Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S29GL256P11FAIV20 | 18,6670 | ![]() | 7407 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | ГЛ-П | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | S29GL256 | ВСПЫШКА – НО | 1,65 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (13х11) | скачать | не соответствует RoHS | Непригодный | Поставщик не определен | 3А991Б1А | 8542.32.0070 | 12 | Энергонезависимый | 256Мбит | 110 нс | ВСПЫШКА | 32М х 8 | Параллельно | 110 нс | Не проверено | |||
![]() | S34ML01G200TFI000 | - | ![]() | 2682 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МЛ-2 | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | S34ML01 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 192 | Энергонезависимый | 1Гбит | ВСПЫШКА | 128М х 8 | Параллельно | 25нс | |||||
![]() | CY7C1041CV33-15VCT | 1,7100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY7C1041 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 44-СОЮ | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | Неустойчивый | 4 Мбит | 15 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 15нс | ||||
![]() | CY7C25442KV18-333BZI | 283.3800 | ![]() | 56 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C25442 | SRAM — синхронный, QDR II+ | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | 2 | 333 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | СРАМ | 2М х 36 | Параллельно | - | Не проверено | ||||||||
![]() | CY62146G-45ZSXI | - | ![]() | 8646 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МоБЛ® | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY62146 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 44-ЦОП II | скачать | 1 | Неустойчивый | 4 Мбит | 45 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 45нс | Не проверено | ||||||||
![]() | CY7C1518JV18-250BZC | 121.3300 | ![]() | 484 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1518 | SRAM — синхронный, DDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (15х17) | скачать | не соответствует RoHS | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | СРАМ | 4М х 18 | Параллельно | - | Не проверено | |||||
![]() | S34ML02G200GHI000 | 4.9600 | ![]() | 101 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МЛ-2 | Масса | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 67-ВФБГА | S34ML02 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 67-БГА (8х6,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 2832-С34МЛ02Г200ГХИ000 | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1 | Энергонезависимый | 2Гбит | ВСПЫШКА | 256М х 8 | Параллельно | 25нс | ||||||
![]() | CG7291KGA | - | ![]() | 3984 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | - | Непригодный | 1 (без блокировки) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.31.0001 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | CY62138FLL-45ZSXI | 3.7000 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МоБЛ® | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-SOIC (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY62138 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 82 | Неустойчивый | 2Мбит | 45 нс | СРАМ | 256К х 8 | Параллельно | 45нс | Не проверено | |||||
![]() | CY7C144E-25AXC | 23.3400 | ![]() | 1669 г. | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-LQFP | CY7C144 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 64-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 2832-CY7C144E-25AXC | EAR99 | 8542.32.0041 | 90 | Неустойчивый | 64Кбит | 25 нс | СРАМ | 8К х 8 | Параллельно | 25нс | |||||
![]() | STK20C04-WF25I | 83.3400 | ![]() | 5646 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 28-ДИП (0,600 дюймов, 15,24 мм) | СТК20C04 | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-ДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | 2832-STK20C04-WF25I | EAR99 | 8542.32.0041 | 5 | Энергонезависимый | 4Кбит | 25 нс | НВСРАМ | 512 х 8 | Параллельно | 25нс | |||||
![]() | S34ML08G101BHA000 | 16.0000 | ![]() | 161 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МЛ-1 | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 63-ВФБГА | S34ML08 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 63-БГА (11х9) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 32 | Энергонезависимый | 8Гбит | ВСПЫШКА | 1Г х 8 | Параллельно | 25нс | |||||||
![]() | СТК14C88-5L45M | 1,0000 | ![]() | 75 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-LCC (J-вывод) | СТК14C88 | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ПЛСС (11,43х13,97) | скачать | не соответствует RoHS | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 34 | Энергонезависимый | 256Кбит | 45 нс | НВСРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 45нс | ||||||
![]() | CY7C25702KV18-500BZC | 318,6600 | ![]() | 298 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C25702 | SRAM — синхронный, DDR II+ | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | не соответствует RoHS | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 500 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | СРАМ | 2М х 36 | Параллельно | - | Не проверено | |||||
![]() | CY62256VNLL-70ZIT | 0,7100 | ![]() | 861 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МоБЛ® | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) | CY62256 | SRAM — асинхронный | 2,7 В ~ 3,6 В | 28-ЦОП I | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0041 | 1500 | Неустойчивый | 256Кбит | 70 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 70нс | ||||
