SIC
close

Транзисторы(100539)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Напряжение - номинальное Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Частота Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Текущий рейтинг (А) Текущий — Тест Мощность — Выход Прирост Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Коэффициент шума Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Напряжение - Тест Ток-отсечка коллектора (макс.) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
FJP1943RTU Fairchild Semiconductor FJP1943RTU 1,3400
запросить цену
 ECAD 712 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Активный -50°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 80 Вт ТО-220-3 скачать EAR99 8541.29.0095 225 230 В 15 А 5 мкА (ИКБО) ПНП 3 В при 800 мА, 8 А 55 @ 1А, 5В 30 МГц
IRFH7107TRPBF Infineon Technologies IRFH7107TRPBF -
запросить цену
 ECAD 2052 0,00000000 Инфинеон Технологии ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN МОП-транзистор (оксид металла) 8-PQFN (5x6) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 4000 N-канал 75 В 14А (Та), 75А (Тс) 10 В 8,5 мОм при 45 А, 10 В 4 В @ 100 мкА 72 НК при 10 В ±20 В 3110 пФ при 25 В - 3,6 Вт (Та), 104 Вт (Тс)
APT8014JLL Microchip Technology АПТ8014JLL -
запросить цену
 ECAD 1794 г. 0,00000000 Микрочиповая технология СИЛА МОС 7® Трубка Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Крепление на шасси СОТ-227-4, миниБЛОК МОП-транзистор (оксид металла) ИЗОТОП® скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 10 N-канал 800 В 42А (Тс) 10 В 140 мОм при 21 А, 10 В 5 В @ 5 мА 285 НК при 10 В ±30 В 7238 пФ при 25 В - 595 Вт (Тс)
PMST3906,135 NXP USA Inc. ПМСТ3906,135 0,0200
запросить цену
 ECAD 1006 0,00000000 NXP США Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 200 мВт СОТ-323 скачать EAR99 8541.21.0075 14 774 40 В 200 мА 50нА (ИКБО) ПНП 400 мВ при 5 мА, 50 мА 100 при 10 мА, 1 В 250 МГц
DMP2021UFDF-7 Diodes Incorporated ДМП2021УФДФ-7 0,7300
запросить цену
 ECAD 64 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-УДФН Открытая площадка ДМП2021 МОП-транзистор (оксид металла) U-DFN2020-6 (тип F) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0095 3000 P-канал 20 В 9А (Та) 1,5 В, 4,5 В 16 мОм при 7 А, 4,5 В 1 В @ 250 мкА 59 НК при 8 В ±8 В 2760 пФ при 15 В - 730 мВт (Та)
DN3135K1-G Microchip Technology DN3135K1-G 0,6900
запросить цену
 ECAD 8445 0,00000000 Микрочиповая технология - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 DN3135 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0095 3000 N-канал 350 В 72 мА (ТДж) 0 В 35 Ом при 150 мА, 0 В - ±20 В 120 пФ при 25 В Режим истощения 360 мВт (Та)
2N4424 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N4424 ПББЕСПЛАТНО 0,3800
запросить цену
 ECAD 7 0,00000000 Центральная полупроводниковая корпорация - Масса Активный -65°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) 625 мВт ТО-92-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0095 2500 40 В 500 мА 30нА НПН 300 мВ при 3 мА, 50 мА 180 при 2 мА, 4,5 В -
SIE726DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE726DF-T1-E3 -
запросить цену
 ECAD 7122 0,00000000 Вишай Силиконикс SkyFET®, TrenchFET® Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 10-ПоларПАК® (Л) SIE726 МОП-транзистор (оксид металла) 10-ПоларПАК® (Л) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 В 60А (Тс) 4,5 В, 10 В 2,4 мОм при 25 А, 10 В 3 В @ 250 мкА 160 НК при 10 В ±20 В 7400 пФ при 15 В - 5,2 Вт (Та), 125 Вт (Тс)
IRF300P227 Infineon Technologies ИРФ300П227 7.9000
запросить цену
 ECAD 262 0,00000000 Инфинеон Технологии StrongIRFET™ Трубка Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 ИРФ300 МОП-транзистор (оксид металла) ПГ-ТО247-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 25 N-канал 300 В 50А (Тс) 10 В 40 мОм при 30 А, 10 В 4 В @ 270 мкА 107 НК при 10 В ±20 В 4893 пФ при 50 В - 313 Вт (Тс)
STF11N65M2 STMicroelectronics СТФ11Н65М2 1,9000
запросить цену
 ECAD 28 0,00000000 СТМикроэлектроника МДмеш™ II Плюс Трубка Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет STF11 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220ФП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 650 В 7А (Тс) 10 В 670 мОм при 3,5 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 12,5 НК при 10 В ±25 В 410 пФ при 100 В - 25 Вт (Тс)
FQPF3P50 onsemi FQPF3P50 -
запросить цену
 ECAD 5736 0,00000000 онсеми QFET® Трубка Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет FQPF3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220Ф-3 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 1000 P-канал 500 В 1,9 А (Тс) 10 В 4,9 Ом при 950 мА, 10 В 5 В @ 250 мкА 23 НК при 10 В ±30 В 660 пФ при 25 В - 39 Вт (Тс)
2SD1153 Sanyo 2СД1153 0,5900
запросить цену
 ECAD 5 0,00000000 Саньо * Масса Активный скачать Непригодный 1 (без блокировки) Поставщик не определен EAR99 8541.21.0075 1
IRF8852TRPBF Infineon Technologies IRF8852TRPBF -
запросить цену
 ECAD 5013 0,00000000 Инфинеон Технологии ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) IRF8852 МОП-транзистор (оксид металла) 1 Вт 8-ЦСОП скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 4000 2 N-канала (двойной) 25В 7,8А 11,3 мОм при 7,8 А, 10 В 2,35 В @ 25 мкА 9,5 нк при 4,5 В 1151пФ при 20 В Ворота логического уровня
KSE13003H3ASTU onsemi КСЭ13003Х3АСТУ -
запросить цену
 ECAD 7971 0,00000000 онсеми - Трубка Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-225АА, ТО-126-3 KSE13003 20 Вт ТО-126-3 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 60 400 В 1,5 А - НПН 3 В при 500 мА, 1,5 А 19 @ 500 мА, 2 В 4 МГц
NSBC143TPDXV6T5 onsemi NSBC143TPDXV6T5 0,0400
запросить цену
 ECAD 104 0,00000000 онсеми * Масса Активный скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0095 8000
IRFR430ATRRPBF Vishay Siliconix IRFR430ATRRPBF -
запросить цену
 ECAD 7783 0,00000000 Вишай Силиконикс - Лента и катушка (TR) Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ИРФР430 МОП-транзистор (оксид металла) Д-Пак скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 N-канал 500 В 5А (Тс) 10 В 1,7 Ом при 3 А, 10 В 4,5 В при 250 мкА 24 НК при 10 В ±30 В 490 пФ при 25 В - 110 Вт (Тс)
DMTH10H015SK3Q-13 Diodes Incorporated ДМТХ10Х015СК3К-13 0,4733
запросить цену
 ECAD 9728 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ДМТХ10 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252, (Д-Пак) скачать REACH не касается 31-ДМТХ10Х015СК3К-13ТР EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 100 В 59А (Тс) 6В, 10В 14 мОм при 20 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 30,1 нк при 10 В ±20 В 2343 пФ при 50 В - 2Вт (Та)
JAN2N6033 Microchip Technology ЯН2Н6033 401.1280
запросить цену
 ECAD 3732 0,00000000 Микрочиповая технология Военный, MIL-PRF-19500/528 Масса Активный -65°С ~ 200°С (ТА) Сквозное отверстие ТО-204АА, ТО-3 140 Вт ТО-3 - не соответствует RoHS REACH не касается EAR99 8541.29.0095 1 120 В 40 А 25 мА (ИКБО) НПН 10 @ 40А, 2В -
BUK7535-55A,127 Nexperia USA Inc. БУК7535-55А,127 -
запросить цену
 ECAD 9302 0,00000000 Нексперия США Инк. ТренчМОС™ Трубка Устаревший -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220АБ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 50 N-канал 55 В 35А (Тс) 10 В 35 мОм при 20 А, 10 В 4 В при 1 мА ±20 В 872 пФ при 25 В - 85 Вт (Тс)
AFT20S015GNR1 NXP USA Inc. АФТ20С015ГНР1 26.1700
запросить цену
 ECAD 777 0,00000000 NXP США Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 65 В Поверхностный монтаж ТО-270БА АФТ20 2,17 ГГц ЛДМОС ТО-270-2 ЧАЙКА скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 5А991Г 8541.29.0040 500 - 132 мА 1,5 Вт 17,6 дБ - 28 В
DMPH3010LK3Q-13 Diodes Incorporated ДМФХ3010LK3Q-13 0,4410
запросить цену
 ECAD 2653 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ДМФ3010 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-252, (Д-Пак) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) Затронуто REACH EAR99 8541.29.0095 2500 P-канал 30 В 50А (Тс) 4,5 В, 10 В 7,5 мОм при 10 А, 10 В 2,1 В при 250 мкА 139 НК при 10 В ±20 В 6807 пФ при 15 В - 3,9 Вт (Та)
KSB1116ALTA Fairchild Semiconductor КСБ1116АЛТА 1,0000
запросить цену
 ECAD 5833 0,00000000 Фэйрчайлд Полупроводник - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения 750 мВт ТО-92-3 скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8541.21.0075 2000 г. 60 В 1 А 100нА (ИКБО) ПНП 300 мВ при 50 мА, 1 А 300 при 100 мА, 2 В 120 МГц
KSC2258ASTU onsemi КСЦ2258АСТУ -
запросить цену
 ECAD 5540 0,00000000 онсеми - Трубка Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-225АА, ТО-126-3 KSC2258 4 Вт ТО-126-3 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0075 60 300 В 100 мА - НПН 1,2 В @ 5 мА, 50 мА 40 при 40 мА, 20 В 100 МГц
DMP31D1U-13 Diodes Incorporated ДМП31Д1У-13 0,0264
запросить цену
 ECAD 3355 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 МОП-транзистор (оксид металла) СОТ-23-3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 31-ДМП31Д1У-13ТР EAR99 8541.21.0095 10 000 P-канал 30 В 620 мА (Та) 1,8 В, 4,5 В 1 Ом при 400 мА, 4,5 В 1,1 В @ 250 мкА 1,6 нк @ 8 В ±8 В 54 пФ при 15 В - 460 мВт (Та)
AOI4TL60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. АОИ4TL60 -
запросить цену
 ECAD 7336 0,00000000 Альфа и Омега Semiconductor Inc. - Трубка Устаревший АОИ4 - 1 (без блокировки) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 70 -
KSC2688OS onsemi KSC2688OS -
запросить цену
 ECAD 6230 0,00000000 онсеми - Масса Устаревший 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-225АА, ТО-126-3 KSC2688 1,25 Вт ТО-126 скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0075 250 300 В 200 мА 100 мкА (ИКБО) НПН 1,5 В при 5 мА, 50 мА 60 при 10 мА, 10 В 80 МГц
DSS4240V-7 Diodes Incorporated DSS4240V-7 0,4000
запросить цену
 ECAD 396 0,00000000 Диодс Инкорпорейтед - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 ДСС4240 600 мВт СОТ-563 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0075 3000 40 В 2 А 100нА НПН 400 мВ при 200 мА, 2 А 300 при 500 мА, 5 В 150 МГц
IRFDC20 Vishay Siliconix IRFDC20 -
запросить цену
 ECAD 5440 0,00000000 Вишай Силиконикс - Трубка Устаревший -55°С ~ 150°С (ТДж) Сквозное отверстие 4-DIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) IRFDC20 МОП-транзистор (оксид металла) 4-ХВМДИП скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается *ИРФДК20 EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 600 В 320 мА (Та) 10 В 4,4 Ом при 190 мА, 10 В 4 В @ 250 мкА 18 НК при 10 В ±20 В 350 пФ при 25 В - 1 Вт (Та)
NJVMJD44E3T4G onsemi НЖВМЖД44Е3Т4Г 0,9800
запросить цену
 ECAD 6888 0,00000000 онсеми - Лента и катушка (TR) Активный -55°С ~ 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 НЖВМЖД44 1,75 Вт ДПАК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2500 80 В 10 А 10 мкА NPN – Дарлингтон 2 В @ 20 мА, 10 А 1000 @ 5А, 5В -
RN1309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage РН1309(ТЕ85Л,Ф) 0,2700
запросить цену
 ECAD 895 0,00000000 Полупроводники Toshiba и системы хранения данных - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 РН1309 100 мВт СК-70 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 100 мА 500нА NPN — предварительный смещенный 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 70 при 10 мА, 5 В 250 МГц 47 кОм 22 кОм
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.