SIC
close

Дискретные полупроводниковые изделия(2909)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Скорость Тип полярного транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ток-отсечка коллектора (макс.) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
TK5R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage ТК5Р3Е08QM,S1X 1,5800
запросить цену
 ECAD 98 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных U-MOSX-H Трубка Активный 175°С Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 80 В 120А (Тс) 6В, 10В 5,3 мОм при 50 А, 10 В 3,5 В при 700 мкА 55 НК при 10 В ±20 В 3980 пФ при 40 В - 150 Вт (Тс)
TK15A50D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage ТК15А50Д(СТА4,К,М) 3.2300
запросить цену
 ECAD 29 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных π-МОСVII Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТК15А50 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 500 В 15А (Та) 10 В 300 мОм при 7,5 А, 10 В 4 В @ 1 мА 40 НК при 10 В ±30 В 2300 пФ при 25 В - 50 Вт (Тс)
TK31V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage ТК31В60Х,ЛК 5.3300
запросить цену
 ECAD 7 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСИВ-Г Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 4-ВСФН Открытая площадка ТК31В60 МОП-транзистор (оксид металла) 4-ДФН-ЭП (8х8) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 600 В 30,8А (Та) 10 В 98 мОм при 9,4 А, 10 В 3,5 В @ 1,5 мА 65 НК при 10 В ±30 В 3000 пФ при 300 В - 240 Вт (Тс)
RN4989FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4989FE,LXHF(CT 0,3800
запросить цену
 ECAD 8 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 РН4989 100мВт ES6 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 50В 100 мА 500нА 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 70 при 10 мА, 5 В 250 МГц, 200 МГц 47 кОм 22 кОм
2SC2655-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2655-Y,T6KEHF(М -
запросить цену
 ECAD 1327 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов 2SC2655 900 мВт ТО-92МОД скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 1 50 В 2 А 1 мкА (ИКБО) НПН 500 мВ при 50 мА, 1 А 70 при 500 мА, 2 В 100 МГц
2SC4793,HFEF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793,HFEF(J -
запросить цену
 ECAD 2472 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет 2SC4793 2 Вт ТО-220НИС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0075 1 230 В 1 А 1 мкА (ИКБО) НПН 1,5 В при 50 мА, 500 мА 100 на 100 мА, 5 В 100 МГц
CUS05S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage КУС05С40, Х3Ф 0,3200
запросить цену
 ECAD 105 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-76, СОД-323 CUS05S40 Шоттки ОСК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0070 3000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 40 В 350 мВ при 100 мА 30 мкА при 10 В 125°С (макс.) 500 мА 42пФ при 0 В, 1 МГц
RN4991FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE,LXHF(CT 0,3800
запросить цену
 ECAD 8 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 RN4991 100мВт ES6 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 4000 50В 100 мА 100нА (ИКБО) 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 120 при 1 мА, 5 В 250 МГц, 200 МГц 10 кОм -
SSM3J66MFV,L3XHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J66MFV,L3XHF 0,3900
запросить цену
 ECAD 14 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСВИ Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж СОТ-723 МОП-транзистор (оксид металла) ВЕСМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 8000 P-канал 20 В 800 мА (Та) 1,2 В, 4,5 В 390 мОм при 800 мА, 4,5 В 1 В @ 1 мА 1,6 нк при 4,5 В +6В, -8В 100 пФ при 10 В - 150 мВт (Та)
RN1415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage РН1415(ТЕ85Л,Ф) 0,3400
запросить цену
 ECAD 29 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 РН1415 200 мВт S-Мини скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 100 мА 500нА NPN — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 50 при 10 мА, 5 В 250 МГц 2,2 кОм 10 кОм
TK7A90E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage ТК7А90Е,С4С 1,6900
запросить цену
 ECAD 100 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных π-МОСVIII Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет ТК7А90 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220СИС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 900 В 7А (Та) 10 В 2 Ом при 3,5 А, 10 В 4 В @ 700 мкА 32 НК при 10 В ±30 В 1350 пФ при 25 В - 45 Вт (Тс)
2SC3665-Y,T2YNSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-Y,T2YNSF(J -
запросить цену
 ECAD 2332 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие СК-71 2SC3665 1 Вт МСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0075 1 120 В 800 мА 100нА (ИКБО) НПН 1 В @ 50 мА, 500 мА 80 при 100 мА, 5 В 120 МГц
2SA1020-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y,T6F(Дж -
запросить цену
 ECAD 9446 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 удлиненный кузов 2SA1020 900 мВт ТО-92МОД скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 1 50 В 2 А 1 мкА (ИКБО) ПНП 500 мВ при 50 мА, 1 А 70 при 500 мА, 2 В 100 МГц
CRS01(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRS01(TE85L) -
запросить цену
 ECAD 2998 г. 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Разрезанная лента (CT) Устаревший Поверхностный монтаж СОД-123Ф CRS01 Шоттки С-ПЛОСКАЯ (1,6х3,5) скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 3000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 30 В 360 мВ при 1 А 1,5 мА при 30 В -40°С ~ 125°С 1А -
RN2607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage РН2607(ТЕ85Л,Ф) 0,4800
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-74, СОТ-457 РН2607 300мВт СМ6 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50В 100 мА 100нА (ИКБО) 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 200 МГц 10 кОм 47 кОм
RN1401,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage РН1401,ЛХХФ 0,3400
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 РН1401 200 мВт S-Мини скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50 В 100 мА 500нА NPN — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 30 при 10 мА, 5 В 250 МГц 4,7 кОм 4,7 кОм
2SC5930(T2MITUM,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5930(Т2МИТУМ,ФМ -
запросить цену
 ECAD 5521 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие СК-71 2SC5930 1 Вт МСТМ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 1 600 В 1 А 100 мкА (ИКБО) НПН 1 В при 75 мА, 600 мА 40 при 200 мА, 5 В -
TK16E60W5,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage ТК16Е60В5,С1ВС 3.1200
запросить цену
 ECAD 9278 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСИВ Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 ТК16Е60 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 600 В 15,8 А (Та) 10 В 230 мОм при 7,9 А, 10 В 4,5 В @ 790 мкА 43 НК при 10 В ±30 В 1350 пФ при 300 В - 130 Вт (Тс)
SSM3H137TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage ССМ3Х137ТУ,ЛФ 0,4500
запросить цену
 ECAD 30 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСИВ Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж 3-SMD, плоские выводы SSM3H137 МОП-транзистор (оксид металла) УФМ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 N-канал 34 В 2А (Та) 4В, 10В 240 мОм при 1 А, 10 В 1,7 В @ 1 мА 3 нк @ 10 В ±20 В 119 пФ при 10 В - 800 мВт (Та)
CLH06(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLH06(TE16L,К) -
запросить цену
 ECAD 9941 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Масса Устаревший Поверхностный монтаж L-FLAT™ CLH06 Стандартный L-FLAT™ (4x5,5) скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 300 В 35 нс - 5А -
2SC4738-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4738-И,ЛФ 0,2000
запросить цену
 ECAD 8 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-75, СОТ-416 2SC4738 100 мВт ССМ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 50 В 150 мА 100нА (ИКБО) НПН 250 мВ при 10 мА, 100 мА 120 при 2 мА, 6 В 80 МГц
RN1101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage РН1101ACT(ТПЛ3) -
запросить цену
 ECAD 6910 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший Поверхностный монтаж СК-101, СОТ-883 РН1101 100 мВт КСТ3 скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 10 000 50 В 80 мА 500нА NPN — предварительный смещенный 150 мВ при 500 мкА, 5 мА 30 при 10 мА, 5 В 4,7 кОм 4,7 кОм
SSM6J501NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J501NU,ЛФ 0,4900
запросить цену
 ECAD 123 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСВИ Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-WDFN Открытая площадка SSM6J501 МОП-транзистор (оксид металла) 6-УДФНБ (2х2) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 3000 P-канал 20 В 10А (Та) 1,5 В, 4,5 В 15,3 мОм при 4 А, 4,5 В 1 В @ 1 мА 29,9 нк при 4,5 В ±8 В 2600 пФ при 10 В - 1 Вт (Та)
TK16G60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage ТК16Г60В5,РВК 3.2100
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных ДТМОСИВ Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ МОП-транзистор (оксид металла) Д2ПАК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 1000 N-канал 600 В 15,8 А (Та) 10 В 230 мОм при 7,9 А, 10 В 4,5 В @ 790 мкА 43 НК при 10 В ±30 В 1350 пФ при 300 В - 130 Вт (Тс)
TPC8228-H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage ТПК8228-Х,ЛК -
запросить цену
 ECAD 6012 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-МОСВИ-Х Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) ТПК8228 МОП-транзистор (оксид металла) 1,5 Вт (Та) 8-СОП скачать 264-TPC8228-HLQTR EAR99 8541.29.0095 2500 2 N-канала (двойной) 60В 3,8А 57 мОм при 1,9 А, 10 В 2,3 В @ 100 мкА 11 НК при 10 В 640пФ при 10 В -
SSM3K127TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage ССМ3К127ТУ,ЛФ 0,3700
запросить цену
 ECAD 34 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный 150°С Поверхностный монтаж 3-SMD, плоские выводы ССМ3К127 МОП-транзистор (оксид металла) УФМ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0095 3000 N-канал 30 В 2А (Та) 1,8 В, 4 В 123 мОм при 1 А, 4 В 1 В @ 1 мА 1,5 НК при 4 В ±12 В 123 пФ при 15 В - 500 мВт (Та)
TBAT54,LM Toshiba Semiconductor and Storage ТБАТ54,ЛМ 0,2100
запросить цену
 ECAD 545 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 ТБАТ54 Шоттки СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0070 3000 Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость 30 В 580 мВ при 100 мА 1,5 нс 2 мкА при 25 В 150°С (макс.) 140 мА -
CRS04(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS04(TE85L,К,М) 0,4600
запросить цену
 ECAD 112 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СОД-123Ф CRS04 Шоттки С-ПЛОСКАЯ (1,6х3,5) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 3000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 40 В 510 мВ при 1 А 100 мкА при 40 В -40°С ~ 150°С 1А 47пФ при 10 В, 1 МГц
TPN11006PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage ТПН11006ПЛ,ЛК 0,6400
запросить цену
 ECAD 18 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных У-MOSIX-H Лента и катушка (TR) Активный 175°С Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN ТПН11006 МОП-транзистор (оксид металла) 8-ТСОН Адванс (3,1х3,1) скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 60 В 26А (Тс) 4,5 В, 10 В 11,4 мОм при 13 А, 10 В 2,5 В при 200 мкА 17 НК при 10 В ±20 В 1625 пФ при 30 В - 610 мВт (Та), 61 Вт (Тс)
CMH02A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH02A(TE12L,К,М) -
запросить цену
 ECAD 2840 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Устаревший Поверхностный монтаж СОД-128 CMH02A Стандартный М-ПЛОСКАЯ (2,4x3,8) скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) CMH02A(TE12LQM) EAR99 8541.10.0080 3000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 400 В 1,8 В @ 3 А 100 нс 10 мкА при 400 В -40°С ~ 150°С 3А -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.