256 | 35 м | Шram | 32K x 8 | Парлель | 35NS | |||
![]() | 71V124SA10TYG8 | 2.9800 | ![]() | 125 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 32-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) | 71V124 | SRAM - Асинров | 3,15 n 3,6 В. | 32-Soj | СКАХАТА | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 1 март | 10 млн | Шram | 128K x 8 | Парлель | 10NS | ||||||
![]() | 71V3557S75PFG | 8.6800 | ![]() | 102 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 71V3557 | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | СКАХАТА | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Nestabilnый | 4,5 мб | 7,5 млн | Шram | 128K x 36 | Парлель | - |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе