SIC
close

Транзисторы(3592)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Тип полярного транзистора Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ток-отсечка коллектора (макс.) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
UMH11NFHATN Rohm Semiconductor UMH11NFHATN 0,4800
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Ром Полупроводник Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 УМХ11 150 мВт УМТ6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0075 3000 50В 100 мА 500нА 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА 30 при 5 мА, 5 В 250 МГц 10 кОм 10 кОм
UT6ME5TCR Rohm Semiconductor UT6ME5TCR 0,6500
запросить цену
 ECAD 2501 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-PowerUDFN МОП-транзистор (оксид металла) 2Вт (Та) ХУМЛ2020L8 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 3000 N и P-канал 100 В 2А (Та), 1А (Та) 207 мОм при 2 А, 10 В, 840 мОм при 1 А, 10 В 2,5 В @ 1 мА 2,8 нк при 10 В, 6,7 нк при 10 В 90пФ при 50В Стандартный
UMG9NTR Rohm Semiconductor UMG9NTR 0,4700
запросить цену
 ECAD 5 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 5-ЦСОП, СК-70-5, СОТ-353 УМГ9 150 мВт УМТ5 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0095 3000 50В 100 мА 500нА 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА 30 при 5 мА, 5 В 250 МГц 10 кОм 10 кОм
SH8M2TB1 Rohm Semiconductor Ш8М2ТБ1 0,3719
запросить цену
 ECAD 3569 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) Ш8М2 МОП-транзистор (оксид металла) 2 Вт 8-СОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2500 N и P-канал 30 В 3,5 А 83 мОм при 3,5 А, 10 В 2,5 В @ 1 мА 3,5 НК при 5 В 140пФ при 10В -
RMW200N03TB Rohm Semiconductor РМВ200Н03ТБ 0,8400
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-СМД, плоский вывод 200 ринггитов МОП-транзистор (оксид металла) 8-ПСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 В 20А (Та) 4,5 В, 10 В 4,2 мОм при 20 А, 10 В 2,5 В @ 1 мА 29 НК при 10 В ±20 В 1780 пФ при 15 В - 3W (Та)
UT6K30TCR Rohm Semiconductor УТ6К30ТКР 1,2100
запросить цену
 ECAD 7 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-PowerUDFN УТ6К30 МОП-транзистор (оксид металла) 2Вт (Та) ХУМЛ2020L8 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 3000 2 N-канала (двойной) 60В 3А (Та) 153 мОм при 3 А, 10 В 2,7 В @ 50 мкА 2,1 НК при 10 В 110пФ при 30В -
R5016FNJTL Rohm Semiconductor R5016FNJTL 2,0698
запросить цену
 ECAD 6200 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ Р5016 МОП-транзистор (оксид металла) ЛПТС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0095 1000 N-канал 500 В 16А (Тс) 10 В 325 мОм при 8 А, 10 В 5 В при 1 мА 46 НК при 10 В ±30 В 1700 пФ при 25 В - 255 Вт (Тс)
RSR020N06TL Rohm Semiconductor RSR020N06TL 0,2181
запросить цену
 ECAD 5439 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-96 РСР020 МОП-транзистор (оксид металла) ЦМТ3 - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0095 3000 N-канал 60 В 2А (Та) 4В, 10В 170 мОм при 2 А, 10 В 2,5 В @ 1 мА 4,9 НК при 10 В ±20 В 180 пФ при 10 В - 540 мВт (Та)
RS6L090BGTB1 Rohm Semiconductor RS6L090BGTB1 2.3600
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-PowerTDFN МОП-транзистор (оксид металла) 8-ХСОП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 В 90А (Тс) 4,5 В, 10 В 4,7 мОм при 90 А, 10 В 2,5 В @ 1 мА 28 НК при 10 В ±20 В 1950 пФ при 30 В - 3 Вт (Та), 73 Вт (Тс)
EMH25T2R Rohm Semiconductor ЭМХ25Т2Р 0,4200
запросить цену
 ECAD 345 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СОТ-563, СОТ-666 ЭМХ25 150 мВт ЕМТ6 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0075 8000 50В 100 мА 500нА 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 80 при 10 мА, 5 В 250 МГц 4,7 кОм 47 кОм
