SIC
close

Дискретные полупроводниковые изделия(455)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Толерантность Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Скорость Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.) Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) Импеданс (Макс) (Zzt)
BR5006 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5006 4.0000
запросить цену
 ECAD 300 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Сумка Активный -40°С ~ 150°С (ТДж) Крепление на шасси 4-кв., БР-50 Стандартный БР-50 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-BR5006 8541.10.0000 50 1,1 В при 25 А 10 мкА при 600 В 50 А Однофазный 600 В
BR801 EIC SEMICONDUCTOR INC. БР801 1,3500
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Сумка Активный -40°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-кв., БР-10 Стандартный БР-10 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-BR801 8541.10.0000 200 1 В @ 4 А 10 мкА при 100 В 8 А Однофазный 100 В
RBV2502 EIC SEMICONDUCTOR INC. РБВ2502 1,5900
запросить цену
 ECAD 500 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Сумка Активный -40°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, РБВ-25 Стандартный РБВ-25 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Информация REACH предоставляется по запросу. 2439-РБВ2502 8541.10.0000 100 1,1 В при 12,5 А 10 мкА при 200 В 25 А Однофазный 200 В
RBV1506D EIC SEMICONDUCTOR INC. РБВ1506Д 1,6500
запросить цену
 ECAD 50 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Сумка Активный -40°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, РБВ-25 Стандартный РБВ-25 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Информация REACH предоставляется по запросу. 2439-РБВ1506Д 8541.10.0000 50 1,1 В при 15 А 10 мкА при 600 В 15 А Однофазный 600 В
RBV606 EIC SEMICONDUCTOR INC. РБВ606 1.1000
запросить цену
 ECAD 900 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Сумка Активный -40°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, РБВ-25 Стандартный РБВ-25 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Информация REACH предоставляется по запросу. 2439-РБВ606 8541.10.0000 100 1 В при 3 А 10 мкА при 600 В 6 А Однофазный 600 В
KBL401 EIC SEMICONDUCTOR INC. КБЛ401 1.0200
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Сумка Активный -50°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, КБЛ Стандартный КБЛ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Информация REACH предоставляется по запросу. 2439-КБЛ401 8541.10.0000 100 1,1 В при 4 А 10 мкА при 100 В 4 А Однофазный 100 В
1N4741T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4741T/Р 0,0600
запросить цену
 ECAD 10 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Лента и катушка (TR) Активный ±10% -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1 Вт ДО-41 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-1Н4741Т/РТР 8541.10.0000 5000 1,2 В при 200 мА 5 мкА при 8,4 В 11 В 8 Ом
1N4746A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4746A 0,1000
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Коробка Активный ±5% -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1 Вт ДО-41 - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-1Н4746А 8541.10.0000 1000 1,2 В при 200 мА 5 мкА при 13,7 В 18 В 20 Ом
RBV1001 EIC SEMICONDUCTOR INC. РБВ1001 1,2400
запросить цену
 ECAD 400 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Сумка Активный -40°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, РБВ-25 Стандартный РБВ-25 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Информация REACH предоставляется по запросу. 2439-РБВ1001 8541.10.0000 100 1 В @ 5 А 10 мкА при 100 В 10 А Однофазный 100 В
BR810 EIC SEMICONDUCTOR INC. БР810 1,2200
запросить цену
 ECAD 400 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Сумка Активный -40°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-кв., БР-10 Стандартный БР-10 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Информация REACH предоставляется по запросу. 2439-BR810 8541.10.0000 200 1 В @ 4 А 10 мкА при 1000 В 8 А Однофазный 1 кВ
1N5229BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5229BBОБЫЧНЫЙ 0,1800
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Сумка Активный ±5% 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-1Н5229БОБЫЧНЫЙ 8541.10.0000 500 1,1 В при 200 мА 5 мкА при 1 В 4,3 В 22 Ом
FR207BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR207ОБЫЧНЫЙ 0,2800
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Сумка Активный Сквозное отверстие ДО-204АС, ДО-15, осевой Стандартный ДО-15 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-FR207ОБЫЧНЫЙ 8541.10.0000 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1000 В 1,3 В при 2 А 500 нс 10 мкА при 1000 В -65°С ~ 150°С 2А 15пФ @ 4В, 1МГц
BY399 EIC SEMICONDUCTOR INC. BY399 0,2400
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Сумка Активный Сквозное отверстие ДО-201АД, Осевой Стандартный ДО-201АД скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Информация REACH предоставляется по запросу. 2439-BY399 8541.10.0000 500 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 800 В 1,25 В при 3 А 250 нс 10 мкА при 800 В -65°С ~ 150°С 3А 60пФ @ 4В, 1МГц
1N751ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N751ABULK 0,2100
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Сумка Активный ±5% 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-1N751ABULK 8541.10.0000 500 1,2 В при 200 мА 1 мкА при 1 В 5,1 В 17 Ом
1N5228BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5228BT/Р 0,0400
запросить цену
 ECAD 20 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Лента и катушка (TR) Активный ±5% 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-1Н5228БТ/РТР 8541.10.0000 10 000 1,1 В при 200 мА 10 мкА при 1 В 3,9 В 23 Ом
1N4743T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4743T/Р 0,0500
запросить цену
 ECAD 10 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Лента и катушка (TR) Активный ±10% -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1 Вт ДО-41 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-1Н4743Т/РТР 8541.10.0000 5000 1,2 В при 200 мА 5 мкА при 9,9 В 13 В 10 Ом
1N5361BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5361БОБЛОК 0,3800
запросить цену
 ECAD 10 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Сумка Активный ±5% -65°С ~ 200°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АС, ДО-15, осевой 5 Вт ДО-15 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-1Н5361БОБЫЧНЫЙ 8541.10.0000 500 1,2 В @ 1 А 500 нА при 20,6 В 27 В 5 Ом
1N4735ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4735ABULK 0,1800
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Сумка Активный ±5% -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1 Вт ДО-41 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-1N4735ABULK 8541.10.0000 500 1,2 В при 200 мА 10 мкА при 3 В 6,2 В 2 Ом
1N4732T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4732Т/Р 0,0900
запросить цену
 ECAD 10 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Лента и катушка (TR) Активный ±10% -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1 Вт ДО-41 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-1Н4732Т/РТР 8541.10.0000 5000 1,2 В при 200 мА 10 мкА при 1 В 4,7 В 8 Ом
1N5242BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5242BT/Р 0,0400
запросить цену
 ECAD 10 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Лента и катушка (TR) Активный ±5% 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-1Н5242БТ/РТР 8541.10.0000 10 000 1,1 В при 200 мА 1 мкА при 9,1 В 12 В 30 Ом
BR3504 EIC SEMICONDUCTOR INC. БР3504 2,6900
запросить цену
 ECAD 300 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Сумка Активный -40°С ~ 150°С (ТДж) Крепление на шасси 4-кв., БР-50 Стандартный БР-50 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-BR3504 8541.10.0000 50 1,1 В @ 17,5 А 10 мкА при 400 В 35 А Однофазный 400 В
HER301BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER301ОБЫЧНАЯ 0,2400
запросить цену
 ECAD 5 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Сумка Активный Сквозное отверстие ДО-201АД, Осевой Стандартный ДО-201АД скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-HER301ОБЫЧНЫЙ 8541.10.0000 500 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 50 В 1,1 В @ 3 А 50 нс 10 мкА при 50 В -65°С ~ 150°С 3А 50пФ @ 4В, 1МГц
1N4745A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4745A 0,5750
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1 Вт ДО-41 - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-1Н4745АТР 8541.10.0000 4000 1,2 В при 200 мА 5 мкА при 12,2 В 16 В 16 Ом
1N4742A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4742A 0,0510
запросить цену
 ECAD 15 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1 Вт ДО-41 - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-1Н4742АТР 8541.10.0000 5000 1,2 В при 200 мА 5 мкА при 9,1 В 12 В 9 Ом
1N4748AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4748AT/Р 0,0600
запросить цену
 ECAD 10 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Лента и катушка (TR) Активный ±5% -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой 1 Вт ДО-41 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-1Н4748АТ/РТР 8541.10.0000 5000 1,2 В при 200 мА 5 мкА при 16,7 В 22 В 23 Ом
1N5360B EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5360B 0,1150
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Коробка Активный ±5% -65°С ~ 200°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АС, ДО-15, осевой 5 Вт ДО-15 - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-1Н5360Б 8541.10.0000 500 1,2 В @ 1 А 500 нА при 19 В 25 В 4 Ом
1N5350BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5350БОБЫЧНЫЙ 0,3600
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Сумка Активный ±5% -65°С ~ 200°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АС, ДО-15, осевой 5 Вт ДО-15 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-1Н5350БОБЫЧНЫЙ EAR99 8541.10.0050 500 1,2 В @ 1 А 1 мкА при 9,9 В 13 В 2,5 Ом
1N756ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N756ABULK 0,2100
запросить цену
 ECAD 4 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Сумка Активный ±5% 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ДО-204АХ, ДО-35, осевой 500 мВт ДО-35 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-1N756ABULK 8541.10.0000 500 1,2 В при 200 мА 100 нА при 1 В 8,2 В 8 Ом
BYV26E EIC SEMICONDUCTOR INC. BYV26E 0,2100
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Сумка Активный Сквозное отверстие ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой лавина ДО-41 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 2439-BYV26E 8541.10.0000 500 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1000 В 2,5 В при 1 А 75 нс 5 мкА при 1000 В -65°С ~ 175°С 1А -
RBV2502D EIC SEMICONDUCTOR INC. РБВ2502Д 1,7400
запросить цену
 ECAD 100 0,00000000 ЭИК СЕМИКОНДУКТОР ИНК. - Сумка Активный -40°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-СИП, РБВ-25 Стандартный РБВ-25 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Информация REACH предоставляется по запросу. 2439-РБВ2502Д 8541.10.0000 100 1,1 В при 25 А 10 мкА при 200 В 25 А Однофазный 200 В
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.