SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный Sic programmirueTSARY
71V35761S166BGGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V35761S166BGGI -
RFQ
ECAD 2436 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 119-BGA 71V35761S SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 119-pbga (14x22) СКАХАТА Rohs3 3A991B2A 8542.32.0041 84 166 мг Nestabilnый 4,5 мб 3,5 млн Шram 128K x 36 Парлель -
71016S12PHGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71016S12PHGI -
RFQ
ECAD 4117 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) 71016s SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 64K x 16 Парлель 12NS
71V3558SA166BQG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3558SA166BQG -
RFQ
ECAD 9585 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA 71V3558 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 17 166 мг Nestabilnый 4,5 мб 3,5 млн Шram 256K x 18 Парлель -
71V416L15Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416L15Y -
RFQ
ECAD 2608 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) 71V416L SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-Soj СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 15 млн Шram 256K x 16 Парлель 15NS
71V67603S150BQ IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67603S150BQ -
RFQ
ECAD 6658 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA 71V67603 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 150 мг Nestabilnый 9 марта 3,8 млн Шram 256K x 36 Парлель -
71V3579S85PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3579S85PF 15000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V3579 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4,5 мб 8,5 млн Шram 256K x 18 Парлель -
71V3578S150PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3578S150PFG 7.6600
RFQ
ECAD 141 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V3578 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 150 мг Nestabilnый 4,5 мб 3,8 млн Шram 256K x 18 Парлель -
71P72804S250BQG IDT, Integrated Device Technology Inc 71P72804S250BQG 4.9900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA 71p72 SRAM - Synchronous, QDR II 1,7 В ~ 1,9 В. 165-Cabga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2A 8542.32.0041 1 250 мг Nestabilnый 18 марта 6,3 м Шram 1m x 18 Парлель -
71V67603S133PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67603S133PFG -
RFQ
ECAD 4148 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V67603 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 мг Nestabilnый 9 марта 4,2 млн Шram 256K x 36 Парлель -
71256TTSA15YG IDT, Integrated Device Technology Inc 71256TTSA15YG -
RFQ
ECAD 9040 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 28-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) 71256tt SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-soj СКАХАТА Rohs3 Ear99 8542.32.0041 27 Nestabilnый 256 15 млн Шram 32K x 8 Парлель 15NS
71V416L15BEG8 IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416L15BEG8 -
RFQ
ECAD 4673 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA 71V416L SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 48-кабан (9x9) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 15 млн Шram 256K x 16 Парлель 15NS
71V432S6PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V432S6PFG 3.4000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V432 SRAM - Synchronous, SDR 3,135 ЕГО 3,63 В. 100-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs3 3A991B2A 8542.32.0041 72 83 мг Nestabilnый 1 март 6 м Шram 32K x 32 Парлель -
7164S35YGI IDT, Integrated Device Technology Inc 7164S35YGI -
RFQ
ECAD 5191 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) 7164S SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.32.0041 1 Nestabilnый 64 35 м Шram 8K x 8 Парлель 35NS
7164L20TP IDT, Integrated Device Technology Inc 7164L20TP -
RFQ
ECAD 3960 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Чereз dыru 28-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 7164L SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-pdip СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1 Nestabilnый 64 20 млн Шram 8K x 8 Парлель 20ns
71V65703S85BQG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65703S85BQG 26.6900
RFQ
ECAD 104 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA 71V65703 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 9 марта 8,5 млн Шram 256K x 36 Парлель -
71V416L10PHG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416L10PHG 6.5100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) 71V416L SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 47 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS Nprovereno
71V3578S150PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3578S150PFI -
RFQ
ECAD 6319 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V3578 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 150 мг Nestabilnый 4,5 мб 3,8 млн Шram 256K x 18 Парлель -
71V124SA10TY IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA10TY -
RFQ
ECAD 4684 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) 71V124 SRAM - Асинров 3,15 n 3,6 В. 32-Soj СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 10 млн Шram 128K x 8 Парлель 10NS
71V016SA12BFG8 IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA12BFG8 5.0600
RFQ
ECAD 4 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 48-LFBGA 71V016 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 48-кабаба (7x7) СКАХАТА 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 64K x 16 Парлель 12NS
71V3577S80BQI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577S80BQI -
RFQ
ECAD 9610 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA 71V3577 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 мг Nestabilnый 4,5 мб 8 млн Шram 128K x 36 Парлель -
71024S15TY IDT, Integrated Device Technology Inc 71024s15ty -
RFQ
ECAD 2071 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) 71024S SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 32-Soj СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 15 млн Шram 128K x 8 Парлель 15NS
71V256SA15YI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V256SA15YI -
RFQ
ECAD 4257 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) 71V256 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 28-soj СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1 Nestabilnый 256 15 млн Шram 32K x 8 Парлель 15NS
71V416VS10BEI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416VS10BEI -
RFQ
ECAD 1920 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA 71V416V SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 48-кабан (9x9) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
71V3577SYZC3G IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577SYZC3G -
RFQ
ECAD 4316 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - 71V3577 SRAM - Станодар 3.135V ~ 3.465V - СКАХАТА Neprigodnnый 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4,5 мб Шram 128K x 36 Парлель -
71V547S100PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V547S100PFI -
RFQ
ECAD 2380 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V547 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4,5 мб 10 млн Шram 128K x 36 Парлель -
71V35761YSA200BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V35761SA200BG 3.3300
RFQ
ECAD 156 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 119-BGA 71V35761Y SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 119-pbga (14x22) СКАХАТА Rohs 3A991B2A 8542.32.0041 84 200 мг Nestabilnый 4,5 мб 3.1 м Шram 128K x 36 Парлель -
71V65703S75BQ IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65703S75BQ 26.6900
RFQ
ECAD 183 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA 71V65703 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 9 марта 7,5 млн Шram 256K x 36 Парлель -
71V016SA12BFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA12BFI 4.4700
RFQ
ECAD 149 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-LFBGA 71V016 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 48-кабаба (7x7) СКАХАТА 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 64K x 16 Парлель 12NS
71V67703S80PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67703S80PFGI -
RFQ
ECAD 6541 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V67703 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 мг Nestabilnый 9 марта 8 млн Шram 256K x 36 Парлель -
71V416S12PH IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S12PH -
RFQ
ECAD 9847 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) 71V416S SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 12 млн Шram 256K x 16 Парлель 12NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе