SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж DOSTISHATH Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) В конце Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
BLF4G20LS-110B,112 NXP USA Inc. BLF4G20LS-110B, 112 -
RFQ
ECAD 3899 0,00000000 NXP USA Inc. - Поднос Управо 65 ШASCI SOT-502B BLF4 1,93 ~ 1,99 -е LDMOS SOT502B СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 60 12A 650 май 100 y 13.4db - 28
BUK654R0-75C,127 NXP USA Inc. BUK654R0-75C, 127 -
RFQ
ECAD 8242 0,00000000 NXP USA Inc. Трентмос ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BUK65 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 75 120A (TC) 4,5 В, 10. 4,2mohm @ 25a, 10 В 2.8V @ 1MA 234 NC @ 10 V ± 16 В. 15450 PF @ 25 V - 306 yt (tc)
BFU520YF NXP USA Inc. BFU520YF 0,3080
RFQ
ECAD 5463 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 BFU520 450 м 6-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934067715135 Ear99 8541.21.0075 10000 14 дБ 12 30 май 2 npn (дВОХАНЕй) 60 @ 5ma, 8 В 10 -е 1db @ 1,8gц
MRF7S21150HSR3 NXP USA Inc. MRF7S21150HSR3 -
RFQ
ECAD 1533 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 65 ШASCI Ni-780S MRF7 2,11 ~ 2,17 гг. LDMOS Ni-780S СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 935309845128 Ear99 8541.29.0075 250 - 1,35 а 44 Вт 17,5db - 28
MRF8S26120HR3 NXP USA Inc. MRF8S26120HR3 -
RFQ
ECAD 4807 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 65 ШASCI SOT-957A MRF8 2,69 -е LDMOS Ni-780H-2L - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 935324359128 Ear99 8541.29.0075 250 - 900 млн 28 wt 15,6db - 28
A2T07H310-24SR6 NXP USA Inc. A2T07H310-24SR6 -
RFQ
ECAD 7187 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 70 ШASCI NI-1230-4LS2L A2T07 880 мг LDMOS NI-1230-4LS2L - Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 935312272128 Ear99 8541.29.0075 150 Дон - 700 млн 47 Вт 18,6db - 28
A2T23H160-24SR3 NXP USA Inc. A2T23H160-24SR3 132.9651
RFQ
ECAD 4413 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 65 ШASCI Ni-780S-4L2L A2T23 2,3 -е LDMOS Ni-780S-4L2L СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 935326016128 Ear99 8541.29.0075 250 Дон - 350 май 28 wt 17,7db - 28
ON5238,118 NXP USA Inc. ON5238,118 -
RFQ
ECAD 6850 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-263-5, D²PAK (4 головы + вкладка), до 263BB ON52 - - D2Pak - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934056900118 Ear99 8541.29.0095 800 - - - - -
BUK7105-40AIE,118 NXP USA Inc. BUK7105-40AIE, 118 1.2300
RFQ
ECAD 5 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен BUK71 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800
PSMN057-200P,127 NXP USA Inc. PSMN057-200P, 127 1.4600
RFQ
ECAD 4 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PSMN0 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000
BF908WR,115 NXP USA Inc. BF908WR, 115 -
RFQ
ECAD 2508 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 12 Пефер SC-82A, SOT-343 BF908 200 мг МОСС CMPAK-4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-kanalnый dvoйnoй зastwor 40 май 15 май - - 0,6 дБ
BF991,215 NXP USA Inc. BF991,215 -
RFQ
ECAD 9394 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 20 Пефер 253-4, 253а BF991 100 мг МОСС SOT-143b СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-kanalnый dvoйnoй зastwor 20 май 10 май - 29 ДБ 0,7 ДБ 10
MRF5S19060NR1 NXP USA Inc. MRF5S19060NR1 -
RFQ
ECAD 4443 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 65 Пефер ДО-270AB MRF5 1,99 -е LDMOS 270 WB-4 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 500 - 750 май 12 14 дБ - 28
BF998,235 NXP USA Inc. BF998 235 -
RFQ
ECAD 3474 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 12 Пефер 253-4, 253а BF998 200 мг МОСС SOT-143b СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934002640235 Ear99 8541.21.0095 10000 N-kanalnый dvoйnoй зastwor 30 май 10 май - - 0,6 дБ
