SIC
close

Логика (1138)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Фуевшии Baзowый nomer prodikta ТИПВ Втипа Колист Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж DOSTISHATH Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ЛОГЕЕСКИЯ ТИП Колист Коли Ток - Файнкхия ТОК - Покоя (МАКСИМУМА) Колист ТАКТОВА Истошиник ТИП Mmakcymalnavan -a -derжca rasprostrannenina @ v, максимум cl Tykuщiй - pocoayщiй (iq) Взёд Ведоджеса Ведоджес ШMITTTTTTTTTTTTTTTTTTTTTTTTTTHERNыйVOD Сэма NeShaviMhemee цepi
74LVC273D,118 NXP Semiconductors 74LVC273D, 118 0,2000
RFQ
 ECAD 61 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74LVC МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 20 SOIC (0,295 дюйма, Ирина 7,50 мм) D-Thep 74LVC273 Нюртировано 1,65, ~ 3,6 В. 20 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74LVC273D, 118-954 1 1 8 24ma, 24ma Мастера 230 мг Poloshitelgnый kraй 8.2ns @ 3,3 -v, 50pf 10 мк 5 пф
74LVT125PW,112 NXP Semiconductors 74LVT125PW, 112 0,1500
RFQ
 ECAD 37 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74LVT МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 14-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) 74LVT125 - 3-шТат 2,7 В ~ 3,6 В. 14-tssop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74LVT125PW, 112-954 1 Бер, neryrtiruющiй 4 1 32 май, 64 мА
74LV132PW,118 NXP Semiconductors 74LV132PW, 118 0,1000
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74LV132 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74LV132PW, 118-954 1
74AUP1G32GM,132 NXP Semiconductors 74AUP1G32GM, 132 -
RFQ
 ECAD 6060 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74aup МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6-xfdfn - 74AUP1G32 1 0,8 В ~ 3,6 В. 6-xson (145x1) СКАХАТА 0000.00.0000 1 Илиором 4ma, 4ma 500 NA 2 6,4ns @ 3,3 v, 30pf 0,7 В ~ 0,9 В. 1,6 В ~ 2 В.
74LV165AD,112 NXP Semiconductors 74LV165AD, 112 -
RFQ
 ECAD 6185 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74LV МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) 74LV165 Додер 2В ~ 5,5 В. 16-й СКАХАТА 0000.00.0000 1 СДВИГР 1 8 Парлэлн или Сейрихан -длсейригно
74HCT574D,652 NXP Semiconductors 74HCT574D, 652 -
RFQ
 ECAD 8646 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74HCT МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 20 SOIC (0,295 дюйма, Ирина 7,50 мм) D-Thep 74HCT574 Три-Госхарство, neryrtyrovano 4,5 n 5,5. 20 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74HCT574D, 652-954 Ear99 8542.39.0001 1 1 8 6ma, 6ma Станода 76 мг Poloshitelgnый kraй 33NS @ 4,5 - 8 мка 3,5 пф
74LVC74AD,118 NXP Semiconductors 74LVC74AD, 118 0,1000
RFQ
 ECAD 68 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74LVC МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 14 SOIC (0,154 ", Ирина 3,90 мм) D-Thep 74LVC74 Додер 1,2 n 3,6 В. 14 Такого СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74LVC74AD, 118-954 3092 2 1 24ma, 24ma Набор (предустановка) и сброс 250 мг Poloshitelgnый kraй 5,2ns @ 3,3 -v, 50pf 10 мк 4 пф
74AHC1G00GV,125 NXP Semiconductors 74AHC1G00GV, 125 -
RFQ
 ECAD 3357 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74AHC1G00 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74AHC1G00GV, 125-954 1
74ABT125D,623 NXP Semiconductors 74abt125d, 623 0,1800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74abt МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 14 SOIC (0,154 ", Ирина 3,90 мм) 74abt125 - 3-шТат 4,5 n 5,5. 14 Такого СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74ABT125D, 623-954 0000.00.0000 1 Бер, neryrtiruющiй 4 1 32 май, 64 мА
74LVC125APW,112 NXP Semiconductors 74LVC125APW, 112 -
RFQ
 ECAD 7658 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74LVC МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 14-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) 74LVC125 - 3-шТат 1,2 n 3,6 В. 14-tssop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74LVC125APW, 112-954 1 Бер, neryrtiruющiй 4 1 24ma, 24ma
74LVC1G74GD,125 NXP Semiconductors 74LVC1G74GD, 125 0,1400
RFQ
 ECAD 176 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74LVC МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8-xfdfn D-Thep 74LVC1G74 Додер 1,65 n 5,5 8-xson (2x3) СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-74LVC1G74GD, 125-954 1 1 1 32MA, 32MA Набор (предустановка) и сброс 200 мг Poloshitelgnый kraй 4.1ns @ 5V, 50pf 40 мк 4 пф
74AXP1G98GMH NXP Semiconductors 74AXP1G98GMH 0,0900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74AXP1G98 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74AXP1G98GMH-954 Ear99 8542.39.0001 1
HEF4011BT,653 NXP Semiconductors HEF4011BT, 653 -
RFQ
 ECAD 9614 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен HEF4011 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-HEF4011BT, 653-954 1
74AUP1G98GF,132 NXP Semiconductors 74AUP1G98GF, 132 0,1700
RFQ
 ECAD 179 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74AUP1G98 СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-74AUP1G98GF, 132-954 1
74LVC1G74GN,115 NXP Semiconductors 74LVC1G74GN, 115 0,1200
RFQ
 ECAD 74 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74LVC МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8-xfdfn D-Thep 74LVC1G74 Додер 1,65 n 5,5 8-xson (1,2x1) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74LVC1G74GN, 115-954 Ear99 8542.39.0001 1 1 1 32MA, 32MA Набор (предустановка) и сброс 200 мг Poloshitelgnый kraй 4.1ns @ 5V, 50pf 40 мк 4 пф
74LVC574ADB,112 NXP Semiconductors 74LVC574ADB, 112 0,2200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74LVC МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 20-ssop (0,209 ", Ирина 5,30 мм) D-Thep 74LVC574 Три-Госхарство, neryrtyrovano 1,65, ~ 3,6 В. 20-Ssop СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-74LVC574ADB, 112-954 Ear99 8542.39.0001 1 1 8 24ma, 24ma Станода 200 мг Poloshitelgnый kraй 7ns @ 3,3 -v, 50pf 10 мк 5 пф
74AUP1G885GF,115 NXP Semiconductors 74AUP1G885GF, 115 -
RFQ
 ECAD 9579 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74aup МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-xfdfn Эйноли 1 0,8 В ~ 3,6 В. 8-xson (135x1) - Rohs Продан 2156-74AUP1G885GF, 115-954 1 Надесаева 4ma, 4ma 3 Не
CBT3306D,112 NXP Semiconductors CBT3306D, 112 0,2900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74CBT МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Верхал CBT3306 4,5 n 5,5. 8 ТАКОГО СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-CBT3306D, 112-954 1 - Edinshennnnnnnnnnnanne 1 x 1: 1 2
74HC244DB,118 NXP Semiconductors 74HC244DB, 118 0,1900
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74HC МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 20-ssop (0,209 ", Ирина 5,30 мм) 74HC244 - 3-шТат 2 В ~ 6 В. 20-Ssop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74HC244DB, 118-954 1 Бер, neryrtiruющiй 2 4 7,8 мая, 7,8 мая
74HC40103D,652 NXP Semiconductors 74HC40103D, 652 0,4500
RFQ
 ECAD 3783 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74HC40103 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74HC40103D, 652-954 1
74HCT2G17GW-Q100H NXP Semiconductors 74HCT2G17GW-Q100H 0,0900
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автор, AEC-Q100, 74HCT МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 74HCT2G17 ШMITTTTTTTTTT Толкат 4,5 n 5,5. 6-tssop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74HCT2G17GW-Q100H-954 Ear99 8542.39.0001 1 Бер, neryrtiruющiй 2 1 4ma, 4ma
74LVC2G06GV,125 NXP Semiconductors 74LVC2G06GV, 125 0,0900
RFQ
 ECAD 170 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74LVC2G06 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74LVC2G06GV, 125-954 Ear99 8542.39.0001 1
74AHC541D,112 NXP Semiconductors 74AHC541D, 112 0,2200
RFQ
 ECAD 37 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74AHC МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 20 SOIC (0,295 дюйма, Ирина 7,50 мм) 74AHC541 - 3-шТат 2В ~ 5,5 В. 20 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74AHC541D, 112-954 1 Бер, neryrtiruющiй 1 8 8 май, 8 мая
74HC123PW,118 NXP Semiconductors 74HC123PW, 118 -
RFQ
 ECAD 9669 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74HC123 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74HC123PW, 118-954 1
74LVC574AD,112 NXP Semiconductors 74LVC574AD, 112 0,2200
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74LVC МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 20 SOIC (0,295 дюйма, Ирина 7,50 мм) D-Thep 74LVC574 Три-Госхарство, neryrtyrovano 1,65, ~ 3,6 В. 20 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74LVC574AD, 112-954 1 1 8 24ma, 24ma Станода 200 мг Poloshitelgnый kraй 7ns @ 3,3 -v, 50pf 10 мк 5 пф
74LVC16245ADL,112 NXP Semiconductors 74LVC16245ADL, 112 1.0000
RFQ
 ECAD 7585 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74LVC МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-BSSOP (0,295 ", шIRINA 7,50 мм) 74LVC16245 - 3-шТат 1,2 n 3,6 В. 48-ssop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74LVC16245ADL, 112-954 1 Смотрей, nertirtiruyющiй 2 8 24ma, 24ma
74HC112PW,118 NXP Semiconductors 74HC112PW, 118 0,1800
RFQ
 ECAD 5702 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74HC МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 16-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) ТИП JK 74HC112 Додер 2 В ~ 6 В. 16-tssop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74HC112PW, 118-954 1 2 1 5,2 мая, 5,2 мая Набор (предустановка) и сброс 71 мг Negativnoe opreimaheestvo 30ns @ 6V, 50pf 4 мка 3,5 пф
74AUP1G97GS,132 NXP Semiconductors 74AUP1G97GS, 132 -
RFQ
 ECAD 8796 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74aup МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6-xfdfn 74AUP1G97 Эйноли 1 0,8 В ~ 3,6 В. 6-xson, SOT1202 (1x1) СКАХАТА 0000.00.0000 1 Надесаева 4ma, 4ma 3 В дар
74AUP1Z04GM,115 NXP Semiconductors 74AUP1Z04GM, 115 0,1500
RFQ
 ECAD 4085 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен 74AUP1Z04 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74AUP1Z04GM, 115-954 1
74LVC1G17GM,115 NXP Semiconductors 74LVC1G17GM, 115 -
RFQ
 ECAD 7129 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74LVC МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 6-xfdfn 74LVC1G17 ШMITTTTTTTTTT Толкат 1,65 n 5,5 6-xson, sot886 (145x1) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74LVC1G17GM, 115-954 1 Бер, neryrtiruющiй 1 1 32MA, 32MA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть