запрос цен
спецификация
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-comComponents.com

Дискретные полупроводниковые изделия(2909)

Номер продукта	Цена (долл. США)	Количество	Доступное количество	Производитель	Ряд	Упаковка	Статус продукта	Толерантность	Рабочая температура	Тип монтажа	Пакет/ключи	Базовый номер продукта	Технология	Мощность - Макс.	Поставщик пакета оборудования	Техническая спецификация	Статус RoHS	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Другие имена	ECCN	ХТСУС	Стандартный пакет	Скорость	Тип полярного транзистора	Напряжение стока к источнику (Vdss)	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	ВГС (Макс)	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Особенность левого транзистора	Рассеиваемая мощность (макс.)	Конфигурация диода	Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод)	Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	Время обратного восстановления (trr)	Ток – обратная утечка @ Vr	Рабочая температура - соединение	Ток – средний выпрямленный (Io)	Эмкость @ Вр, Ф	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	Тип диода	Напряжение — пиковое обратное (макс.)	Ток-отсечка коллектора (макс.)	Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз)	Импеданс (Макс) (Zzt)	Тип транзистора	Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	Частота – переход	Резистор — база (R1)	Резистор — база эмиттера (R2)	Коэффициент емкости	Состояние коэффициента емкости	Q@Вр,Ф
ТДЖ20С04М3Л(Т6Л1,НК	1,3300	запросить цену	9822	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВИ	Лента и катушка (TR)	Активный		175°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	TJ20S04	МОП-транзистор (оксид металла)		ДПАК+	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	2000 г.		P-канал	40 В	20А (Та)	6В, 10В	22,2 мОм при 10 А, 10 В	3 В при 1 мА	37 НК при 10 В	+10 В, -20 В	1850 пФ при 10 В	-	41 Вт (Тс)
ТК1П90А,LQ(СО	-	запросить цену	9799	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		150°С	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	ТК1П90	МОП-транзистор (оксид металла)		PW-МОЛД	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)	TK1P90ALQ(СО	EAR99	8541.29.0095	2000 г.		N-канал	900 В	1А (Та)	10 В	9 Ом при 500 мА, 10 В	4 В при 1 мА	13 нк @ 10 В	±30 В	320 пФ при 25 В	-	20 Вт (Тс)
ТРС16Н65ФБ,С1К	6.0900	запросить цену	238	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Трубка	Активный			Сквозное отверстие	ТО-247-3	ТРС16Н65	SiC (карбид кремния) Шоттки		ТО-247	-		1 (без блокировки)	264-ТРС16Н65ФБС1К	EAR99	8541.10.0080	30	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)												1 пара с общим катодом	650 В	8А (постоянный ток)	1,6 В @ 8 А	0 нс	40 мкА при 650 В	175°С
1СС417,Л3М	0,2700	запросить цену	9195	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный			Поверхностный монтаж	2-СМД, плоский вывод	1СС417	Шоттки		ФСК	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.10.0070	10 000	Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость													40 В		620 мВ при 50 мА		5 мкА при 40 В	125°С (макс.)	100 мА	15 пФ @ 0 В, 1 МГц
1СВ324ТПХ3Ф	0,4200	запросить цену	972	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		125°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СК-76, СОД-323	1СВ324			ОСК	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.10.0070	3000																					12пФ @ 4В, 1МГц			Одинокий	10 В										4.3	С1/С4	-
RN1116,LXHF(CT	0,3300	запросить цену	6	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный			Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416	РН1116		100 мВт	ССМ	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000																						50 В	100 мА			500нА			NPN — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	50 при 10 мА, 5 В	250 МГц	4,7 кОм	10 кОм
XPN3R804NC,L1XHQ	1,4700	запросить цену	9	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII	Лента и катушка (TR)	Активный		175°С	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	XPN3R804	МОП-транзистор (оксид металла)		8-ТСОН Адванс-ВФ (3,1х3,1)	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	5000		N-канал	40 В	40А (Та)	4,5 В, 10 В	3,8 мОм при 20 А, 10 В	2,5 В при 300 мкА	35 НК при 10 В	±20 В	2230 пФ при 10 В	-	840 мВт (Та), 100 Вт (Тс)
ТК22А65С,С5С	3.8400	запросить цену	188	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Трубка	Активный		150°С	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК22А65	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50		N-канал	650 В	22А (Та)	10 В	150 мОм при 11 А, 10 В	3,5 В @ 1,1 мА	50 НК при 10 В	±30 В	2400 пФ при 300 В	-	45 Вт (Тс)
ТК60Ф10Н1Л,ЛСГК	2.3200	запросить цену	1	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII-H	Лента и катушка (TR)	Активный		175°С	Поверхностный монтаж	ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ	ТК60Ф10	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СМ(Вт)	-		3 (168 часов)		EAR99	8541.29.0095	1000		N-канал	100 В	60А (Та)	6В, 10В	6,11 мОм при 30 А, 10 В	3,5 В при 500 мкА	60 НК при 10 В	±20 В	4320 пФ при 10 В	-	205 Вт (Тс)
ТК8К60В,С1ВК	2.4800	запросить цену	7622	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	ДТМОСИВ	Трубка	Активный		150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-251-3 Заглушки, ИПак	ТК8Q60	МОП-транзистор (оксид металла)		Ай-Пак	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	75		N-канал	600 В	8А (Та)	10 В	500 мОм при 4 А, 10 В	3,7 В при 400 мкА	18,5 НК при 10 В	±30 В	570 пФ при 300 В	-	80 Вт (Тс)
2SC6026МФВ-И, Л3Ф	0,1900	запросить цену	7	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СОТ-723	2SC6026		150 мВт	ВЕСМ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	8000																						50 В	150 мА			100нА (ИКБО)			НПН	250 мВ при 10 мА, 100 мА	120 при 2 мА, 6 В	60 МГц
ТПХ9Р00КК5,ЛК	2.5500	запросить цену	5	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	U-MOSX-H	Лента и катушка (TR)	Активный		175°С	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN		МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП Прогресс (5х5)	-	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)				5000		N-канал	150 В	108А (Та), 64А (Тс)	8В, 10В	9 мОм при 32 А, 10 В	4,5 В @ 1 мА	44 НК при 10 В	±20 В	5400 пФ при 75 В	-	3 Вт (Та), 210 Вт (Тс)
ТК6А65Д(СТА4,К,М)	1,9400	запросить цену	6	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	π-МОСVII	Трубка	Активный		150°С (ТДж)	Сквозное отверстие	ТО-220-3 Полный пакет	ТК6А65	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СИС	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	50		N-канал	650 В	6А (Та)	10 В	1,11 Ом при 3 А, 10 В	4 В при 1 мА	20 НК при 10 В	±30 В	1050 пФ при 25 В	-	45 Вт (Тс)
РН1309,ЛФ	0,1900	запросить цену	3	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный			Поверхностный монтаж	СК-70, СОТ-323	РН1309		100 мВт	СК-70	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	3000																						50 В	100 мА			500нА			NPN — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	70 при 5 мА, 5 В	250 МГц	47 кОм	22 кОм
ТПХ4Р50АНХ1,ЛК	1,5400	запросить цену	8	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII-H	Лента и катушка (TR)	Активный		150°С	Поверхностный монтаж	8-PowerTDFN		МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП Прогресс (5x5,75)	-	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	5000		N-канал	100 В	92А (Тс)	10 В	4,5 мОм при 46 А, 10 В	4 В при 1 мА	58 НК при 10 В	±20 В	5200 пФ при 50 В	-	800 мВт (Та)
РН1414,ЛФ	0,1900	запросить цену	4137	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный			Поверхностный монтаж	ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3	РН1414		200 мВт	S-Мини	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	3000																						50 В	100 мА			500нА			NPN — предварительный смещенный	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	50 при 10 мА, 5 В	250 МГц	1 кОм	10 кОм
ДЖДХ2С02СЛ,Л3Ф	0,4200	запросить цену	7	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный			Поверхностный монтаж	2-СМД, без свинца	JDH2S02	Шоттки		SL2	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.10.0070	10 000	Малый сигнал =< 200 мА (Io), любая скорость													10 В				25 мкА при 500 мВ	125°С (макс.)	10 мА	0,25 пФ при 200 мВ, 1 МГц
РН1131МФВ,Л3Ф	0,1800	запросить цену	8	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный			Поверхностный монтаж	СОТ-723	РН1131		150 мВт	ВЕСМ	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	8000																						50 В	100 мА			100нА (ИКБО)			NPN — предварительный смещенный	300 мВ @ 500 мкА, 5 мА	120 при 1 мА, 5 В		100 кОм
ТПХ1Р405ПЛ,Л1К	1,5800	запросить цену	9110	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-MOSIX-H	Лента и катушка (TR)	Активный		175°С	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	ТПХ1Р405	МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП Прогресс (5х5)	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	5000		N-канал	45 В	120А (Тс)	4,5 В, 10 В	1,4 мОм при 50 А, 10 В	2,4 В при 500 мкА	74 НК при 10 В	±20 В	6300 пФ при 22,5 В	-	960 мВт (Та), 132 Вт (Тс)
2СК3309(ТЭ24Л,К)	-	запросить цену	7505	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший		150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63	2СК3309	МОП-транзистор (оксид металла)		ТО-220СМ	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	1000		N-канал	450 В	10А (Та)	10 В	650 мОм при 5 А, 10 В	5 В при 1 мА	23 НК при 10 В	±30 В	920 пФ при 10 В	-	65 Вт (Тс)
XPH6R30ANB,L1XHQ	1,8400	запросить цену	9	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСVIII-H	Лента и катушка (TR)	Активный		175°С	Поверхностный монтаж	8-SOIC (ширина 0,197 дюйма, 5,00 мм)	XPH6R30	МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП Прогресс (5х5)	-		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	5000		N-канал	100 В	45А (Та)	6В, 10В	6,3 мОм при 22,5 А, 10 В	3,5 В при 500 мкА	52 НК при 10 В	±20 В	3240 пФ при 10 В	-	960 мВт (Та), 132 Вт (Тс)
RN2106MFV,L3XHF(CT	0,3400	запросить цену	6	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный			Поверхностный монтаж	СОТ-723	РН2106		150 мВт	ВЕСМ	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	8000																						50 В	100 мА			500нА			ПНП — предварительный смещенный	300 мВ @ 500 мкА, 5 мА	80 при 10 мА, 5 В	250 МГц	4,7 кОм	47 кОм
RN1909,LXHF(CT	0,3500	запросить цену	6	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный			Поверхностный монтаж	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363	РН1909		200мВт	США6	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0075	3000																						50В	100 мА			500нА			2 NPN — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	70 при 10 мА, 5 В	250 МГц	47 кОм	22 кОм
2SA1832-Y,ЛСХФ	0,3900	запросить цену	690	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный		-	Поверхностный монтаж	СК-75, СОТ-416			120 мВт	ССМ	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	3000																						50 В	150 мА			100нА (ИКБО)			ПНП	300 мВ при 10 мА, 100 мА	120 при 2 мА, 6 В	80 МГц
SSM3J35CTC,L3F	0,3400	запросить цену	6	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВИИ	Лента и катушка (TR)	Активный		150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СК-101, СОТ-883	SSM3J35	МОП-транзистор (оксид металла)		CST3C	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	10 000		P-канал	20 В	250 мА (Та)	1,2 В, 4,5 В	1,4 Ом @ 150 мА, 4,5 В	1 В @ 100 мкА		±10 В	42 пФ при 10 В	-	500 мВт (Та)
TPCC8002-H(TE12LQM	-	запросить цену	2576	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-МОСВ-Х	Лента и катушка (TR)	Устаревший		150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-ВДФН Открытая площадка	TPCC8002	МОП-транзистор (оксид металла)		8-ТСОН Адванс (3,3х3,3)	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	3000		N-канал	30 В	22А (Та)	4,5 В, 10 В	8,3 мОм при 11 А, 10 В	2,5 В @ 1 мА	27 НК при 10 В	±20 В	2500 пФ при 10 В	-	700 мВт (Та), 30 Вт (Тс)
TPH7R006PL,L1Q	0,8500	запросить цену	22	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	У-MOSIX-H	Лента и катушка (TR)	Активный		175°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	8-PowerVDFN	ТПХ7Р006	МОП-транзистор (оксид металла)		8-СОП Прогресс (5х5)	скачать	Соответствует RoHS	1 (без блокировки)		EAR99	8541.29.0095	5000		N-канал	60 В	60А (Тс)	4,5 В, 10 В	13,5 мОм при 10 А, 4,5 В	2,5 В @ 200 мкА	22 НК при 10 В	±20 В	1875 пФ при 30 В	-	81 Вт (Тс)
CRY75(TE85L,Q,M)	-	запросить цену	7359	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Устаревший	±10%	-40°С ~ 150°С	Поверхностный монтаж	СОД-123Ф	CRY75		700 мВт	С-ПЛОСКАЯ (1,6х3,5)	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.10.0050	3000																1 В при 200 мА		10 мкА при 4,5 В									7,5 В	30 Ом
RN4901FE,LXHF(CT	0,3800	запросить цену	8	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	Автомобильная промышленность, AEC-Q101	Лента и катушка (TR)	Активный			Поверхностный монтаж	СОТ-563, СОТ-666	РН4901		100мВт	ES6	скачать		1 (без блокировки)		EAR99	8541.21.0095	4000																						50В	100 мА			500нА			1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)	300 мВ при 250 мкА, 5 мА	30 @ 10 мА, 5 В	200 МГц, 250 МГц	4,7 кОм	4,7 кОм
1СВ323,Х3Ф	0,3800	запросить цену	19	Полупроводники Toshiba и системы хранения данных	-	Лента и катушка (TR)	Активный		125°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	СК-79, СОД-523	1СВ323			ЭКУ	скачать	Соответствует ROHS3	1 (без блокировки)		EAR99	8541.10.0080	4000																					7,1 пФ @ 4 В, 1 МГц			Одинокий	10 В										4.3	С1/С4	-