![]() | CY7C057V-12BBC | 86.3300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 172-ЛБГА | CY7C057 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 172-ФБГА (15х15) | скачать | не соответствует RoHS | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 126 | Неустойчивый | 1,152 Мбит | 12 нс | СРАМ | 32К х 36 | Параллельно | 12нс | Не проверено | |||||
![]() | CY7C1170KV18-450BZXC | 41.2200 | ![]() | 591 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1170 | SRAM — синхронный, DDR II+ | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | 8 | 450 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | Не проверено | ||||||||
![]() | CY7C1570KV18-500BZXC | 282.2400 | ![]() | 295 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1570 | SRAM — синхронный, DDR II+ | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | 2 | 500 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | СРАМ | 2М х 36 | Параллельно | - | Не проверено | ||||||||
![]() | CY62158DV30LL-70BVI | - | ![]() | 7134 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МоБЛ® | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | CY62158 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 48-ВФБГА (6х8) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 8 Мбит | 70 нс | СРАМ | 1М х 8 | Параллельно | 70нс | ||||
![]() | S34ML01G100TFB000 | - | ![]() | 2092 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МЛ-1 | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | S34ML01 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 96 | Энергонезависимый | 1Гбит | ВСПЫШКА | 128М х 8 | Параллельно | 25нс | |||||
![]() | CY7C0251-25AXC | - | ![]() | 1564 г. | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C0251 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | Соответствует ROHS3 | EAR99 | 8542.32.0041 | 3 | Неустойчивый | 144Кбит | 25 нс | СРАМ | 8К х 18 | Параллельно | 25нс | Не проверено | |||||
![]() | S34MS01G204BHI010 | - | ![]() | 3148 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МС-2 | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 63-ВФБГА | С34МС01 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 1,7 В ~ 1,95 В | 63-БГА (11х9) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 210 | Энергонезависимый | 1Гбит | 45 нс | ВСПЫШКА | 64М х 16 | Параллельно | 45нс | ||||
![]() | CY62147CV33-70BVI | 2.4800 | ![]() | 479 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | * | Масса | Активный | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | CY14B101NA-ZS25XI | - | ![]() | 5557 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY14B101 | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 2,7 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | 1 | Энергонезависимый | 1Мбит | 25 нс | НВСРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 25нс | Не проверено | ||||||||
![]() | СТК15C88-SF45I | 22.0000 | ![]() | 5806 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-SOIC (ширина 0,342 дюйма, 8,69 мм) | СТК15C88 | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 2832-STK15C88-SF45I | EAR99 | 8542.32.0041 | 25 | Энергонезависимый | 256Кбит | 45 нс | НВСРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 45нс | |||||
![]() | CY14B256L-SZ25XC | 11.8000 | ![]() | 829 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | CY14B256 | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 2,7 В ~ 3,6 В | 32-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Энергонезависимый | 256Кбит | 25 нс | НВСРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 25нс | ||||
![]() | S25HS512TFANHI010 | 6.7080 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | ХС-Т | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | С25ХС512 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 2 В | 8-ВСОН (6х8) | скачать | не соответствует RoHS | Непригодный | Поставщик не определен | 2832-S25HS512TFANHI010 | 3А991Б1А | 8542.32.0070 | 49 | 166 МГц | Энергонезависимый | 512 Мбит | ВСПЫШКА | 64М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | - | Не проверено | ||
![]() | CY62256NLL-55ZXI | 3.4400 | ![]() | 301 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МоБЛ® | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) | CY62256 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-ЦОП I | скачать | не соответствует RoHS | Непригодный | Поставщик не определен | 2832-CY62256NLL-55ZXI | 150 | Неустойчивый | 256Кбит | 55 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 55нс | Не проверено | ||||
![]() | CY62126DV30LL-70ZXI | 0,9000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МоБЛ® | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY62126 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 1Мбит | 70 нс | СРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 70нс | ||||
![]() | CY62256VL-70ZI | - | ![]() | 9817 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МоБЛ® | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) | CY62256 | SRAM — асинхронный | 2,7 В ~ 3,6 В | 28-ЦОП I | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 256Кбит | 70 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 70нс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)