SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный Sic programmirueTSARY
71V424L15PHG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V424L15PHG 6 9400
RFQ
ECAD 173 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) 71V424 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 44 Nestabilnый 4 марта 15 млн Шram 512K x 8 Парлель 15NS Nprovereno
71V546S100PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V546S100PFG 64900
RFQ
ECAD 179 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V546 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 47 100 мг Nestabilnый 4,5 мб 5 млн Шram 128K x 36 Парлель - Nprovereno
71124S12Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71124S12Y -
RFQ
ECAD 9034 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) 71124S SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 32-Soj СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 128K x 8 Парлель 12NS
71T75802S200BGGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75802S200BGGI 25.0000
RFQ
ECAD 98 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 119-BGA 71T75802 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 2 375 $ 2625 119-pbga (14x22) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 мг Nestabilnый 18 марта 3,2 млн Шram 1m x 18 Парлель -
71V35761SA166BQGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V35761SA166BQGI -
RFQ
ECAD 5149 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA 71V35761S SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 мг Nestabilnый 4,5 мб 3,5 млн Шram 128K x 36 Парлель -
71256S35TDB IDT, Integrated Device Technology Inc 71256S35TDB -
RFQ
ECAD 9340 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 28-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) 71256s SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-CDIP СКАХАТА 3A001A2C 8542.32.0041 1 Nestabilnый 256 35 м Шram 32K x 8 Парлель 35NS
71V3559S85BQG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3559S85BQG 10.1900
RFQ
ECAD 6566 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA 71V3559 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4,5 мб 8,5 млн Шram 256K x 18 Парлель -
7164S55DB IDT, Integrated Device Technology Inc 7164S55DB -
RFQ
ECAD 6833 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 28-CDIP (0,600 ", 15,24 ММ) 7164S SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-CDIP СКАХАТА 3A001A2C 8542.32.0041 1 Nestabilnый 64 55 м Шram 8K x 8 Парлель 55NS
71016S15PHI IDT, Integrated Device Technology Inc 71016S15PHI -
RFQ
ECAD 9649 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) 71016s SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 44-TSOP II - Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 15 млн Шram 64K x 16 Парлель 15NS
6116SA25SOGI IDT, Integrated Device Technology Inc 6116SA25Sogi 5.4600
RFQ
ECAD 89 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) 6116SA SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 24 года СКАХАТА Ear99 8542.32.0041 1 Nestabilnый 16 25 млн Шram 2k x 8 Парлель 25NS
6116SA90TDB IDT, Integrated Device Technology Inc 6116SA90TDB 22.3600
RFQ
ECAD 74 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 24-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) 6116SA SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 24-CDIP СКАХАТА 3A001A2C 8542.32.0041 1 Nestabilnый 16 90 млн Шram 2k x 8 Парлель 90ns
71V67803S166PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67803S166PFG 17.3400
RFQ
ECAD 38 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V67803 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 мг Nestabilnый 9 марта 3,5 млн Шram 512K x 18 Парлель -
IDT71016S-15PH IDT, Integrated Device Technology Inc IDT71016S-15PH 3,5000
RFQ
ECAD 619 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 44-TSOP II - 3277-IDT71016S-15PH Ear99 8542.32.0041 100 Nestabilnый 1 март Шram 64K x 16 Парлель 15NS Nprovereno
71V65703S75PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65703S75PFI 6.0000
RFQ
ECAD 128 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V65703 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 9 марта 7,5 млн Шram 256K x 36 Парлель -
71V016SA15BF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA15BF 4.1000
RFQ
ECAD 783 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 48-LFBGA 71V016 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 48-кабаба (7x7) СКАХАТА 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 15 млн Шram 64K x 16 Парлель 15NS
71T75802S166PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75802S166PFG -
RFQ
ECAD 6752 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71T75802 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 2 375 $ 2625 100-TQFP (14x14) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 мг Nestabilnый 18 марта 3,5 млн Шram 1m x 18 Парлель -
71V424L10YG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V424L10YG 4.5600
RFQ
ECAD 1049 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 36-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) 71V424 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 36-SOJ СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 46 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 512K x 8 Парлель 10NS
71V416L15PHI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416L15PHI 2.2600
RFQ
ECAD 7799 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) 71V416L SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 15 млн Шram 256K x 16 Парлель 15NS
71016NS15PHG IDT, Integrated Device Technology Inc 71016ns15phg 1.3400
RFQ
ECAD 1 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) 71016N SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3A991B2B 8542.32.0041 26 Nestabilnый 1 март 15 млн Шram 64K x 16 Парлель 15NS
71V3556S166PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3556S166PFGI 10.6800
RFQ
ECAD 175 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V3556 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 мг Nestabilnый 4,5 мб 3,5 млн Шram 128K x 36 Парлель -
71256SA12YI IDT, Integrated Device Technology Inc 71256SA12YI -
RFQ
ECAD 7687 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) 71256SA SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-soj СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1 Nestabilnый 256 12 млн Шram 32K x 8 Парлель 12NS
71V65803S100BGG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65803S100BGG 26.6900
RFQ
ECAD 116 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 119-BGA 71V65803 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 119-pbga (14x22) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 мг Nestabilnый 9 марта 5 млн Шram 512K x 18 Парлель -
71V65803S100PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65803S100PFI 6.0000
RFQ
ECAD 155 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V65803 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 мг Nestabilnый 9 марта 5 млн Шram 512K x 18 Парлель -
71V416S10PH IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S10PH -
RFQ
ECAD 1688 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) 71V416S SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
71V3556S100PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3556S100PFG 7.6600
RFQ
ECAD 52 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V3556 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 мг Nestabilnый 4,5 мб 5 млн Шram 128K x 36 Парлель -
71P72804S200BQG IDT, Integrated Device Technology Inc 71P72804S200BQG 6.6800
RFQ
ECAD 161 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA 71p72 SRAM - Synchronous, QDR II 1,7 В ~ 1,9 В. 165-Cabga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 мг Nestabilnый 18 марта 7,88 млн Шram 1m x 18 Парлель -
71V424S15YI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V424S15YI -
RFQ
ECAD 2568 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 36-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) 71V424 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 36-SOJ - Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 15 млн Шram 512K x 8 Парлель 15NS
71V3559S85BGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3559S85BGI 10.8200
RFQ
ECAD 6574 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 119-BGA 71V3559 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 119-pbga (14x22) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4,5 мб 8,5 млн Шram 256K x 18 Парлель -
71V67603S150PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67603S150PFG 27.5600
RFQ
ECAD 219 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V67603 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 150 мг Nestabilnый 9 марта 3,8 млн Шram 256K x 36 Парлель -
71V124SA12TYGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA12Tygi -
RFQ
ECAD 4152 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) 71V124 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 32-Soj СКАХАТА 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 128K x 8 Парлель 12NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе