- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталанский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- Урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- Коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Дискретные полупроводниковые изделия(31214)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Толерантность | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Напряжение — вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – обратная утечка @ Vr | Ток – средний выпрямленный (Io) | Тип диода | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | Импеданс (Макс) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZT52C3V3-HE3_A-18 | 0,0533 |  | 2811 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZT52 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СОД-123 | 300 мВт | СОД-123 | скачать | 112-БЗТ52С3В3-НЕ3_А-18ТР | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 5 мкА при 1 В | 3,3 В | 95 Ом | ||||||||||
 | GBU6JL-7002M3/45 | - | | 8373 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБУ | ГБУ6 | Стандартный | ГБУ | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 В @ 6 А | 5 мкА при 600 В | 3,8 А | Однофазный | 600 В | |||||||
 | 3Н258-Е4/72 | - | | 7294 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Коробка | Устаревший | -55°С ~ 165°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, КБПМ | 3Н258 | Стандартный | КБПМ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 В @ 3,14 А | 5 мкА при 800 В | 2 А | Однофазный | 800 В | ||||||
| MMBZ5236B-G3-18 | - | | 4620 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | ±5% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ММБЗ5236 | 225 мВт | СОТ-23-3 | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 3 мкА при 6 В | 7,5 В | 6 Ом | |||||||
| MMBZ5229C-G3-18 | - | | 1058 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | ±2% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ММБЗ5229 | 225 мВт | СОТ-23-3 | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 5 мкА при 1 В | 4,3 В | 22 Ом | |||||||
 | DFL1504S-E3/45 | 0,3298 | | 7139 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 4-СМД, Крыло Чайки | ДФЛ1504 | Стандартный | ДФС | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 5000 | 1,1 В при 1,5 А | 5 мкА при 400 В | 1,5 А | Однофазный | 400 В | ||||||
 | ВС-КБПК801ПБФ | 3.1900 | | 1 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | ВС-KBPC8 | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-Квадрат, Д-72 | КБПК801 | Стандартный | Д-72 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 В при 3 А | 10 мкА при 100 В | 8 А | Однофазный | 100 В | ||||||
| GBL06L-6870E3/51 | - | | 5070 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБЛ | ГБЛ06 | Стандартный | ГБЛ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 В @ 4 А | 5 мкА при 600 В | 3 А | Однофазный | 600 В | |||||||
| G3SBA60L-5702E3/45 | - | | 9482 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБУ | G3SBA60 | Стандартный | ГБУ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 В @ 2 А | 5 мкА при 600 В | 2,3 А | Однофазный | 600 В | |||||||
 | BZT52C9V1-E3-18 | 0,0360 | | 9609 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | БЗТ52 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | СОД-123 | БЗТ52С9В1 | 410 мВт | СОД-123 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 100 нА при 7 В | 9,1 В | 4,8 Ом | |||||||
 | ВС-36МБ20А | 8.4600 | | 2451 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Терминал контроля качества | 4-Квадрат, Д-34 | 36МБ20 | Стандартный | Д-34 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 10 мкА при 200 В | 35 А | Однофазный | 200 В | |||||||
 | SMZJ3798BHE3_А/Ч | 0,1597 | | 6237 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ДО-214АА, СМБ | СМЗЖ3798 | 1,5 Вт | ДО-214АА (СМБЖ) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 мкА при 18,2 В | 24 В | 19 Ом | |||||||
 | G5SBA20L-E3/45 | - | | 6008 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБУ | G5SBA20 | Стандартный | ГБУ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1,05 В при 3 А | 5 мкА при 200 В | 2,8 А | Однофазный | 200 В | ||||||
 | BZX884B27L-G3-08 | 0,3200 | | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | BZX884L | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 0402 (1006 Метрическая единица) | BZX884 | 300 мВт | ДФН1006-2А | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 900 мВ при 10 мА | 50 нА при 18,9 В | 27 В | 80 Ом | |||||||
 | BZX384B5V6-HE3-18 | 0,2800 | | 180 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, BZX384 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | СК-76, СОД-323 | BZX384B5V6 | 200 мВт | СОД-323 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 1 мкА при 2 В | 5,6 В | 40 Ом | |||||||
| Г3СБА20-М3/45 | 0,8207 | | 4572 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБУ | G3SBA20 | Стандартный | ГБУ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 В @ 2 А | 5 мкА при 200 В | 2,3 А | Однофазный | 200 В | ||||||
| GBU8JL-5700E3/51 | - | | 2144 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБУ | ГБУ8 | Стандартный | ГБУ | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 В @ 8 А | 5 мкА при 600 В | 3,9 А | Однофазный | 600 В | |||||||
 | БУ1008-Е3/51 | 1,1466 | | 6575 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, БУ | БУ1008 | Стандартный | isoCINK+™ БУ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1,05 В @ 5 А | 5 мкА при 800 В | 3,2 А | Однофазный | 800 В | ||||||
 | ГБПК110-Е4/51 | - | | 9061 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-Квадратный, ГБПК-1 | GBPC110 | Стандартный | ГБПК1 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 В @ 1,5 А | 5 мкА при 1000 В | 2 А | Однофазный | 1 кВ | ||||||
| GBU8J-E3/51 | 2.0600 | | 58 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Поднос | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБУ | ГБУ8 | Стандартный | ГБУ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 В @ 8 А | 5 мкА при 600 В | 3,9 А | Однофазный | 600 В | ||||||
 | БУ25105С-Е3/45 | - | | 5776 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, БУ-5С | БУ25105 | Стандартный | isoCINK+™ BU-5S | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 1,05 В @ 12,5 А | 5 мкА при 1000 В | 3,5 А | Однофазный | 1 кВ | ||||||
 | ВС-100МТ160ПАПБФ | 40.3100 | | 73 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Активный | -40°С ~ 150°С (ТДж) | Крепление на шасси | 7-МТПБ | 100МТ160 | Стандартный | 7-МТПБ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,51 В при 100 А | 100 А | Трехфазный | 1,6 кВ | |||||||
 | MMSZ5266B-HE3_A-08 | 0,0549 | | 2491 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Активный | ±5% | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | СОД-123 | 500 мВт | СОД-123 | скачать | 112-MMSZ5266B-HE3_A-08TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 900 мВ при 10 мА | 100 нА при 52 В | 68 В | 230 Ом | |||||||||
| MMSZ5259C-HE3-18 | 0,0454 | | 6502 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Последняя покупка | ±2% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | СОД-123 | ММСЗ5259 | 500 мВт | СОД-123 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 100 нА при 30 В | 39 В | 80 Ом | |||||||
 | B125C800G-E4/51 | 0,3424 | | 7764 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Активный | -40°С ~ 125°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-круговая, WOG | Б125 | Стандартный | ВОГ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 3000 | 1 В при 900 мА | 10 мкА при 200 В | 900 мА | Однофазный | 200 В | ||||||
| ВС-52МТ140КПБФ | 105.4033 | | 9376 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 150°С (ТДж) | Крепление на шасси | Модуль МТ-К | 52МТ140 | Стандартный | МТ-К | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | ВС52МТ140КПБФ | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 55 А | Трехфазный | 1,4 кВ | |||||||
| БУ2506-Е3/45 | 2,9900 | | 780 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Масса | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, БУ | БУ2506 | Стандартный | isoCINK+™ БУ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1,05 В @ 12,5 А | 5 мкА при 600 В | 3,5 А | Однофазный | 600 В | ||||||
| ГБЛА06-М3/51 | 0,8176 | | 5051 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | - | Поднос | Активный | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Сквозное отверстие | 4-СИП, ГБЛ | GBLA06 | Стандартный | ГБЛ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 В @ 4 А | 5 мкА при 600 В | 4 А | Однофазный | 600 В | ||||||
| MMBZ4622-HE3-08 | - | | 2399 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | Устаревший | ±5% | -55°С ~ 150°С | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ММБЗ4622 | 350 мВт | СОТ-23-3 | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 15 000 | 5 мкА при 2 В | 3,9 В | 1650 Ом | |||||||
| BZX884B20L-G3-08 | 0,3200 | | 9 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов | BZX884L | Лента и катушка (TR) | Активный | ±2% | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 0402 (1006 Метрическая единица) | 300 мВт | ДФН1006-2А | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0050 | 10 000 | 900 мВ при 10 мА | 50 нА при 14 В | 20 В | 55 Ом |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)