SIC
close

Дискретные полупроводниковые изделия(6133)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта толерантность Напряжение - номинальное Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Частота Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Текущий рейтинг (А) Ток - Макс. Ток — удержание (Ih) (Макс.) Текущий — Тест Мощность — Выход Прирост Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Тип триака Напряжение – выключенное состояние Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) Напряжение — триггера затвора (Вгт) (макс.) Ток - нереп. Скачок 50, 60 Гц (Ицм) Ток — триггер ворот (Igt) (макс.) Коэффициент шума Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Ток – обратная утечка @ Vr Эмкость @ Вр, Ф Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Напряжение - Тест Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.) Ток-отсечка коллектора (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt) Сопротивление @ Если, F Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
PSMN035-150P,127 NXP USA Inc. ПСМН035-150П,127 -
запросить цену
 ECAD 8619 0,00000000 NXP США Инк. * Трубка Активный ПСМН0 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8541.29.0095 1000
BC847BQA147 NXP USA Inc. BC847BQA147 1,0000
запросить цену
 ECAD 6120 0,00000000 NXP США Инк. * Масса Активный скачать Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.21.0075 5000
PMP5501Y,115 NXP USA Inc. PMP5501Y,115 0,1000
запросить цену
 ECAD 22 0,00000000 NXP США Инк. - Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 PMP5501 300мВт СОТ-363 скачать EAR99 8541.21.0095 3056 45В 100 мА 15нА (ИКБО) 2 PNP (двойной) подобранная пара 400 мВ при 5 мА, 100 мА 200 при 2 мА, 5 В 175 МГц
PDZ3.9BGW,115 NXP USA Inc. ПДЗ3.9БГВ,115 -
запросить цену
 ECAD 7235 0,00000000 NXP США Инк. * Масса Активный скачать EAR99 8541.10.0050 1
BAP51-05W,115 NXP USA Inc. БАП51-05В,115 -
запросить цену
 ECAD 3607 0,00000000 NXP США Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -65°С ~ 150°С (ТДж) СК-70, СОТ-323 БАП51 СК-70 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0070 3000 50 мА 240 мВт 0,35 пФ при 5 В, 1 МГц PIN-код — 1 пара постоянного подключения 50В 2,5 Ом при 10 мА, 100 МГц
PMCPB5530X NXP USA Inc. PMCPB5530X 1,0000
запросить цену
 ECAD 5685 0,00000000 NXP США Инк. * Масса Активный скачать EAR99 8541.29.0095 1
MHT1807T1 NXP USA Inc. МХТ1807Т1 0,3200
запросить цену
 ECAD 114 0,00000000 NXP США Инк. * Масса Не для новых дизайнов - Непригодный Поставщик не определен Информация REACH предоставляется по запросу. 2832-МНТ1807Т1 EAR99 1
MRF372R5 NXP USA Inc. МРФ372Р5 -
запросить цену
 ECAD 3144 0,00000000 NXP США Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 68 В Крепление на шасси НИ-860С3 МРФ37 857 МГц ~ 863 МГц ЛДМОС НИ-860С3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0075 50 17А 800 мА 180 Вт 17 дБ - 32 В
NZX8V2B,133 NXP USA Inc. НЗС8В2Б,133 0,0200
запросить цену
 ECAD 51 0,00000000 NXP США Инк. * Масса Активный NZX8 - Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8541.10.0050 10 000
BLC8G24LS-240AVU NXP USA Inc. BLC8G24LS-240АВУ -
запросить цену
 ECAD 4646 0,00000000 NXP США Инк. - Поднос Активный 65 В Крепление на шасси СОТ-1252-1 BLC8 2,3 ГГц ~ 2,4 ГГц ЛДМОС СОТ1252-1 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 934067995112 EAR99 8541.29.0075 20 Двойной - 800 мА 63 Вт 15 дБ - 30 В
BAT54CM315 NXP USA Inc. БАТ54СМ315 1,0000
запросить цену
 ECAD 4472 0,00000000 NXP США Инк. * Масса Активный БАТ54 скачать EAR99 8541.10.0070 1
BUK958R5-40E,127 NXP USA Inc. БУК958Р5-40Э,127 -
запросить цену
 ECAD 3037 0,00000000 NXP США Инк. ТренчМОС™ Трубка Устаревший -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 БУК95 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220АБ - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 40 В 75А (Тс) 5В, 10В 6,6 мОм при 20 А, 10 В 2,1 В при 1 мА 20,9 НК при 5 В ±10 В 2600 пФ при 25 В - 96 Вт (Тс)
A2T23H160-24SR3 NXP USA Inc. А2Т23Х160-24СР3 132,9651
запросить цену
 ECAD 4413 0,00000000 NXP США Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 65 В Крепление на шасси НИ-780С-4Л2Л А2Т23 2,3 ГГц ЛДМОС НИ-780С-4Л2Л скачать Соответствует ROHS3 Непригодный REACH не касается 935326016128 EAR99 8541.29.0075 250 Двойной - 350 мА 28 Вт 17,7 дБ - 28 В
MHT2025NR1 NXP USA Inc. МХТ2025НР1 -
запросить цену
 ECAD 4929 0,00000000 NXP США Инк. * Лента и катушка (TR) Устаревший МХТ20 - Соответствует ROHS3 REACH не касается 935341634528 УСТАРЕВШИЙ 500
PMEG2005AESFC315 NXP USA Inc. ПМЭГ2005АЕСФК315 0,0400
запросить цену
 ECAD 135 0,00000000 NXP США Инк. * Масса Активный скачать Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.10.0070 9000
BZX84-A12215 NXP USA Inc. BZX84-A12215 -
запросить цену
 ECAD 7332 0,00000000 NXP США Инк. * Масса Активный скачать EAR99 8541.10.0050 1
BT131-600/DG,116 NXP USA Inc. БТ131-600/ДГ,116 0,1000
запросить цену
 ECAD 10 0,00000000 NXP США Инк. - Масса Активный 125°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения ТО-92-3 скачать EAR99 8541.30.0080 3037 Одинокий 5 мА Логика — тонкие ворота 600 В 1 А 1,5 В 12,5 А, 13,8 А 3 мА
BTA310X-600D,127 NXP USA Inc. БТА310С-600Д,127 0,4100
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 NXP США Инк. - Масса Активный 125°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка ТО-220Ф скачать EAR99 8541.30.0080 628 Одинокий 10 мА Логика — тонкие ворота 600 В 10 А 1,5 В 85А, 93А 5 мА
BZT52H-B5V1/DLT115 NXP USA Inc. БЗТ52Х-Б5В1/ДЛТ115 1,0000
запросить цену
 ECAD 7470 0,00000000 NXP США Инк. * Масса Активный БЗТ52 скачать 0000.00.0000 1
PH3330L,115 NXP USA Inc. РН3330Л, 115 -
запросить цену
 ECAD 6520 0,00000000 NXP США Инк. ТренчМОС™ Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-100, СОТ-669 PH33 МОП-транзистор (оксид металла) ЛФПАК56, Мощность-СО8 - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 1500 N-канал 30 В 100А (Тс) 4,5 В, 10 В 3,3 мОм при 25 А, 10 В 2,15 В при 1 мА 30,5 НК при 4,5 В ±20 В 4840 пФ при 12 В - 62,5 Вт (Тс)
J2A020YXS/T0BY425, NXP USA Inc. J2A020YXS/T0BY425, -
запросить цену
 ECAD 5955 0,00000000 NXP США Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший - - - J2A0 - - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 935295719118 УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 12 500 - -
MRF8S18120HSR3,128 NXP USA Inc. MRF8S18120HSR3,128 -
запросить цену
 ECAD 2731 0,00000000 NXP США Инк. * Масса Активный МРФ8С18120 - скачать Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен 1 -
PEMH17,115 NXP USA Inc. ПЭМХ17 115 0,0400
запросить цену
 ECAD 24 0,00000000 NXP США Инк. - Масса Активный Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 ПЕМХ17 300мВт СОТ-666 скачать EAR99 8541.21.0095 1 50В 100 мА 1 мкА 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) 150 мВ @ 500 мкА, 10 мА 60 при 5 мА, 5 В - 47 кОм 22 кОм
PSMN6R0-30YLB,115 NXP USA Inc. ПСМН6Р0-30ИЛБ,115 1,0000
запросить цену
 ECAD 8064 0,00000000 NXP США Инк. - Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-100, СОТ-669 МОП-транзистор (оксид металла) ЛФПАК56, Мощность-СО8 скачать EAR99 8541.29.0095 1 N-канал 30 В 71А (Тс) 4,5 В, 10 В 6,5 мОм при 20 А, 10 В 1,95 В @ 1 мА 19 НК при 10 В ±20 В 1088 пФ при 15 В - 58 Вт (Тс)
PZM3.6NB2,115 NXP USA Inc. ПЗМ3.6НБ2,115 -
запросить цену
 ECAD 8384 0,00000000 NXP США Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший ±2% -65°С ~ 150°С Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 ПЗМ3.6 300 мВт СМТ3; МПАК - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000 1,1 В @ 100 мА 5 мкА при 1 В 3,6 В 90 Ом
MMRF1007HSR5 NXP USA Inc. ММРФ1007HSR5 679,4412
запросить цену
 ECAD 8500 0,00000000 NXP США Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 110 В НИ-1230-4С ММРФ1007 1,03 ГГц ЛДМОС НИ-1230-4С скачать Соответствует ROHS3 Непригодный REACH не касается 935320316178 EAR99 8541.29.0075 50 Двойной - 150 мА 1000 Вт 20 дБ - 50 В
BZX84-B22,215 NXP USA Inc. BZX84-B22,215 0,0200
запросить цену
 ECAD 154 0,00000000 NXP США Инк. * Масса Активный БЗХ84 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8541.10.0050 3000
PSMN1R9-40PL127 NXP USA Inc. ПСМН1Р9-40ПЛ127 1,6700
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 NXP США Инк. * Масса Активный ПСМН1Р9 скачать Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.29.0095 194
NZX33A,133 NXP USA Inc. НЗС33А,133 0,0200
запросить цену
 ECAD 60 0,00000000 NXP США Инк. * Масса Активный НЗХ3 - Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8541.10.0050 10 000
BZX79-C9V1,113 NXP USA Inc. BZX79-C9V1,113 0,0200
запросить цену
 ECAD 180 0,00000000 NXP США Инк. * Масса Активный БЗХ79 скачать Соответствует ROHS3 REACH не касается EAR99 8541.10.0050 10 000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.