SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Количество входов/выходов Основной процессор процессора Размер ядра Скорость Возможности подключения Периферийные устройства Размер памяти программы Тип памяти программы Размер EEPROM Размер оперативной памяти Напряжение-питание (Vcc/Vdd) Конвертеры данных Тип генератора
TMPM061FWFG(C,OHZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM061FWFG(C,OHZ) -
запросить цену
ECAD 4666 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХ00 Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP ТМПМ061 100-ЛКФП (14х14) скачать Соответствует RoHS ТМПМ061ФВФГ(КОХЗ) EAR99 8542.31.0001 900 64 ARM® Cortex®-M0 32-битный одноядерный 16 МГц I²C, SIO, UART/USART ЖК-дисплей, низковольтное напряжение, WDT 128 КБ (128 КБ х 8) ВСПЫШКА - 8К х 8 1,8 В ~ 3,6 В АЦП 2х10б Внутренний
TMPM4G9F10FG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage ТМРМ4G9F10FG(ДББ) -
запросить цену
ECAD 4453 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХ04 Поднос Устаревший -40°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP ТМРМ4G9 100-ЛКФП (14х14) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) 3А991А2 8542.31.0001 60 150 ARM® Cortex®-M4F 32-битный одноядерный 160 МГц CEC, EBI/EMI, I²C, IrDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 1 МБ (1 М х 8) ВСПЫШКА 32К х 8 192К х 8 2,7 В ~ 3,6 В А/Ц 24х12б; Д/А 2х8б Внутренний
TMPM066FWUG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM066FWUG 2,7720
запросить цену
ECAD 3758 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХ00 Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-LQFP ТМПМ066 64-ЛКФП (10х10) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) ТМПМ066ФВУГ(ДЖЗ) 3А991А2 8542.31.0001 160 48 ARM® Cortex®-M0 32-битный одноядерный 24 МГц I²C, SIO, SPI, UART/USART, USB DMA, LVD, POR, WDT 128 КБ (128 КБ х 8) ВСПЫШКА - 16К х 8 1,8 В ~ 3,6 В А/Д 8х10б Внешний
TMPM4G9FEFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G9FEFG(ДББ) 12,7000
запросить цену
ECAD 9982 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХ04 Поднос Активный -40°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP ТМРМ4G9 100-ЛКФП (14х14) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) 3А991А2 8542.31.0001 60 150 ARM® Cortex®-M4F 32-битный одноядерный 160 МГц CEC, EBI/EMI, I²C, IrDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 768 КБ (768 КБ х 8) ВСПЫШКА 32К х 8 128 КБ х 8 2,7 В ~ 3,6 В А/Ц 24х12б; Д/А 2х8б Внутренний
TMPM333FWFG(C,J) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM333FWFG(C,J) 4.7190
запросить цену
ECAD 3866 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХ03 Поднос Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP ТМРМ333 100-ЛКФП (14х14) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) TMPM333FWFG(CJ) 3А991А2 8542.31.0001 200 78 ARM® Cortex®-M3 32-битный одноядерный 40 МГц I²C, SIO, UART/USART ПОР, ВДТ 128 КБ (128 КБ х 8) ВСПЫШКА - 8К х 8 2,7 В ~ 3,6 В А/Д 12х10б Внешний
TMPM375FSDMG(J) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM375FSDMG(J) -
запросить цену
ECAD 3818 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХ03 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С Поверхностный монтаж 30-LSSOP (ширина 0,220 дюйма, 5,60 мм) 30-ССОП скачать Соответствует ROHS3 264-ТМПМ375ФСДМГ(Ж)ТР 840 21 ARM® Cortex®-M3 32-битный 40 МГц I²C, SIO, UART/USART НВД, ПОР, ШИМ, ВДТ 64 КБ (64 КБ х 8) ВСПЫШКА - 4К х 8 4,5 В ~ 5,5 В А/Д 4х12б САР Внутренний двор
TMPM4G8FDFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G8FDFG(ДББ) 11.7800
запросить цену
ECAD 1123 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХ04 Поднос Активный -40°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP ТМПМ4G8 100-ЛКФП (14х14) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) 3А991А2 8542.31.0001 60 122 ARM® Cortex®-M4F 32-битный одноядерный 160 МГц CEC, EBI/EMI, I²C, IrDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 512 КБ (512 КБ х 8) ВСПЫШКА 32К х 8 128 КБ х 8 2,7 В ~ 3,6 В А/Ц 24х12б; Д/А 2х8б Внутренний
TMPM332FWUG(C) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM332FWUG(С) 2,6477
запросить цену
ECAD 6546 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХ03 Поднос Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-LQFP ТМРМ332 64-ЛКФП (10х10) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) 3А991А2 8542.31.0001 450 44 ARM® Cortex®-M3 32-битный одноядерный 40 МГц I²C, SIO, UART/USART ПОР, ВДТ 128 КБ (128 КБ х 8) ВСПЫШКА - 8К х 8 2,7 В ~ 3,6 В А/Д 8х10б Внешний
TMPM370FYDFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM370FYDFG 7.8320
запросить цену
ECAD 6368 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХ03 Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-БКФП ТМММ370 100-КФП (14х20) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) 3А991А2 8542.31.0001 1 74 ARM® Cortex®-M3 32-битный одноядерный 80 МГц I²C, SIO, UART/USART ДМА, ШИМ, ВДТ 256 КБ (256 КБ х 8) ВСПЫШКА - 10К х 8 4,5 В ~ 5,5 В А/Д 22х12б САР Внутренний
TMPM067FWQG(EL,Z) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM067FWQG(EL,Z) 4.2400
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХ00 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-VFQFN Открытая колодка ТМРМ067 48-КФН (7х7) скачать Соответствует RoHS EAR99 8542.31.0001 2000 г. 32 ARM® Cortex®-M0 32-битный одноядерный 24 МГц I²C, SIO, SPI, UART/USART, USB DMA, LVD, POR, WDT 128 КБ (128 КБ х 8) ВСПЫШКА - 16К х 8 1,8 В ~ 3,6 В А/Д 8х10б Внешний
TMPM362F10FG(C) Toshiba Semiconductor and Storage ТМПМ362Ф10ФГ(С) 8.6152
запросить цену
ECAD 2024 год 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХ03 Поднос Не для новых дизайнов -20°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 144-ФКФП ТМРМ362 144-ЛКФП (20х20) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) 3А991А2 8542.31.0001 200 104 ARM® Cortex®-M3 32-битный одноядерный 64 МГц EBI/EMI, I²C, микропровод, SIO, SPI, SSP, UART/USART ДМА, ВДТ 1 МБ (1 М х 8) ВСПЫШКА - 64К х 8 2,7 В ~ 3,6 В А/Д 16х10б Внешний
TMP91FW27UG Toshiba Semiconductor and Storage TMP91FW27UG -
запросить цену
ECAD 8461 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТЛКС-900/Л1 Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-LQFP ТМП91 64-ЛКФП (10х10) - 3 (168 часов) ТМП91ФВ27УГ(ДЖЗ) 3А991А2 8542.31.0001 10 53 900/Л1 16-битный 27 МГц EBI/EMI, I²C, IrDA, UART/USART ДМА, ВДТ 128 КБ (128 КБ х 8) ВСПЫШКА - 12К х 8 2,2 В ~ 3,6 В АЦП 4х10б Внутренний
TMPM383FWUG(JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM383FWUG(JZ) 4.9600
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХ03 Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-LQFP ТМРМ383 64-ЛКФП (10х10) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) 3А991А2 8542.31.0001 160 47 ARM® Cortex®-M3 32-битный одноядерный 40 МГц I²C, микропровод, SIO, SPI, SSI, SSP, UART/USART ПОР, ВДТ 128 КБ (128 КБ х 8) ВСПЫШКА - 10К х 8 3,9 В ~ 5,5 В А/Д 10х12б Внешний
TMP86PH06UG(C,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86PH06UG(C,JZ) -
запросить цену
ECAD 9854 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TLCS-870/C Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-LQFP ТМП86 44-ЛКФП (10х10) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) EAR99 8542.31.0001 450 8 - 8-битный 16 МГц ЭБИ/ЭМИ - 16 КБ (16 КБ х 8) ОТП - 512 х 8 1,8 В ~ 5,5 В - Внешний
TMPM037FWUG(KY,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM037FWUG(Кентукки,JZ) 3,7900
запросить цену
ECAD 5507 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХ00 Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-LQFP ТМРМ037 64-ЛКФП (10х10) скачать Соответствует RoHS TMPM037FWUG(КИДЖЗ) EAR99 8542.31.0001 150 51 ARM® Cortex®-M0 32-битный одноядерный 20 МГц I²C, SIO, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 128 КБ (128 КБ х 8) ВСПЫШКА - 16К х 8 2,7 В ~ 3,6 В А/Д 8х10б Внешний
TMPM4G9F15FG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage ТМРМ4G9F15FG(ДББ) -
запросить цену
ECAD 4560 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХ04 Поднос Устаревший -40°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP ТМРМ4G9 100-ЛКФП (14х14) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) 3А991А2 8542.31.0001 60 150 ARM® Cortex®-M4F 32-битный одноядерный 160 МГц CEC, EBI/EMI, I²C, IrDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 1,5 МБ (1,5 М х 8) ВСПЫШКА 32К х 8 192К х 8 2,7 В ~ 3,6 В А/Ц 24х12б; Д/А 2х8б Внутренний
TMPM333FYFG(C) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM333FYFG(С) 4,0755
запросить цену
ECAD 4483 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХ03 Поднос Активный -20°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP ТМРМ333 100-ЛКФП (14х14) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) 3А991А2 8542.31.0001 200 78 ARM® Cortex®-M3 32-битный одноядерный 40 МГц I²C, SIO, UART/USART ПОР, ВДТ 256 КБ (256 КБ х 8) ВСПЫШКА - 16К х 8 2,7 В ~ 3,6 В А/Д 12х10б Внешний
TMPM4G6F10FG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage ТМРМ4G6F10FG(ДББ) 11.7800
запросить цену
ECAD 8616 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХ04 Поднос Активный -40°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP ТМПМ4G6 100-ЛКФП (14х14) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) 3А991А2 8542.31.0001 90 86 ARM® Cortex®-M4F 32-битный одноядерный 160 МГц CEC, EBI/EMI, I²C, IrDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 1 МБ (1 М х 8) ВСПЫШКА 32К х 8 192К х 8 2,7 В ~ 3,6 В А/Д 16х12б; Д/А 2х8б Внутренний
TMPM3HQF10BFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HQF10BFG 14.3800
запросить цену
ECAD 60 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХЗ+ Поднос Активный -40°С ~ 105°С Поверхностный монтаж 144-LQFP 144-ЛКФП (20х20) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 264-TMPM3HQF10BFG 60 134 ARM® Cortex®-M3 32-битный 120 МГц I²C, SPI, UART/USART DMA, LVD, ШИМ управления двигателем, POR, WDT 1 МБ (1 М х 8) ВСПЫШКА 32К х 8 128 КБ х 8 2,7 В ~ 5,5 В А/Ц 21х12б САР; Д/А 2х8б Внутренний двор
TMP86FS49BFG(ZHZ) Toshiba Semiconductor and Storage ТМП86ФС49БФГ(ЖЗ) -
запросить цену
ECAD 6089 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TLCS-870/C Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-БКФП ТМП86 64-КФП (14х14) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) EAR99 8542.31.0001 10 56 870/С 8-битный 16 МГц I²C, SIO, UART/USART Светодиод, ШИМ, WDT 60 КБ (60 КБ х 8) ВСПЫШКА - 2К х 8 2,7 В ~ 5,5 В А/Д 16х10б Внутренний
TMPM37AFSQG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TMPM37AFSQG,EL -
запросить цену
ECAD 7102 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХ03 Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 32-VFQFN Открытая колодка 32-ВКФН (5х5) скачать Соответствует ROHS3 264-TMPM37AFSQGELTR 2000 г. 13 ARM® Cortex®-M3 32-битный 40 МГц I²C, SIO, UART/USART POR, ШИМ, обнаружение напряжения, WDT 64 КБ (64 КБ х 8) ВСПЫШКА - 4К х 8 4,5 В ~ 5,5 В А/Д 5х12б САР Внутренний двор
TMPM4NRF15FG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4NRF15FG -
запросить цену
ECAD 3495 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХЗ+ Поднос Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 176-LQFP 176-ЛКФП (20х20) скачать 264-ТМПМ4НРФ15ФГ 1 146 ARM® Cortex®-M4F 32-битный 200 МГц CANbus, EBI/EMI, Ethernet, FIFO, I²C, IrDA, SIO, SPI, UART/USART, USB DMA, I²S, LVD, POR, ШИМ, WDT 1,5 МБ (1,5 М х 8) ВСПЫШКА 32К х 8 256К х 8 2,7 В ~ 3,6 В А/Ц 24х12б САР; Д/А 2х8б Внутренний двор
TMPM3HMFDAFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HMFDAFG 9.9300
запросить цену