2SC5662T2LN Rohm Semiconductor 2SC5662T2LN -
запросить цену
 ECAD 2228 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СОТ-723 2SC5662 150 мВт ВМТ3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0075 8000 11 В 50 мА 500нА (ИКБО) НПН 500 мВ при 5 мА, 10 мА 56 @ 5 мА, 10 В 3,2 ГГц
SP8K80TB1 Rohm Semiconductor СП8К80ТБ1 1,9700
запросить цену
 ECAD 215 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный - Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) СП8К80 МОП-транзистор (оксид металла) 2Вт (Та) 8-СОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 2500 2 N-канала (двойной) 500В 500 мА (Та) 11,7 Ом при 250 мА, 10 В 5 В при 1 мА 3,8 нк при 10 В 23,5 пФ при 25 В -
RCJ450N20TL Rohm Semiconductor RCJ450N20TL 3.3900
запросить цену
 ECAD 67 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ RCJ450 МОП-транзистор (оксид металла) ЛПТС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 1000 N-канал 200 В 45А (Тс) 10 В 55 мОм при 22,5 А, 10 В 5 В при 1 мА 80 НК при 10 В ±30 В 4200 пФ при 25 В - 1,56 Вт (Та), 40 Вт (Тс)
DTD543EMT2L Rohm Semiconductor DTD543EMT2L 0,1035
запросить цену
 ECAD 4124 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СОТ-723 ДТД543 150 мВт ВМТ3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0075 8000 12 В 500 мА 500нА NPN — предварительный смещенный 300 мВ при 5 мА, 100 мА 115 при 100 мА, 2 В 260 МГц 4,7 кОм 4,7 кОм
DTA014YEBTL Rohm Semiconductor DTA014YEBTL 0,1900
запросить цену
 ECAD 8381 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-89, СОТ-490 ДТА014 150 мВт ЭМТ3Ф (СОТ-416ФЛ) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 70 мА - ПНП — предварительный смещенный 150 мВ при 500 мкА, 5 мА 80 при 5 мА, 10 В 250 МГц 10 кОм 47 кОм
DTC114GUAT106 Rohm Semiconductor DTC114GUAT106 0,2600
запросить цену
 ECAD 198 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов Поверхностный монтаж СК-70, СОТ-323 DTC114 200 мВт УМТ3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 100 мА 500нА (ИКБО) NPN — предварительный смещенный 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА 30 при 5 мА, 5 В 250 МГц 10 кОм
RQ5E025SPTL Rohm Semiconductor RQ5E025SPTL 0,6300
запросить цену
 ECAD 126 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж СК-96 RQ5E025 МОП-транзистор (оксид металла) ЦМТ3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0095 3000 P-канал 30 В 2,5 А (Та) 4В, 10В 98 мОм при 2,5 А, 10 В 2,5 В @ 1 мА 5,4 нк при 5 В ±20 В 460 пФ при 10 В - 700 мВт (Та)
DTC024EUBTL Rohm Semiconductor DTC024EUBTL 0,3000
запросить цену
 ECAD 196 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж СК-85 DTC024 200 мВт УМТ3Ф скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0075 3000 50 В 30 мА - NPN — предварительный смещенный 150 мВ при 500 мкА, 5 мА 60 при 5 мА, 10 В 250 МГц 22 кОм 22 кОм
2SCR562F3TR Rohm Semiconductor 2SCR562F3TR 0,8100
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 Ром Полупроводник Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 3-УДФН Открытая площадка 2SCR562 1 Вт ХУМЛ2020L3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0075 3000 30 В 6 А 100нА (ИКБО) НПН 220 мВ при 150 мА, 3 А 200 при 500 мА, 2 В 270 МГц
RT1E040RPTR Rohm Semiconductor RT1E040RPTR 0,2100
запросить цену
 ECAD 3295 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 8-СМД, плоский вывод RT1E040 МОП-транзистор (оксид металла) 8-ТССТ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0095 3000 P-канал 30 В 4А (Та) 4В, 10В 45 мОм при 4 А, 10 В 2,5 В @ 1 мА 20 НК при 10 В ±20 В 1000 пФ при 10 В - 550 мВт (Та)
RX3P12BATC16 Rohm Semiconductor RX3P12BATC16 6.8300
запросить цену
 ECAD 1682 г. 0,00000000 Ром Полупроводник - Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 RX3P12 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220АБ скачать 1 (без блокировки) 846-RX3P12BATC16 50 P-канал 100 В 120А (Та) 6В, 10В 12,3 мОм при 60 А, 10 В 4 В при 1 мА 385 НК при 10 В ±20 В 16600 пФ при 50 В - 201 Вт (Тс)
2SD2537T100V Rohm Semiconductor 2СД2537Т100В 0,8400
запросить цену
 ECAD 9919 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-243АА 2SD2537 2 Вт МПТ3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0075 1000 25 В 1,2 А 300нА (ИКБО) НПН 300 мВ при 10 мА, 500 мА 820 при 500 мА, 5 В 200 МГц
R6515KNJTL Rohm Semiconductor R6515KNJTL 5.5000
запросить цену
 ECAD 80 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ Р6515 МОП-транзистор (оксид металла) ЛПТС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 1000 N-канал 650 В 15А (Тс) 10 В 315 мОм при 6,5 А, 10 В 5 В при 430 мкА 27,5 НК при 10 В ±20 В 1050 пФ при 25 В - 184 Вт (Тс)
R6006ANX Rohm Semiconductor Р6006ANX 1,5214
запросить цену
 ECAD 6491 0,00000000 Ром Полупроводник - Масса Не для новых дизайнов 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет Р6006 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220ФМ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 500 N-канал 600 В 6А (Тс) 10 В 1,2 Ом при 3 А, 10 В 4,5 В @ 1 мА 15 нк @ 10 В ±30 В 520 пФ при 25 В - 40 Вт (Тс)
RW1E014SNT2R Rohm Semiconductor RW1E014SNT2R -
запросить цену
 ECAD 2042 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Устаревший 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж 6-SMD, плоские выводы RW1E014 МОП-транзистор (оксид металла) 6-ВЭМТ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0095 8000 N-канал 30 В 1,4 А (Та) 4В, 10В 240 мОм при 1,4 А, 10 В 2,5 В @ 1 мА 1,4 НК при 5 В ±20 В 70 пФ при 10 В - 400 мВт (Та)
RCX450N20 Rohm Semiconductor RCX450N20 3.0300
запросить цену
 ECAD 137 0,00000000 Ром Полупроводник - Масса Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет RCX450 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-220ФМ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.29.0095 500 N-канал 200 В 45А (Тс) 10 В 55 мОм при 22,5 А, 10 В 5 В при 1 мА 80 НК при 10 В ±30 В 4200 пФ при 25 В - 2,23 Вт (Та), 40 Вт (Тс)
SCT4036KEHRC11 Rohm Semiconductor SCT4036KEHRC11 23.1200
запросить цену
 ECAD 20 0,00000000 Ром Полупроводник Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Трубка Активный 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 SiCFET (карбид кремния) ТО-247Н скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 846-SCT4036KEHRC11 EAR99 8541.29.0095 450 N-канал 1200 В 43А (Тс) 18В 47 мОм при 21 А, 18 В 4,8 В при 11,1 мА 91 НК при 18 В +21В, -4В 2335 пФ при 800 В - 176 Вт
2SCR346PT100Q Rohm Semiconductor 2SCR346PT100Q 0,6200
запросить цену
 ECAD 16 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-243АА 2SCR346 500 мВт МПТ3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0095 1000 400 В 100 мА 10 мкА (ИКБО) НПН 300 мВ при 2 мА, 20 мА 82 @ 10 мА, 10 В -
2SCR293PFRAT100 Rohm Semiconductor 2SCR293PFRAT100 0,1412
запросить цену
 ECAD 4900 0,00000000 Ром Полупроводник Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-243АА 2SCR293 500 мВт МПТ3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0075 1000 30 В 1 А 100нА (ИКБО) НПН 350 мВ при 25 мА, 500 мА 270 при 100 мА, 2 В 320 МГц
DTA114ECAHZGT116 Rohm Semiconductor DTA114ECAHZGT116 0,1900
запросить цену
 ECAD 11 0,00000000 Ром Полупроводник Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 ДТА114 350 мВт ССТ3 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.21.0075 3000 100 мА - ПНП — предварительный смещенный 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА 30 при 5 мА, 5 В 250 МГц 10 кОм 10 кОм
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.