SIC
close

Дискретные полупроводниковые изделия(4)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Технология Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тип полярного транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Особенность левого транзистора
CGD65A130S2-T13 Cambridge GaN Devices CGD65A130S2-T13 6.5600
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Кембриджские устройства GaN ICEGaN™ Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 16-PowerVDFN GaNFET (нитрид галлия) 16-ДФН (8х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3500 - 650 В 12А (Тс) 12 В 182 мОм при 900 мА, 12 В 4,2 В @ 4,2 мА 2,3 НК при 12 В +20В, -1В Измерение тока
CGD65B130S2-T13 Cambridge GaN Devices CGD65B130S2-T13 6.7400
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 Кембриджские устройства GaN ICEGaN™ Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN GaNFET (нитрид галлия) 8-ДФН (5х6) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 5000 - 650 В 12А (Тс) 9В, 20В 182 мОм при 900 мА, 12 В 4,2 В при 4,2 мА 2,3 НК при 12 В +20В, -1В Измерение тока
CGD65A055S2-T07 Cambridge GaN Devices CGD65A055S2-T07 15.8000
запросить цену
 ECAD 967 0,00000000 Кембриджские устройства GaN ICEGaN™ Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 16-PowerVDFN GaNFET (нитрид галлия) 16-ДФН (8х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 1000 650 В 27А (Тц) 12 В 77 мОм при 2,2 А, 12 В 4,2 В при 10 мА 6 нк @ 12 В +20В, -1В Измерение тока
CGD65B200S2-T13 Cambridge GaN Devices CGD65B200S2-T13 4.7800
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 Кембриджские устройства GaN ICEGaN™ Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerVDFN GaNFET (нитрид галлия) 8-ДФН (5х6) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 5000 - 650 В 8,5 А (Тс) 9В, 20В 280 мОм при 600 мА, 12 В 4,2 В при 2,75 мА 1,4 НК при 12 В +20В, -1В Измерение тока
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.