PHT8N06LT,135 NXP USA Inc. PHT8N06LT, 135 -
RFQ
ECAD 1176 0,00000000 NXP USA Inc. Трентмос ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA Pht8 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SC-73 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 55 3.5a (TA) 80mohm @ 5a, 5v 2V @ 1MA 11,2 NC @ 5 V ± 13 В. 650 pf @ 25 v - 1,8 yt (ta), 8,3 yt (tc)
BSH111,215 NXP USA Inc. BSH111,215 0,0600
RFQ
ECAD 357 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен BSH1 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000
A5G38H045N-3700 NXP USA Inc. A5G38H045N-3700 337.5000
RFQ
ECAD 4488 0,00000000 NXP USA Inc. - МАССА Актифен Пефер 6-ldfn otkrыtaiNe-ploщadka - - 6-pdfn (7x6,5) - Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 - - 5 Вт - -
BF998,215 NXP USA Inc. BF998 215 -
RFQ
ECAD 7114 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 12 Пефер 253-4, 253а BF998 200 мг МОСС SOT-143b СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-kanalnый dvoйnoй зastwor 30 май 10 май - - 0,6 дБ
MPSA42,126 NXP USA Inc. MPSA42,126 -
RFQ
ECAD 8225 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА MPSA42 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 300 100 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 2ma, 20 мая 40 @ 30ma, 10 В 50 мг
BLF4G20S-110B,112 NXP USA Inc. BLF4G20S-110B, 112 -
RFQ
ECAD 9190 0,00000000 NXP USA Inc. - Поднос Управо 65 ШASCI SOT-502B BLF4 1,93 ~ 1,99 -е LDMOS SOT502B СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 20 12A 700 млн 100 y 13,5db - 28
BLF4G22LS-130,112 NXP USA Inc. BLF4G22LS-130,112 -
RFQ
ECAD 6514 0,00000000 NXP USA Inc. - Поднос Управо 65 ШASCI SOT-502B BLF4 2,11 ~ 2,17 гг. LDMOS SOT502B СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 60 15A 1,15 а 33 Вт 13,5db - 28
BF1211WR,115 NXP USA Inc. BF1211WR, 115 -
RFQ
ECAD 4385 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-82A, SOT-343 BF121 400 мг МОСС CMPAK-4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-kanalnый dvoйnoй зastwor 30 май 15 май - 29 ДБ 0,9 ДБ
PDTD123EK,115 NXP USA Inc. PDTD123EK, 115 -
RFQ
ECAD 1838 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTD123 250 м SMT3; Мпп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 500 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 2,5 май, 50 40 @ 50ma, 5 2.2 Ком 2.2 Ком
MRF8P20100HSR5 NXP USA Inc. MRF8P20100HSR5 -
RFQ
ECAD 5508 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 65 Пефер Ni-780S-4L MRF8 2,03 -е LDMOS Ni-780S-4L - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 50 Дон - 400 май 20 Вт 16 дБ - 28
A2G26H280-04SR3 NXP USA Inc. A2G26H280-04SR3 -
RFQ
ECAD 7593 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен A2G26 - Rohs3 DOSTISH 935318614128 0000.00.0000 250
MRFE6VP6300HSR5 NXP USA Inc. MRFE6VP6300HSR5 124.2016
RFQ
ECAD 9437 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 130 Пефер Ni-780S-4L MRFE6 230 мг LDMOS Ni-780S-4L СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 935314385178 Ear99 8541.29.0075 50 Дон - 100 май 300 Вт 26,5db - 50
MRF6P9220HR5 NXP USA Inc. MRF6P9220HR5 -
RFQ
ECAD 3500 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 68 В ШASCI Ni-860C3 MRF6 880 мг LDMOS Ni-860C3 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 50 - 1,6 а 47 Вт 20 дБ - 28
BLF6G20S-45112 NXP USA Inc. BLF6G20S-45112 -
RFQ
ECAD 8282 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 1
MRF101AN-START NXP USA Inc. MRF101AN-Start -
RFQ
ECAD 9286 0,00000000 NXP USA Inc. - МАССА Управо 133 В Чereз dыru 220-3 MRF101 1,8 мг ~ 250 лет LDMOS 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 10 мк 100 май 115 Вт 21.1db - 50
AFT20S015NR1528 NXP USA Inc. AFT20S015NR1528 -
RFQ
ECAD 6830 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА 0000.00.0000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе