Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Мощность - Макс. | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тип полярного транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | ВГС (Макс) | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Особенность левого транзистора | Рассеиваемая мощность (макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S2M0040120D | 24.5300 | ![]() | 247 | 0,00000000 | Диодные решения SMC | - | Трубка | Активный | - | Сквозное отверстие | ТО-247-3 | SiCFET (карбид кремния) | ТО-247-3 | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | N-канал | 1200 В | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||
![]() | S2M0080120D | 14.9200 | ![]() | 276 | 0,00000000 | Диодные решения SMC | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-247-3 | SiCFET (карбид кремния) | ТО-247АД | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-канал | 1200 В | 41А (Тс) | 20 В | 100 мОм при 20 А, 20 В | 4 В при 10 мА | 54 НК при 20 В | +25В, -10В | 1324 пФ при 1000 В | - | 231 Вт (Тс) | ||||||||||
![]() | С2М0040120К | 24.9100 | ![]() | 128 | 0,00000000 | Диодные решения SMC | - | Трубка | Активный | - | Сквозное отверстие | ТО-247-4 | SiCFET (карбид кремния) | ТО-247-4 | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | N-канал | 1200 В | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||
![]() | SSTX404S | 0,2600 | ![]() | 67 | 0,00000000 | Диодные решения SMC | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | SSTX404 | 350 мВт | СОТ-23-3 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.21.0095 | 3000 | 40 В | 600 мА | 10нА (ИКБО) | НПН | 1 В @ 50 мА, 500 мА | 100 при 150 мА, 10 мВ | - | |||||||||||||
![]() | S2M0025120D | 44.4500 | ![]() | 5528 | 0,00000000 | Диодные решения SMC | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-247-3 | SiCFET (карбид кремния) | ТО-247АД | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-канал | 1200 В | 63А (Тдж) | 20 В | 34 мОм при 50 А, 20 В | 4 В при 15 мА | 130 НК при 20 В | +25В, -10В | 4402 пФ при 1000 В | - | 446 Вт (Тс) | ||||||||||
![]() | S2M0080120K | 15.3500 | ![]() | 260 | 0,00000000 | Диодные решения SMC | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-247-4 | SiCFET (карбид кремния) | ТО-247-4 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-канал | 1200 В | 41А (Тс) | 20 В | 100 мОм при 20 А, 20 В | 4 В при 10 мА | 54 НК при 20 В | +25В, -10В | 1324 пФ при 1000 В | - | 231 Вт (Тс) | ||||||||||
![]() | SSTX304S | 0,2600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Диодные решения SMC | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | SSTX304 | 350 мВт | СОТ-23-3 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.21.0095 | 3000 | 60 В | 600 мА | 10нА (ИКБО) | PNP + диод (изолированный) | 1,6 В при 50 мА, 500 мА | 100 при 150 мА, 10 мВ | - | |||||||||||||
![]() | С2М0025120К | 44.8100 | ![]() | 5161 | 0,00000000 | Диодные решения SMC | - | Трубка | Активный | -55°С ~ 175°С (ТДж) | Сквозное отверстие | ТО-247-4 | SiCFET (карбид кремния) | ТО-247-4 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-канал | 1200 В | 63А (Тс) | 20 В | 34 мОм при 50 А, 20 В | 4 В при 15 мА | 130 НК при 20 В | +25В, -10В | 4402 пФ при 1000 В | - | 446 Вт (Тс) |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)