ECAD 3683 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХЗ+ Поднос Активный -40°С ~ 105°С Поверхностный монтаж 80-LQFP 80-ЛКФП (12х12) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 264-ТМПМ3ХМФДАФГ 119 73 ARM® Cortex®-M3 32-битный 120 МГц I²C, SPI, UART/USART DMA, LVD, ШИМ управления двигателем, POR, WDT 512 КБ (512 КБ х 8) ВСПЫШКА 32К х 8 64К х 8 2,7 В ~ 5,5 В АЦП 12х12б САР; Д/А 2х8б Внутренний двор
TMP86FHDMG(KYZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86FHDMG(КИЗ) -
запросить цену
ECAD 4784 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных TLCS-870/C Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 30-LSSOP (ширина 0,220 дюйма, 5,60 мм) ТМП86 30-ССОП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.31.0001 10 24 870/С 8-битный 16 МГц I²C, SEI, UART/USART ШИМ, ВДТ 16 КБ (16 КБ х 8) ВСПЫШКА - 512 х 8 2,7 В ~ 5,5 В А/Д 6х10б Внутренний
TMPM366FYXBG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM366FYXBG 5.2553
запросить цену
ECAD 5683 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХ03 Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 109-ТФБГА ТМРМ366 109-ТФБГА (9х9) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) 3А991А2 8542.31.0001 200 73 ARM® Cortex®-M3 32-битный одноядерный 48 МГц I²C, SIO, SPI, UART/USART DMA, LVD, WDT 256 КБ (256 КБ х 8) ВСПЫШКА - 48К х 8 2,7 В ~ 3,6 В А/Д 12х12б Внутренний
TMPM4NRF10FG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4NRF10FG -
запросить цену
ECAD 5881 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХЗ+ Поднос Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 176-LQFP 176-ЛКФП (20х20) скачать 264-ТМПМ4НРФ10ФГ 1 146 ARM® Cortex®-M4F 32-битный 200 МГц CANbus, EBI/EMI, Ethernet, FIFO, I²C, IrDA, SIO, SPI, UART/USART, USB DMA, I²S, LVD, POR, ШИМ, WDT 1 МБ (1 М х 8) ВСПЫШКА 32К х 8 256К х 8 2,7 В ~ 3,6 В А/Ц 24х12б САР; Д/А 2х8б Внутренний двор
TMPM4G9FDFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G9FDFG(ДББ) 11.5500
запросить цену
ECAD 6171 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХ04 Поднос Активный -40°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP ТМРМ4G9 100-ЛКФП (14х14) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) 3А991А2 8542.31.0001 60 150 ARM® Cortex®-M4F 32-битный одноядерный 160 МГц CEC, EBI/EMI, I²C, IrDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 512 КБ (512 КБ х 8) ВСПЫШКА 32К х 8 128 КБ х 8 2,7 В ~ 3,6 В А/Ц 24х12б; Д/А 2х8б Внутренний
TMPM36BFYFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM36BFYFG(ДББ) 9.1600
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХ03 Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP ТМРМ36 100-ЛКФП (14х14) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) 3А991А2 8542.31.0001 90 72 ARM® Cortex®-M3 32-битный одноядерный 80 МГц EBI/EMI, I²C, IrDA, микропровод, SIO, SPI, SSI, SSP, UART/USART DMA, LVD, POR, WDT 256 КБ (256 КБ х 8) ВСПЫШКА - 66К х 8 2,7 В ~ 3,6 В А/Д 16х12б Внешний
TMPM3HNFDAFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HNFDAFG 10.1200
запросить цену
ECAD 2238 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХЗ+ Поднос Активный -40°С ~ 105°С Поверхностный монтаж 100-LQFP 100-ЛКФП (14х14) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 264-ТМПМ3ХНФДАФГ 90 93 ARM® Cortex®-M3 32-битный 120 МГц I²C, SPI, UART/USART DMA, LVD, ШИМ управления двигателем, POR, WDT 512 КБ (512 КБ х 8) ВСПЫШКА 32К х 8 64К х 8 2,7 В ~ 5,5 В А/Ц 17х12б САР; Д/А 2х8б Внутренний двор
TMPM365FYXBG(HJ) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM365FYXBG(ГД) 6.5400
запросить цену
ECAD 660 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ТХ03 Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 105-ЛФБГА ТМРМ365 105-ЛФБГА (9х9) скачать Соответствует RoHS 3 (168 часов) 3А991А2 8542.31.0001 168 73 ARM® Cortex®-M3 32-битный одноядерный 48 МГц I²C, SIO, SPI, UART/USART, USB ДМА, ВДТ 256 КБ (256 КБ х 8) ВСПЫШКА - 24К х 8 2,7 В ~ 3,6 В А/Д 12х12б Внешний
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе