запрос цен
спецификация
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-comComponents.com

Память(4449)

Номер продукта	Цена (долл. США)	Количество	Доступное количество	Производитель	Ряд	Упаковка	Статус продукта	Рабочая температура	Тип монтажа	Пакет/ключи	Базовый номер продукта	Технология	Напряжение питания	Поставщик пакета оборудования	Техническая спецификация	Статус RoHS	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Статус REACH	ECCN	ХТСУС	Стандартный пакет	Тактовая частота	Тип	Размер	Время доступа	Формат памяти	Организация	Интерфейс памяти	Время цикла записи — Word, Page	Программируемый НИЦ
CY7C1041CV33-20ZC	3,6800	запросить цену	52	Сайпресс Полупроводниковая Корпорация	-	Сумка	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж	44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм)	CY7C1041	SRAM — асинхронный	3 В ~ 3,6 В	44-ЦОП II	скачать	не соответствует RoHS			3A991B2A	8542.32.0041	82		Неустойчивый	4Мбит	20 нс	СРАМ	256К х 16	Параллельно	20нс	Не проверено
CY7C199CN-12VXAKJT	3.3300	запросить цену	1	Сайпресс Полупроводниковая Корпорация	-	Масса	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж	28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм)	CY7C199	SRAM — асинхронный	4,5 В ~ 5,5 В	28-СОЮ	скачать	Непригодный	3 (168 часов)	Поставщик не определен	EAR99	8542.32.0041	1000		Неустойчивый	256Кбит	12 нс	СРАМ	32К х 8	Параллельно	12нс
CY7C199CN-12VXI	-	запросить цену	4005	Сайпресс Полупроводниковая Корпорация	-	Трубка	Устаревший	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж	28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм)	CY7C199	SRAM — асинхронный	4,5 В ~ 5,5 В	28-СОЮ	скачать	Соответствует ROHS3			EAR99	8542.32.0041	12		Неустойчивый	256Кбит	12 нс	СРАМ	32К х 8	Параллельно	12нс	Не проверено
CY7C197N-45PXC	2.7400	запросить цену	1	Сайпресс Полупроводниковая Корпорация	-	Масса	Активный	0°С ~ 70°С (ТА)	Сквозное отверстие	24-ДИП (0,300 дюйма, 7,62 мм)	CY7C197	SRAM — асинхронный	4,5 В ~ 5,5 В	24-ПДИП	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)	Поставщик не определен	EAR99	8542.32.0041	1		Неустойчивый	256Кбит	45 нс	СРАМ	256 тыс. х 1	Параллельно	45нс
CY7C1361S-133AXCKJ	14.4700	запросить цену	193	Сайпресс Полупроводниковая Корпорация	-	Масса	Активный	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж	100-LQFP	CY7C1361	SRAM – синхронный, SDR	3,135 В ~ 3,6 В	100-ТКФП (14х14)	скачать	Непригодный	3 (168 часов)	Поставщик не определен	3A991B2A	8542.32.0041	1	133 МГц	Неустойчивый	9 Мбит	6,5 нс	СРАМ	256К х 36	Параллельно	-
CYD18S72V-100BBC	328,9100	запросить цену	124	Сайпресс Полупроводниковая Корпорация	-	Масса	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж	484-БГА	CYD18S72	SRAM — двухпортовый, синхронный	3135 В ~ 3465 В	484-ФБГА (23х23)	скачать	не соответствует RoHS	3 (168 часов)	REACH не касается			1	100 МГц	Неустойчивый	18 Мбит		СРАМ	256К х 72	Параллельно	-	Не проверено
CY7C1041G18-15ZSXI	-	запросить цену	6805	Сайпресс Полупроводниковая Корпорация	-	Масса	Активный	-40°С ~ 85°С (ТА)	Поверхностный монтаж	44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм)	CY7C1041	SRAM — асинхронный	1,65 В ~ 2,2 В	44-ЦОП II	скачать						1		Неустойчивый	4Мбит	15 нс	СРАМ	256К х 16	Параллельно	15 нс	Не проверено
CY7C1911JV18-300BZC	43,6600	запросить цену	300	Сайпресс Полупроводниковая Корпорация	-	Поднос	Устаревший	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж	165-ЛБГА	CY7C1911	SRAM — синхронный, QDR II	1,7 В ~ 1,9 В	165-ФБГА (13х15)	скачать	не соответствует RoHS			3A991B2A	8542.32.0041	7	300 МГц	Неустойчивый	18 Мбит		СРАМ	2М х 9	Параллельно	-	Не проверено
CY62256L-70ZCT	0,7100	запросить цену	3	Сайпресс Полупроводниковая Корпорация	МоБЛ®	Масса	Активный	0°С ~ 70°С (ТА)	Поверхностный монтаж	28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм)	CY62256	SRAM — асинхронный	4,5 В ~ 5,5 В	28-ЦОП I	скачать	Непригодный	3 (168 часов)	Поставщик не определен	EAR99	8542.32.0041	1500		Неустойчивый	256Кбит	70 нс	СРАМ	32К х 8	Параллельно	70нс